半导体材料

摘要： 美国加州理工学院提出一种用激光改变材料特性的方法据PHYS网2021年12月8日消息,美国加州理工学院开发出一种方法,可用激光快速和暂时改变材料特性,而不产生多余的破坏性热量。研究人员采用了一种称为三硫化锰磷光体的半导体材料,这种材料在很宽的红外频率范围内只吸收少量光。通过超短红外激光脉冲,研究人员能够快速改变这种材料内部电子的能量,从而使材料从高度不透明状态转换为高度透明状态。原则上,这种方法可以改变材料的光学、磁性和许多其他特性,在材料工程和光量子计算领域产生潜在应用。

摘要： 一般情况下半导体材料可以吸收一个能量大于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带。但是,在某些特殊的情况下,半导体材料也能吸收多个能量小于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带,这就是多光子吸收效应。多光子吸收效应是一种非线性光学效应。该综述首先介绍了多光子吸收效应的理论基础和测试方法,然后回顾了多光子吸收效应的研究成果,最后展望了半导体低维结构中的多光子吸收效应研究,以及潜在的应用前景。

摘要： 目前,我国第三代半导体产业的发展如火如荼,新旧企业加入赛道,地方政府支持,各级政策联动,扶持力度增强,加速推动着相关技术研发和工厂落地。近日,安徽和山东接连发布第三代半导体相关利好政策。安徽:全力发展半导体材料4月8日,安徽省发布《安徽省“十四五”新材料产业发展规划》(以下简称《规划》)。《规划》指出,目前,我国新材料产业规模不断扩大,2020年产值就已超过5万亿元。

摘要： 宁波江丰电子材料股份有限公司于2005年创办,专注于半导体材料领域金属材料及溅射靶材的技术攻关与开发生产。近年来,公司一直坚持科技创新,成效显著。大力引育天下英才建设人才活力迸发的科技创新领跑企业人才是科技创新的主体。为响应中央人才工作会议提出的“下大气力全方位培养、引进、用好人才”的战略要求,在浙江省及宁波市的支持下,江丰电子目前已集聚国家、省重点人才计划专家17人。公司打造了一支百余名高层次人才组成的创新雁阵,并荣获省领军型创新创业团队。

摘要： 近日,作为长沙市十个重大科技创新标志性项目之一的湖南大学·长沙半导体技术与应用创新研究院在长沙大科城中建智慧谷园区正式开工。该项目于去年9月签约,以“推动技术创新、引导产业发展”为宗旨,将重点突破第三代半导体衬底、外延材料、器件制造等核心技术,突破部分半导体工艺核心设备研制关键技术并开展工艺验证,持续开展半导体应用工程化、产业化关键技术研究,提升半导体基础理论水平,搭建公共测试与技术服务平台、人才引育平台、科技成果转化高地,支撑长沙市“半导体材料-器件-芯片-装备”产业集群实现千亿级的跨越式发展。

摘要： 到目前为止,半导体材料已经过了三个发展阶段——第一代半导体是硅(Si),第二代半导体是砷化镓(GaAs),第三代半导体又称宽带隙半导体(WBG)则是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

摘要： 随着现代材料科技的创新发展,半导体材料已经由第一代的硅、锗等元素半导体材料,发展为以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料,推动了现代互联网、通信、新能源等新兴科技的快速发展。文章结合半导体材料的发展历程,研究了半导体材料的应用现状,并探讨了“双碳”背景下半导体材料在柔性显示屏、LED照明、新能源汽车等领域的发展趋势,从而为加深半导体材料的研究、强化半导体材料的应用提供参考。

摘要： 6?生物传感AI算法融合的中医过敏/平和体质差异靶点科学解码王琦院士提出的体质辨识是实现慢病防治关口前移和“疾病共同预防”的重要抓手.北京中医药大学吴志生教授研究团队以临床真实世界样本为研究载体,创建了半导体材料芯片、人工智能新算法、分子对接及斑马鱼生物模式的关键技术集成,首次实现了基于中医(过敏)体质的生物传感与人工智能算法技术融合.

