硅晶体

摘要： 在人工晶体生长技术中,导模法晶体生长技术具有"近净型"生长、材料利用率高、生长速度快以及易于实现多片晶体同步生长等优点,在晶体生长领域应用广泛,已被用于工业化生产硅、锗晶体和蓝宝石晶体等.介绍了导模法晶体生长技术国内外的研究现状,包括材料特性、生长工艺、应用领域、现存问题以及解决途径等,同时展示了同济大学在导模法生长蓝宝石多片、圆管、大尺寸板材等方面的研究成果,并展望了导模法晶体生长技术未来的发展方向以及在其他晶体材料生长方面的应用.

摘要： 研究硅晶体熔融工艺对实际工业生产中铁尾矿的处理具有重要意义。本文利用CCD视频拍摄系统获取的二氧化硅动态视觉数据,对二氧化硅晶体的熔化过程进行了一系列的研究。得到了硅晶体熔化过程中的质心轨迹和表征边缘轮廓特征的指标,建立了硅晶体实时熔化速率模型。通过检验,验证了模型的准确性,表明该模型可应用于实际工业研究铁尾矿在高炉炉渣中的溶解行为,具有较强的通用性和实际应用价值。

摘要： 本文简述了同位素纯硅材料在新领域中的应用,并回顾早期关于稳定同位素硅-28(^(28)Si)的获得和进行的一些相关实验。针对在计量单位-千克的重新建立过程中,利用硅-28精确测量阿伏伽德罗常数的问题,本文根据相关理论和文献,推导了同位素丰度与晶格常数的关系,并据此估算了硅同位素丰度需要达到的要求。

摘要： 为探究直拉法制备硅单晶过程中,硅晶体的温度梯度及生长速度对晶体最终质量的影响.文中通过建立硅晶体生长数值模型,将单晶炉加热器功率与外部提拉力作为输入、晶体温度梯度及生长速度作为输出,实现非线性化的输入输出.为验证该数值模型的准确性,将模型仿真得到的数据与实际晶体生长数据进行比较分析.结果 表明:数值模型所输出的晶体温度梯度与实际温度梯度误差为6.83％,两者的线性化程度相差7.9％;数值模型所输出的晶体生长速度与实际数据误差为1.67％,线性化程度相差8.8％,该数值模型具有良好的一致性与真实性.因此在该数值模型的基础上,可以调节晶体温度梯度及生长速度,为提高晶体的最终质量做进一步的保障.

摘要： 为探究直拉法制备硅单晶过程中,硅晶体的温度梯度及生长速度对晶体最终质量的影响。文中通过建立硅晶体生长数值模型,将单晶炉加热器功率与外部提拉力作为输入、晶体温度梯度及生长速度作为输出,实现非线性化的输入输出。为验证该数值模型的准确性,将模型仿真得到的数据与实际晶体生长数据进行比较分析。结果表明:数值模型所输出的晶体温度梯度与实际温度梯度误差为6.83%,两者的线性化程度相差7.9%;数值模型所输出的晶体生长速度与实际数据误差为1.67%,线性化程度相差8.8%,该数值模型具有良好的一致性与真实性。因此在该数值模型的基础上,可以调节晶体温度梯度及生长速度,为提高晶体的最终质量做进一步的保障。

摘要： 针对高能同步辐射拟采用U35波荡器光源,用有限元软件对晶体单色器第一晶体着光面施加面功率密度和体功率密度分别进行数值模拟,给出晶体最高温和热变形去掉二次项和三次项后的高度误差和斜率误差,为高精度光源束线设计中单色器后面的热变形矫正装置提供参数要求.计算结果显示面吸收最高温和热变形去掉二次项和三次项后的斜率误差均大于体吸收结果,并且单色器热负荷利用体吸收进行模拟也更符合实际工况.

摘要： 为解决传统硅晶体电火花线切割加工伺服控制方法的缺陷,针对由进给速度和脉宽的变化导致的加工质量、形状精度变化问题,通过实验论证了脉间和放电概率之间的关系,并基于关系拟合方程确定了脉间随着实时放电概率调整的伺服控制策略;在此基础上,设计优化了脉间反馈闭环控制脉冲电源,实现了实时放电概率恒定;此外,分析了不同的进给速度、脉宽等参数对加工质量、放电概率等的影响,确定了最优加工工艺参数,并将该电源应用到普通机床中进行了实际切割加工.

