光致发光特性

摘要： 红色荧光粉对改善白光LED(w-LEDs)发光性能具有至关重要的作用。为制备与商用LED芯片相符的、高效和稳定性好的红色荧光粉,本研究采用传统高温固相法合成了系列四方白钨矿结构的Na_(1-x)M_(x)CaEu(WO_(4))_(3)(M=Li,K)红色荧光粉,并系统研究了Li^(+)和K^(+)的掺杂对NaCaEu(WO_(4))_(3)荧光粉晶体结构、发光性能以及热淬灭特性的影响。Rietveld精修结果显示,掺杂Li^(+)和K^(+)没有改变NaCaEu(WO_(4))_(3)基质的四方白钨矿结构,而是形成了固溶体,并且导致晶格常数呈现规律性的变化。光致发光光谱表明,在近紫外光395 nm激发下,荧光粉呈现典型的红色发射,其最强发射峰位于617 nm处,对应于Eu^(3+)离子的5 D_(0)→7 F_(2)跃迁,这表明Eu^(3+)处于非对称中心格位。更值得注意的是掺杂Li^(+)和K^(+)有效改善了NaCaEu(WO_(4))_(3)荧光粉的发光强度,当Li^(+)和K^(+)的掺杂浓度(物质的量分数)分别为100%和30%时,荧光粉的发光强度和色纯度达到最佳。此外,还对Na_(1-x)M_(x)CaEu(WO_(4))_(3)(M=Li,K)荧光粉的热淬灭特性机理进行了研究。结果显示,掺杂Li^(+)和K^(+)荧光粉均表现出卓越的热淬灭特性,其中当Li^(+)掺杂浓度(物质的量)为100%时,LiCaEu(WO_(4))_(3)荧光粉的热淬灭特性最佳。以上研究结果均表明Na_(1-x)M_(x)CaEu(WO_(4))_(3)(M=Li,K)红色荧光粉在大功率近紫外激发的白光发光二极管中具有潜在的应用价值。

摘要： 高温固相反应法制备了系列Li2y-7 Sr4-1.5 x Eux(MoO4)y纳米荧光粉.XRD结果表明,铕、锂离子的掺入对样品晶体结构影响甚微,但SEM图像表明掺杂锂离子后,荧光粉颗粒平均尺寸变小.激发谱显示存在着396和466 nm两个强的激发峰.Sr4-1.5 x Eux(MoO4)4荧光粉在两种激发条件下,均获得强的617 nm红光,CIE坐标分别为(0.663,0.320)和(0.672,0.327).研究了荧光粉光致发光强度随掺铕和锶浓度的变化,优化浓度比为1.8:1.3.讨论了Li+浓度对Sr4-1.5 x Eux(MoO4)4荧光粉发光谱的影响,优化掺锂浓度为2 mol％.

摘要： 高温固相反应法制备了系列Li_(2y-7)Sr_(4-1.5x)Eu_(x)(MoO_(4))_(y)纳米荧光粉.XRD结果表明,铕、锂离子的掺入对样品晶体结构影响甚微,但SEM图像表明掺杂锂离子后,荧光粉颗粒平均尺寸变小.激发谱显示存在着396和466 nm两个强的激发峰.Sr_(4-1.5x)Eu_(x)(MoO_(4))_(4)荧光粉在两种激发条件下,均获得强的617 nm红光,CIE坐标分别为(0.663,0.320)和(0.672,0.327).研究了荧光粉光致发光强度随掺铕和锶浓度的变化,优化浓度比为1.8∶1.3.讨论了Li^(+)浓度对Sr_(4-1.5x)Eu_(x)(MoO_(4))_(4)荧光粉发光谱的影响,优化掺锂浓度为2 mol%.

摘要： 采用高温固相反应法合成了Zn2 GeO4:xMn2+系列绿色长余辉磷光粉.XRD分析结果表明,掺锰磷光粉的主要衍射峰位与锗酸锌晶体标准卡基本一致,但略有红移.SEM照片显示,相对于Zn2 GeO4基质平均粒径而言,掺锰磷光粉的颗粒尺寸均增大.在325 nm紫外光激发下,Zn2 GeO4:Mn2+发射出强的530 nm绿光,优化掺锰离子浓度为0.5％.同时发现Zn2 GeO4:0.2Mn2+磷光粉暗场条件下的余辉时间超过180 min,详细讨论了Zn2 GeO4:Mn2+长余辉发光的内在机理.