摘要： 为了获取化合物半导体材料光电特性,对其进行测试分析。制备化合物半导体材料,将其作为实验对象,利用X射线衍射仪和光度计对不同反应时间、不同照射条件等多种实验条件下的材料光学性能和电学性能进行探究。实验得出,在不同持续时间条件下,化合物半导体材料的吸收值存在较大差异;随着电压的增加,三种照射条件下的化合物半导体材料电流均呈现出逐渐增加的趋势,并且增加幅度基本相同。在化合物半导体材料实际应用中,通过其光学与电学特性的协同作用,可达到提升光电转换效率的目的。

摘要： 北京通美晶体技术股份有限公司(以下简称“通美晶体”)是一家半导体材料科技企业,主要从事磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底、PBN材料及其他高纯材料的研发、生产和销售。2021年6月,通美晶体递交招股书,申请登陆科创板。同时拟公开发行不超过9839万股,募资11.67亿元,用于砷化镓半导体材料项目的建设和补充流动资金。

摘要： InGaAsBi是一种新型的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料,它的一些特殊性质可用于HEMT等电子和光电子器件.重点研究了InGaAsBi材料的GSMBE生长及其特性,特别是衬底生长温度、CBr4压力和Bi炉温度对InGaAsBi材料和碳掺杂InGaAsBi材料表面、结构和化学特性、以及电学特性和光学特性的影响.

摘要： 通过大范围地调节In与Bi的组分,新型稀铋半导体材料InGaAsBi可在InP衬底上匹配生长,同时其理论发光波长最长能达到6微米,完全覆盖短波红外波段,因此具有广泛应用前景.将InGaAsBi作为面向短波红外应用PIN型探测器的吸收层时,要求探测器具有较低暗电流,这就要求作为有源层的InGaAsBi具有较高结晶质量.尝试在生长温度280°C，AsH3压力350Torr下通过调节Bi炉温度外延不同Bi组分的InGaAsBi。

摘要： GeSn合金材料作为一种新型的Ⅳ族半导体材料,其能带结构能在Sn组分大于～6.5％-11％转变为直接带隙,从而有望实现与现有CMOS工艺兼容的Si基Ⅳ族发光材料和器件.然而,由于Ge与α-Sn之间的晶格失配有15％,这使得Ge上面外延的高Sn组分的GeSn存在较高的压应变,不利于其转变为直接带隙.而纳米结构由于其较高的表面体积比可通过弹性形变的方式有效释放应变.

摘要： 量子点因其具有亮度高、颜色可调、量子产率高等独特的光学性质而备受关注,在显示领域具有非常广阔的应用前景.为了实现量子点显示器件的全彩显示,制备高质量的图案化的量子点薄膜作为器件的发光层至关重要.本文综述了近些年来制备可图案化的量子点薄膜的研究进展,探讨了各种方法的优势与不足,并对未来量子点薄膜的图案化制备方法进行了展望.

摘要： 量子点因其具有亮度高、颜色可调、量子产率高等独特的光学性质而备受关注,在显示领域具有非常广阔的应用前景.为了实现量子点显示器件的全彩显示,制备高质量的图案化的量子点薄膜作为器件的发光层至关重要.本文综述了近些年来制备可图案化的量子点薄膜的研究进展,探讨了各种方法的优势与不足,并对未来量子点薄膜的图案化制备方法进行了展望.

摘要： 量子点因其具有亮度高、颜色可调、量子产率高等独特的光学性质而备受关注,在显示领域具有非常广阔的应用前景.为了实现量子点显示器件的全彩显示,制备高质量的图案化的量子点薄膜作为器件的发光层至关重要.本文综述了近些年来制备可图案化的量子点薄膜的研究进展,探讨了各种方法的优势与不足,并对未来量子点薄膜的图案化制备方法进行了展望.