摘要： 文章针对传统辐射屏蔽方法质量利用率低的问题,提出利用弯曲晶体对空间带电粒子进行偏转屏蔽的新方法.该方法利用规则晶体内部连续性势垒对带电粒子的束缚作用,使得被束缚的带电粒子随着晶体弯曲而偏转.采用解析方法深入分析了弯曲晶体对带电粒子偏转机理的4个关键参数:临界角,临界半径,退沟道长度和偏转效率;并从偏转效率的角度对比了硅晶体和碳纳米管2种材料的屏蔽效能,结果显示碳纳米管更具备工程应用前景.建立了适合偏转空间各向同性入射带电粒子的屏蔽材料结构,初步分析了该结构偏转空间不同能量电子和质子所需的屏蔽厚度,结果表明:对电子而言,利用弯曲晶体的屏蔽方法优于传统的能量损失方法.

摘要： 本文采用Lennard Jones势和修改的Tersoff势能，通过改进的Muller Plathe施加热流的方法结合Berendsen热浴和压浴耦合对碳纳米管-硅晶体之间的界面热导进行了分子动力学模拟。我们改进了Muller Plathe方法，使其可以应用于不同质量的原子之间建立温度梯度，从而在碳纳米管-硅晶体间建立了稳定的热流；模拟结果表明，碳纳米管-硅之间形成共价键时的界面热导要比只存在范德华力时高一个数量级，界面热导随着界面能的增加而增加，并且有趋于平稳的趋势；同时本文还观察到了碳纳米管-硅之间界面热导的热整流效应。

摘要： 介绍了结构线简介，携砂量模型，在线砂浆品质，良率影响因素，流体动压力的作用会使磨粒翻转、滚动的同时压紧硅晶体并钎入到硅晶体表面中;硅晶体最大剪应力条件,即Tresca屈服条件:当最大剪应力达到硅的临界抗剪应力240MPa时,材料就发生屈服.经过工艺调整，使用在线回收砂浆及耐磨涂层导轮，对结构线切割工艺进行调整A品率可以达到90-92%，实现了良率的提升。

摘要： 介绍了背景介绍，数值模型，结果分析—全局热场的比较—反应物活化能的影响—反应物浓度的影响—高拉速大尺寸下的冷却效果，结论背景介绍单晶硅和多晶硅的市场份额以及光电转换效率的预测比较。

摘要： 本文通过镓和磷共掺杂来实现补偿,研究了补偿对晶体性质的影响.研究发现镓磷补偿降低了空穴(多子)和电子(少子)的迁移率,有意思的是迁移率的下降值远低于基于Klaassen 模型的预期.结合低温红外光谱,我们认为其中形成了镓磷复合体,它的存在减少了散射中心数量,从而降低了补偿对迁移率的影响.实际的镓磷补偿电池效率比掺镓电池高出0.2%,这表明镓磷补偿对电池性能没有产生不利影响,它适宜用于制备高效的硅晶体太阳电池.

摘要： 晶界广泛存在于多晶材料中，并对纳米多晶材料热物性起着决定性的影响，研究晶界的导热特性对于认识和理解纳米多晶材料的导热机制十分重要。本文利用非平衡的分子动力学模拟方法计算了硅材料中扭转晶界界面热阻，并考察了晶界界面热阻随扭转角、晶界能以及温度的变化关系。模拟结果表明扭转晶界界面热阻的量级为10-9 m2KW-1，晶界界面热阻随着晶界能的增加而增大，但随着温度的升高而降低。同时借助于声子波包动力学模拟方法，获得了不同频率下的纵波声子在不同类型扭转晶界处的界面散射特性。对于低频声子，由于波长较大，在晶界界面处几乎不受晶界扭转角的影响，能量透射率接近于100%。随着频率的增加，声子波包能量透射率总体呈下降趋势，同时在透射和反射的声子中产生了横波声子。晶界能量越大，声子在整个频率段的透射率总体减弱，从而导致界面热阻随着晶界能量的增加而增大。

摘要： 本文对单晶硅棒/多晶硅锭切断专用的金刚石环形带锯条制造的技术、工艺、测试及环保方面进行了介绍。采用电沉积方法制造金刚石带锯条，选用韧性好、强度高的钢材为基体材料，结合优质金刚石，对基体几何尺寸、偏摆、跳动严格控制，对金刚石进行表面处理，粒度重整，在工艺过程中，采用了独家设计的旋转装置，同时引入了最先进的安时参数(Ah)测控，制造出的带锯条性能稳定、寿命长、精确度高。在后续处理上，设计采用了零排放工艺流程，并采用膜分离技术对意外产生的废水进行处理。对于低浓度的废气，采用全封密排风通道，结合SDC复合吸附剂，净化效率可达到98%，确保达到国家环保要求。

摘要： 生产基地海润光伏目前有六大生产基地,分别为安徽合肥、江苏江阴璜塘、江阴新桥、江苏太仓、江苏泗阳和云南红河.其中,合肥基地以电池为主;江苏江阴璜塘基地主要生产硅片及组件;江阴新桥基地以电池为主;江苏太仓基地以电池、组件为主,同时,太仓基地还是集团的研发中心;泗阳基地以多晶硅锭、小方锭为主,是苏北地区最大的多晶硅铸锭生产制造企业;云南红河基地以组件为主.