摘要： 采用射频等离子体辅助分子束外延法制备高品质ZnO单晶薄膜,利用离子注入技术向ZnO单晶薄膜中注入不同注量的Sb离子,并对样品进行了氧气氛退火处理.利用高分辨双晶X射线衍射技术、RBS背散射/沟道技术以及低温光致发光光谱测试对注入Sb离子后样品的结构和光学性能进行了表征,结果表明:低注量下注入离子对ZnO薄膜结晶品质影响不大,带边发光稍有减弱;当掺杂注量达到1015cm^-2时,离子注入产生了一定量的晶格损伤,同时带边发光被完全抑制.氧气氛下退火后ZnO薄膜发光恢复,带边发光峰主要为受主能级和锌空位发光,表明退火后在ZnO单晶薄膜中形成了(SbZn-2VZn)受主缺陷复合体,有望通过Sb掺杂实现ZnO的p型转化.

摘要： ZnTe:O高失配合金半导体是实现中间带太阳电池的有效途径,其制备通过如下几步实现:1)分子数外延(MBE)设备进行ZnTe单晶生长;2)将分子束外延制备的单晶ZnTe进行离子束注入;3)通过快速激光退火处理来实现ZnTe晶体质量的提升,修复晶格损伤.MBE所获得的最优晶体质量的条件是Zn源温控制在260°C,Te源温控制在290°C.掺杂O为1.25×1021cm-3时,所获得的中间带效果最好,并且在经过激光快速退火处理后,中间带的强度显著提升.%ZnTe:O highly mismatched alloys is an effective way to achieve intermediate band solar cell.The fabrication of ZnTe:O is as follows:(a) the growth of ZnTe single crystal by molecular beam epitaxy;(b) the implantation of O ions to ZnTe;? the rapid annealing by pulsed laser to improve the quality of ZnTe single crystal and repair the crystal damage.The best condition to get ZnTe with high quality is to fix the temperature of Zn and Te at 260 °C and 290 °C,respectively.When the O concentration is 1.25 × 1021 cm-3,the intermediate band reaches its peak and its intensity is obviously enhanced after the pulsed laser annealing.

摘要： 通过同一次热蒸发实验在三种完全不同的衬底上(石英,铜箔和单晶硅)制备了不同的ZnO纳米结构材料,采用X射线衍射仪,扫描电子显微镜,拉曼光谱仪和光致发光谱仪分别分析ZnO纳米结构材料的形貌和光学性质.结果显示,在3种不同衬底上的样品具有不同的形貌,这些形貌分别是无定形状、梳状和棒状.光致发光谱结果表明,ZnO纳米结构材料在紫外(380～390 nm)、蓝光(470～490 nm)、绿光(500～550 nm)和橙光(610 ～620 nm)有发光中心带.初步可以判断,衬底的材料类型对ZnO纳米结构和光学特性有非常重要的影响.

摘要： 采用溶液法在覆载有种子层的导电玻璃上制备了氧化锌纳米棒阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)研究了样品的结构形貌和光学性质.结果表明:当生长液浓度较高时,氧化锌纳米棒阵列容易发生堆叠.随着生长液浓度的降低,纳米棒阵列变疏松,取向性增强;XRD结果显示各样品的(002)衍射峰都较强,如果反应液浓度降低,取向性会受到影响,与SEM结果吻合;溶液法制备的氧化锌纳米棒有优良的光致发光特性,其PL光谱由激子峰和缺陷峰组成.当生长液浓度较低时,激子峰和缺陷峰都比较弱;随着生长液浓度的增加,激子峰和缺陷峰的强度均先增大后减小,即存在一个最佳浓度;氧化锌纳米棒的取向对发光有一定影响.

摘要： 本文报道了1种新形态的GaN低维纳米材料--镊子状纳米GaN的合成及其新颖的光致发光特性.首先,对单晶MgO基片表面进行化学刻蚀,使其表面形成规则的小山峰样突起结构.随后,通过金属镓与氨气反应,在经上述特殊处理后的立方MgO单晶基片上,首次成功地合成出镊子状纳米GaN.场发射扫描电镜、能量损失谱、X-Ray衍射、透射电镜及选区电子衍射结果表明:镊子状纳米GaN是由底部的1根直径大约为100nm～150nm的纳米棒和上部的2根直径大约为40nm～70nm的纳米针组成;纳米镊子是具有立方闪锌矿结构的GaN单晶.光致发光谱研究表明,镊子状纳米GaN在450nm左右有1个宽的强发光峰,该发光峰处于蓝带发光区.此外,在418nm,450nm及469nm处各有1个劈裂峰.