摘要： 量子点因其具有亮度高、颜色可调、量子产率高等独特的光学性质而备受关注,在显示领域具有非常广阔的应用前景.为了实现量子点显示器件的全彩显示,制备高质量的图案化的量子点薄膜作为器件的发光层至关重要.本文综述了近些年来制备可图案化的量子点薄膜的研究进展,探讨了各种方法的优势与不足,并对未来量子点薄膜的图案化制备方法进行了展望.

摘要： 量子点因其具有亮度高、颜色可调、量子产率高等独特的光学性质而备受关注,在显示领域具有非常广阔的应用前景.为了实现量子点显示器件的全彩显示,制备高质量的图案化的量子点薄膜作为器件的发光层至关重要.本文综述了近些年来制备可图案化的量子点薄膜的研究进展,探讨了各种方法的优势与不足,并对未来量子点薄膜的图案化制备方法进行了展望.

摘要： 黄铁矿作为地壳中分布最广的硫化物矿物,广泛存在于斑岩型铜矿、造山型金矿和浅成地温热液型金矿等多种成矿系统.黄铁矿本身不仅具有良好的经济价值且作为一种重要的载金矿物,还具有优异的半导体性能,是极具潜力的太阳能电池材料.众所周知,金属硫化物矿物之间的原电池反应对于湿法冶金、酸性矿山排水和地球电化学勘探等有重要的影响,从而研究水热体系下黄铁矿的电化学行为就极有必要性,且它还有助于了解热液矿床的产生、组成及变化过程.然而，天然黄铁矿大多与方铅矿、闪锌矿及黄铜矿等共生，共生硫化物矿物之间的原电池效应严重影响着黄铁矿本身的电化学特性，再者天然的黄铁矿样品性脆，硬度大，延展性差及难以加工成特定的形状，因此制备纯净且便于加工的黄铁矿电极有很强的实际意义。烧结合成实验采用叶腊石、氮化硼及氯化钠作传压介质，组装快放入铰链式DS6×1400吨六面顶压力机中，设定压力为0.5-1.5GPa，设定温度为250-450°C，反应时间为60-300min。此外探讨不同温度、压力下烧结出的黄铁矿的电阻率或光性能，以期待更好地利用黄铁矿的半导体性能。

摘要： 黄铁矿作为地壳中分布最广的硫化物矿物,广泛存在于斑岩型铜矿、造山型金矿和浅成地温热液型金矿等多种成矿系统.黄铁矿本身不仅具有良好的经济价值且作为一种重要的载金矿物,还具有优异的半导体性能,是极具潜力的太阳能电池材料.众所周知,金属硫化物矿物之间的原电池反应对于湿法冶金、酸性矿山排水和地球电化学勘探等有重要的影响,从而研究水热体系下黄铁矿的电化学行为就极有必要性,且它还有助于了解热液矿床的产生、组成及变化过程.然而，天然黄铁矿大多与方铅矿、闪锌矿及黄铜矿等共生，共生硫化物矿物之间的原电池效应严重影响着黄铁矿本身的电化学特性，再者天然的黄铁矿样品性脆，硬度大，延展性差及难以加工成特定的形状，因此制备纯净且便于加工的黄铁矿电极有很强的实际意义。烧结合成实验采用叶腊石、氮化硼及氯化钠作传压介质，组装快放入铰链式DS6×1400吨六面顶压力机中，设定压力为0.5-1.5GPa，设定温度为250-450°C，反应时间为60-300min。此外探讨不同温度、压力下烧结出的黄铁矿的电阻率或光性能，以期待更好地利用黄铁矿的半导体性能。