摘要： 生产基地海润光伏目前有六大生产基地,分别为安徽合肥、江苏江阴璜塘、江阴新桥、江苏太仓、江苏泗阳和云南红河.其中,合肥基地以电池为主;江苏江阴璜塘基地主要生产硅片及组件;江阴新桥基地以电池为主;江苏太仓基地以电池、组件为主,同时,太仓基地还是集团的研发中心;泗阳基地以多晶硅锭、小方锭为主,是苏北地区最大的多晶硅铸锭生产制造企业;云南红河基地以组件为主.

摘要： 生产基地海润光伏目前有六大生产基地,分别为安徽合肥、江苏江阴璜塘、江阴新桥、江苏太仓、江苏泗阳和云南红河.其中,合肥基地以电池为主;江苏江阴璜塘基地主要生产硅片及组件;江阴新桥基地以电池为主;江苏太仓基地以电池、组件为主,同时,太仓基地还是集团的研发中心;泗阳基地以多晶硅锭、小方锭为主,是苏北地区最大的多晶硅铸锭生产制造企业;云南红河基地以组件为主.

摘要： 生产基地海润光伏目前有六大生产基地,分别为安徽合肥、江苏江阴璜塘、江阴新桥、江苏太仓、江苏泗阳和云南红河.其中,合肥基地以电池为主;江苏江阴璜塘基地主要生产硅片及组件;江阴新桥基地以电池为主;江苏太仓基地以电池、组件为主,同时,太仓基地还是集团的研发中心;泗阳基地以多晶硅锭、小方锭为主,是苏北地区最大的多晶硅铸锭生产制造企业;云南红河基地以组件为主.

摘要： 本发明公开了一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法、晶体硅电池的制备方法及晶体硅电池。一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法，其中，该方法包括通过水蒸汽与所述硅基材表面的硅材料反应形成二氧化硅薄膜。通过采用水蒸汽与硅基材表面的硅材料反应制备二氧化硅薄膜，其反应速率快，产物无污染。此外，二者反应产物中的部分氢还能扩散至硅基材内部。这些氢能够与硅基材表面的悬挂键结合，或者与硅基材内部的缺陷、杂质结合，从而起到钝化晶界、缺陷或杂质的作用。在此基础上，应用本发明所提供的方法，能够有效提高二氧化硅薄膜的制备效率，还能够有效改善硅基材的光电性能。

摘要： 利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价时，将选取的圆板状试样20配置于对来自密勒指数面的布拉格反射进行检测的位置，以圆板状试样20的中心作为旋转中心使其以旋转角度Φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对圆板状试样20的主面上进行Φ扫描，求出表示来自密勒指数面的布拉格反射强度对于圆板状试样20的旋转角度(Φ)的依赖性的图表，由该图表求出基线，将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。本发明提供以高定量性和再现性来选择适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅且有助于稳定地制造单晶硅的技术。

摘要： 一种晶体硅制绒添加剂、晶体硅制绒剂以及晶体硅倒金字塔绒面结构的制备方法，属于太阳能电池技术领域。制绒添加剂包括：形核剂、阴离子表面活性剂、分散剂、螯合剂以及余量的水；形核剂包括β‑环糊精、麦芽糊精以及木质素磺酸盐中的至少一种。利用上述晶体硅制绒添加剂添加于碱液中进行碱制绒，可晶体硅的表面形成倒金字塔绒面结构，由于制绒时在碱性环境中，相比于酸制绒成本更低，并且其不涉及金属离子的使用，因此有利于提高制绒后的晶体硅的纯净度。

摘要： 本申请公开一种晶体硅承载结构、晶体硅截断机及晶体硅截断方法。该晶体硅承载结构包括：底座；设于所述底座上的承载台，所述承载台包括第一承载台和第二承载台；以及承载台移动机构，配置于所述第一承载台和/或所述第二承载台上，用于驱动所述第一承载台和/或所述第二承载台移动以调整所述第一承载台和所述第二承载台的相对位置。本申请的晶体硅承载结构能够通过第一承载台和第二承载台的相对移动来调整两者间的相对位置，从而能实现对不同长度及具有不同切割位置的多晶硅棒的承载，以利于后续对承载的多晶硅棒进行头尾截断作业。