摘要： 在本文中,通过使用具有双极性功能团的疏基乙酸(MPA),在水溶液中合成了ZnCdSeS量子点和金纳米颗粒的复合结构.ZnCdSeS量子点和金颗粒的吸收峰都位于520nm.可以观察到这种复合结构的光致发光强度会随着加入的金颗粒的量以及溶液的pH值而产生影响.通过增强的光致荧光效应我们证明了表面等离子共振(LSPR)液的pH=8.5时,光致荧光增强现象最明显.由于LSPR的影响使得量子点-金颗粒复合结构光致荧光增强的现象可以在生物成像和探测器方面得以应用.

摘要： 将铒离子注入到含有纳米硅晶的SiO2层中，发现纳米硅晶经1100°C退火处理可得到较强的光致发光光谱。掺铒纳米晶的光致发光随着退火温度的升高逐渐增强，认为较高的退火温度可减少非晶硅层，降低激发态铒离子与非晶硅间的能量背迁移，抑制了温度淬灭现象。

摘要： 本文研究了多孔硅的制备条件,对其制备方法、表面形态、发生特性以及发光机理等方面的性能进行深入研究,对其影响因素进行了重点分析.

摘要： 为了满足场发射平板显示器对低压荧光粉形貌、发光效率、发光色纯度等方面的要求,本文采用并流沉淀法制备出了氧化锌纳米粉,并对并流沉淀法制备工艺进行了探索和优化.同时,在优化制备工艺的基础上,对ZnO纳米粉进行了Ag(CH3COO)掺杂.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外分光光度计、荧光光谱(PL)等仪器对掺杂前后的粉体进行检测及表征.研究掺杂对ZnO纳米粉紫外光吸收和光致发光特性的影响.研究结果表明与纯Zn0纳米粉相比较,Ag(CH3COO)掺杂引起了Zn0纳米粉紫外光吸收峰的红移,吸收强度增大.在光致发光方面,Ag(CH3COO)掺杂引起了发光峰位的蓝移,掺杂量越多,蓝移程度越大.

摘要： 本发明涉及一种硫化锌发光材料及其制造方法。另外，本发明还涉及一种安全文件或价值文件、安全标记及其探测方法。根据本发明的发光材料可以作为能通过电场激励的电致发光体，由此可在光谱的蓝色和/或绿色范围内发射电致发光。发光材料还可通过波长范围在345nm与370nm之间的UV辐射激励，由此，发光材料在光谱的蓝色范围内发射光致发光。发光材料还可通过波长范围在310nm与335nm之间的UV辐射激励，由此，发光材料在光谱的绿色范围内发射光致发光。

摘要： 本发明属于纳米技术制备领域，涉及一种兼有光致发光和化学发光特性的CuInS2@ZnS纳米材料的制备方法。以DL‑硫辛酸和柠檬酸钠为稳定剂，氯化铜、氯化铟、硫化钠、醋酸锌和硫脲为原料制备水溶性CuInS2@ZnS纳米材料。本发明为一锅法合成，所需原料廉价易得，合成装置简单，条件温和，操作安全。所得CuInS2@ZnS纳米材料水相单分散性能好、稳定性好，能够产生的光致发光和化学发光辐射。

摘要： 本发明涉及一种研究光致发光溶液发光强度对温度敏感特性的实验系统，用于实现标定过冷状态下发光强度与温度对应关系的测试。本申请首次提供了一种光致发光实验装置，专应用于测试平台。本申请提供的测试平台，用于标定过冷状态下光致发光溶液发光强度与温度对应关系，能够为利用光致发光溶液发光强度对温度敏感的特性测温的新型测温技术在受过冷水滴结冰威胁的装置的结冰和冰融化过程中的温度测量研究，首次提供获取标定用的不同温度过冷状态下的光致发光溶液发光强度与温度对应关系的测试平台，该测试平台结构精巧，各子单元间相互配合密切，自动化，工作性能可靠，参数调节方便，可实施性强。