摘要： 一种用于半导体元件或半导体器件的高可靠性表面覆盖材料，具有由含硅烷偶合剂的树脂形成的特定透明树脂层，呈不含所述硅烷偶合剂的游离材料的状态，该材料不发生分离，具有令人满意的耐热性，不易变黄，即使在高温和高湿的恶劣环境条件下长时间反复使用，也可有效地保持半导体元件或半导体器件的性能而不劣化。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 本发明提供透明性高、不会由发光元件的发热或发光造成膜减薄或变色、耐热性及耐光性优良并且与罩壳材料等的密合性优良的光半导体用热固化性组合物；使用了它的光半导体元件用密封剂；光半导体元件用固晶(die bond)材料；以及使用该光半导体用热固化性组合物、该光半导体用密封剂、光半导体元件用固晶材料及/或光半导体元件用底填材料制成的光半导体元件。本发明的光半导体用热固化性组合物含有具有含环状醚的基团的有机硅树脂、可以与所述含环状醚的基团反应的热固化剂的光半导体，其中，所述有机硅树脂以由下述通式(1)表示的结构单元和由下述通式(2)表示的结构单元作为主成分，在将所含的结构单元的总数设为1时，由所述通式(1)表示的结构单元的含量为0.6～0.95(以摩尔换算)，用所述通式(2)表示的结构单元的含量为0.05～0.4(以摩尔换算)，并且所述含环状醚的基团的含量为5～40摩尔％；(R1R2SiO2/2) (1)；(R3SiO3/2)(2)。

摘要： 一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100°C以上的溶剂(通式(2)中，R

摘要： 调制对(Bi－Sb)

摘要： 一种用于半导体元体或半导体器件的高可靠性表面覆盖材料，具有由含硅烷偶合剂的树脂形成的特定透明树脂层，呈不含所述硅烷偶合剂的游离材料的状态，该材料不发生分离，具有令人满意的耐热性，不易变黄，即使在高温和高湿的恶劣环境条件下长时间反复使用，也可有效地保持半导体元件或半导体器件的性能而不劣化。

摘要： 本发明涉及制作半导体装置或结构的方法，其包含：形成上覆在顺从性材料层上的半导体材料结构；随后改变所述顺从性材料的粘度以使所述半导体材料结构松弛；及利用所述经松弛半导体材料结构作为籽晶层来形成连续的经松弛半导体材料层。在一些实施例中，所述半导体材料层可包括III-V型半导体材料，举例来说，氮化铟镓。在此类方法期间形成新颖的中间结构。工程衬底包含具有经松弛晶格结构的连续半导体材料层。

摘要： 一些实施例包含一种具有第一半导体材料的区的集成组合件。所述区具有沿着横截面的上表面。所述上表面具有平顶峰及与所述平顶峰相邻的凹面。第二半导体材料的柱在所述区上方且直接抵靠所述区。所述柱从所述上表面垂直地延伸。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。形成具有半导体区且具有绝缘区的构造，所述绝缘区在所述半导体区上方及所述半导体区旁边延伸。利用三种蚀刻的组合来暴露所述半导体区的上表面且使所述半导体区的所述上表面改性以形成所述上表面以沿着横截面包含平顶峰部分及相邻凹面部分。

摘要： 本发明揭示制作经松弛半导体材料层的方法，其包含形成上覆在顺从性材料层上的半导体材料结构及随后更改所述顺从性材料的粘度以减小所述半导体材料内的应变。可在沉积第二半导体材料层期间使所述顺从性材料回流。可选择所述顺从性材料，使得在沉积所述第二半导体材料层时更改所述顺从性材料的粘度，从而赋予所述结构的松弛。在一些实施例中，所述半导体材料层可包括III-V型半导体材料，举例来说，氮化铟镓。本发明还揭示制作半导体结构及装置的方法。在此类方法期间形成新颖的中间结构。工程衬底包含安置在展现可改变粘度的材料层上的包括半导体材料的多个结构。

摘要： 本发明涉及制作半导体装置或结构的方法，其包含：形成上覆在顺从性材料层上的半导体材料结构；随后改变所述顺从性材料的粘度以使所述半导体材料结构松弛；及利用所述经松弛半导体材料结构作为籽晶层来形成连续的经松弛半导体材料层。在一些实施例中，所述半导体材料层可包括III-V型半导体材料，举例来说，氮化铟镓。在此类方法期间形成新颖的中间结构。工程衬底包含具有经松弛晶格结构的连续半导体材料层。