摘要： 本申请公开一种晶体硅卸料装置、晶体硅截断机及晶体硅截断方法，该晶体硅截断机包括：工件承载装置线、切割装置，以及晶体硅卸料装置，其中，晶体硅卸料装置包括的设于基座上的主体夹具和边料夹具，用于对晶体硅经切割后形成的主体段和边料进行夹持和分类。实现全自动的夹取完成截断后的主体段和边料，并进行分类。

摘要： 本发明提供了一种铸造单晶硅籽晶的铺设方法，相邻硅籽晶的晶向成较小锐角斜向上指向或斜向上远离拼接缝，所述两类拼接缝有规律地间隔分布。两侧硅籽晶的晶向斜向上指向的拼接缝在晶体生长过程中可以显著抑制位错的产生及扩展，提高硅锭整体的晶体质量。本发明还提供了应用上述单晶硅籽晶的铺设方法制备而成的晶体硅锭，以及晶体硅锭的切割开方方法，在去除籽晶拼接缝产生的位错的同时，提高硅锭可切片部分占比，降低硅片成本，也便于制备大尺寸硅片。本发明解决了铸造法生产单晶硅时籽晶拼接缝处位错增殖迅速的问题，制备的晶硅太阳电池效率高且分布集中，电池外观颜色一致，具有显著的市场应用价值。

摘要： 本发明公开了一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法、晶体硅电池的制备方法及晶体硅电池。一种在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法，其中，该方法包括通过水蒸汽与所述硅基材表面的硅材料反应形成二氧化硅薄膜。通过采用水蒸汽与硅基材表面的硅材料反应制备二氧化硅薄膜，其反应速率快，产物无污染。此外，二者反应产物中的部分氢还能扩散至硅基材内部。这些氢能够与硅基材表面的悬挂键结合，或者与硅基材内部的缺陷、杂质结合，从而起到钝化晶界、缺陷或杂质的作用。在此基础上，应用本发明所提供的方法，能够有效提高二氧化硅薄膜的制备效率，还能够有效改善硅基材的光电性能。

摘要： 利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价时，将选取的圆板状试样20配置于对来自密勒指数面的布拉格反射进行检测的位置，以圆板状试样20的中心作为旋转中心使其以旋转角度Φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对圆板状试样20的主面上进行Φ扫描，求出表示来自密勒指数面的布拉格反射强度对于圆板状试样20的旋转角度(Φ)的依赖性的图表，由该图表求出基线，将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。本发明提供以高定量性和再现性来选择适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅且有助于稳定地制造单晶硅的技术。

摘要： 本发明提供了一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池，属于光伏技术领域。本发明提供的晶体硅太阳能电池的制备方法，在晶体硅衬底的正面沉积掺杂介质层，后续对导电极性半导体的晶化程度处理以及极性增长处理中，更高的反应温度同时也使得掺杂介质层中的掺杂杂质向晶体硅衬底扩散，由于沉积工艺温度低于扩散工艺温度，因此，先沉积掺杂介质层再利用后续步骤中的高温工艺扩散杂质，降低了生产过程中生产设备的耗能，从而解决了掩膜层厚度与生产产能矛盾的问题，可以调整掺杂介质层获得合适的膜层厚度，对晶体硅衬底的正面起到良好的掩膜作用，并减少因高温环境引起的晶体硅衬底中缺陷的形成，提高硅衬底表面形貌的结构均匀性。

摘要： 本发明公开了控制生长完美硅晶体的方法及硅晶体，该制备方法包括：获取完美晶棒生长过程中，晶棒上任一指定位置在不同长晶长度时对应的温度；根据晶棒上所述指定位置在不同长晶长度时对应的温度，计算指定温度对应的晶棒长度；根据所述指定温度对应的晶棒长度计算指定温度范围对应的温度带的宽度；根据所述温度带的宽度以及长晶拉速，计算所述指定位置通过所述温度带所需的时间；根据所述指定位置通过所述温度带所需的时间，在所述指定位置经过所述温度带时调节长晶炉中冷却装置的冷却效率。该方法为完美晶体的长晶过程中如何调节长晶炉中冷却装置的冷却效率提供了理论依据，从而提高了晶体品质和完美晶体的良率。