摘要： 本发明涉及一种光致发光组合物(“磷光体墨水”)，其包括透光液体粘结剂中的可由蓝光(380nm到480nm)激发的至少一种磷光体材料的颗粒悬浮液，其中至少一种磷光体材料对粘结剂材料的配重负载在40％到75％的范围中。所述粘结剂可为可UV固化、可热固化、溶剂基或其组合且包括聚合物树脂、单体树脂、丙烯酸、硅酮或氟化聚合物。所述组合物可进一步包括悬浮于所述液体粘结剂中的光反射材料的颗粒。本发明揭示利用所述组合物的光致发光波长转换组件、固态发光装置、发光标牌表面及发光标牌。

摘要： 本申请提供了一种光致发光树脂组合物、光致发光膜、透明显示膜和光致发光器件。该组合物包括：树脂，树脂为带苯环的丙烯酸酯类树脂或带苯环的聚氨酯树脂；有机光致发光材料，用量为树脂重量的0.1～5％；分散剂，用量为树脂重量的0.1％～5％；以及溶剂，用量为树脂重量的50～200倍。在分散剂作用下，发光材料可在树脂中有较好的分散性，有利于后续成膜的光学性能；同时，通过各组分用量的控制，调整该组合物后续固化形成的聚合物的分子量，使其成膜性能较好，因此应用在光致发光器件中时保证器件的透光率和雾度等光学性能。另外，采用有机光致发光材料，相对于现有技术中使用量子点的方案其成本大大降低。

摘要： 本发明的实施例提供一种胶态光致发光非晶形多孔硅粒子悬浮液、制造胶态光致发光非晶形多孔硅粒子悬浮液的方法、使用胶态光致发光非晶形多孔硅粒子悬浮液的方法等等。制造胶态光致发光多孔硅粒子悬浮液的方法包含：使用第一超声波能量从衬底去除多孔硅层以形成在悬浮液中的第一多个胶态多孔硅粒子；和使第一多个多孔硅粒子曝露于第二超声波能量以形成在悬浮液中的第二多个多孔硅粒子，其中第二多个胶态多孔硅粒子处在非晶相中。

摘要： 本发明涉及一种硫化锌发光材料及其制造方法。另外，本发明还涉及一种安全文件或价值文件、安全标记及其探测方法。根据本发明的发光材料可以作为能通过电场激励的电致发光体，由此可在光谱的蓝色和/或绿色范围内发射电致发光。发光材料还可通过波长范围在345nm与370nm之间的UV辐射激励，由此，发光材料在光谱的蓝色范围内发射光致发光。发光材料还可通过波长范围在310nm与335nm之间的UV辐射激励，由此，发光材料在光谱的绿色范围内发射光致发光。

摘要： 本发明涉及一种研究光致发光溶液发光强度对温度敏感特性的实验系统，用于实现标定过冷状态下发光强度与温度对应关系的测试。本申请首次提供了一种光致发光实验装置，专应用于测试平台。本申请提供的测试平台，用于标定过冷状态下光致发光溶液发光强度与温度对应关系，能够为利用光致发光溶液发光强度对温度敏感的特性测温的新型测温技术在受过冷水滴结冰威胁的装置的结冰和冰融化过程中的温度测量研究，首次提供获取标定用的不同温度过冷状态下的光致发光溶液发光强度与温度对应关系的测试平台，该测试平台结构精巧，各子单元间相互配合密切，自动化，工作性能可靠，参数调节方便，可实施性强。

摘要： 本发明属于纳米技术制备领域，涉及一种兼有光致发光和化学发光特性的CuInS2@ZnS纳米材料的制备方法。以DL‑硫辛酸和柠檬酸钠为稳定剂，氯化铜、氯化铟、硫化钠、醋酸锌和硫脲为原料制备水溶性CuInS2@ZnS纳米材料。本发明为一锅法合成，所需原料廉价易得，合成装置简单，条件温和，操作安全。所得CuInS2@ZnS纳米材料水相单分散性能好、稳定性好，能够产生的光致发光和化学发光辐射。

摘要： 本发明涉及一种光致发光组合物(“磷光体墨水”)，其包括透光液体粘结剂中的可由蓝光(380nm到480nm)激发的至少一种磷光体材料的颗粒悬浮液，其中至少一种磷光体材料对粘结剂材料的配重负载在40％到75％的范围中。所述粘结剂可为可UV固化、可热固化、溶剂基或其组合且包括聚合物树脂、单体树脂、丙烯酸、硅酮或氟化聚合物。所述组合物可进一步包括悬浮于所述液体粘结剂中的光反射材料的颗粒。本发明揭示利用所述组合物的光致发光波长转换组件、固态发光装置、发光标牌表面及发光标牌。