化学气相沉积法
化学气相沉积法的相关文献在1987年到2022年内共计672篇,主要集中在一般工业技术、化学工业、无线电电子学、电信技术
等领域,其中期刊论文403篇、会议论文157篇、专利文献496712篇;相关期刊214种,包括中国学术期刊文摘、材料导报、材料科学与工程学报等;
相关会议112种,包括第十二届全国新型炭材料学术研讨会、2015中国珠宝首饰学术交流会、第五届中西部地区理化检验学术年会暨实验室主任经验交流会等;化学气相沉积法的相关文献由1982位作者贡献,包括许并社、王存景、刘旭光等。
化学气相沉积法—发文量
专利文献>
论文:496712篇
占比:99.89%
总计:497272篇
化学气相沉积法
-研究学者
- 许并社
- 王存景
- 刘旭光
- 韩高荣
- 刘芙
- 吕伟桃
- 张孝彬
- 张海燕
- 曾葆青
- 朴万成
- 李成哲
- 李权星
- 杨英惠(摘译)
- 梁宸
- 王宏刚
- 王晓敏
- 苑执中
- 金上万
- 金哲男
- 陆太进
- 陈改荣
- 黄宇哲
- 刘云圻
- 孙方宏
- 宋中华
- 张华知
- 李凤仪
- 李昱
- 杨永珍
- 王鑫
- 章海霞
- 蔡以超
- 袁霞
- 重富利幸
- 铃木和治
- 陈建
- 龚勇
- 何泽召
- 兰延
- 冯庆荣
- 冯志红
- 刘庆彬
- 刘朗
- 姚延立
- 孙文晶
- 孙言飞
- 安玉良
- 岳红彦
- 张伯乐
- 张健
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岳彩珍;
尹杰;
任红涛
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摘要:
二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)由于其独特的性质,而受到了人们的广泛关注。其中,二硫化钼作为一种典型的过渡金属硫族化合物,它具有优异的光电性能,其在光电子器件和柔性电子器件等方面有巨大的应用潜力。到目前为止,控制二硫化钼的尺寸、形态、层数和晶格取向仍然是一个巨大的挑战。化学气相沉积(CVD)是一种制备过渡金属硫化物的重要方法,研究人员发现生长基底对其横向尺寸、成分、厚度,晶体取向和晶体质量都有着很大的影响。本文首先介绍了二维过渡金属硫化物的性质,然后总结了使用各种基底在CVD体系中合成二硫化钼的物理及化学性质。
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李搛倬;
传秀云;
杨扬;
刘芳芳;
齐鹏越
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摘要:
能源与环境是当今社会发展的两大重要问题。随着化石能源的枯竭和环境污染的日益严重,寻找清洁的替代能源已成为当今社会的普遍共识,新型能源储存和转换器件,如二次锂/钠电池和超级电容器等成为研究热点,而合适的电极材料是提升其电化学性能和实现其产业化的关键。二硫化铁(FeS_(2))是一种具有高理论比容量的过渡族金属硫化物,在自然界以黄铁矿的形式存在,储量丰富、分布广泛、环保无毒,目前在商用高能Li-FeS_(2)一次电池中得到了产业化应用并大量投放市场,而且在二次锂/钠电池和超级电容器等新型储能器件上展现出极大的潜力,成为新能源产业研究的重点和热点。目前FeS_(2)的储能研究主要包括两个方面:化学合成法制备FeS_(2)和天然FeS_(2)的加工处理。但是,FeS_(2)电导率较低和循环过程中稳定性较差是其在储能应用中亟待解决的问题。FeS_(2)的纳米设计是目前提升其电化学性能的主要途径。本文介绍了FeS_(2)的晶体结构,简要叙述了纳米黄铁矿型FeS_(2)的制备方法,包括化学合成纳米FeS_(2)和天然黄铁矿的加工;此外,简要综述了纳米FeS_(2)在锂/钠电池和超级电容器中的储能机理及研究进展。
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向茂乔;
耿玉琦;
朱庆山
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摘要:
氮化硅(Si_(3)N_(4))具有优异的物化性能,在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位。高质量粉体是制备高性能Si_(3)N_(4)陶瓷的首要前提。通常高质量Si_(3)N_(4)粉体需要满足粒径细、分布窄、α相含量高、杂质含量低等条件。基于合成反应体系综述了当前国内外制备Si_(3)N_(4)粉体的方法,着重从强化传热与传质角度介绍了改善粉体质量的研究进展,并介绍了当前工业生产现状,展望了高质量Si_(3)N_(4)粉体制备技术的发展趋势和方向。
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吕伟桃;
毛静静;
梁宸;
李嘉惠;
莫德禧;
元德侃
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摘要:
以含氟丙烯酸酯功能单体和硅烷为原料、无水乙醇为溶剂、氩气为工艺气体,经等离子体化学气相沉积在表面绝缘阻抗(SIR)测试板和无尘布上制得硅氟薄膜。探讨了硅烷种类和用量、含氟单体用量对镀硅氟薄膜试件性能的影响。结果表明,采用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH 570)、γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH 550)和乙烯基三甲氧基硅烷(A171)的镀硅氟薄膜SIR测试板的静态水接触角分别为136.0°、135.6°和135.7°,摩擦200次后分别下降了7.5°、10.2°和11.9°,通电时间分别为30 min、5 min和3 min,表面粗糙程度逐渐降低;随着KH 570用量由0.2份增加到5份,镀硅氟薄膜SIR测试板的通电时间从8 min逐渐延长至33 min;随着含氟单体用量从78份升至93份,镀硅氟薄膜无尘布的静态水接触角从126°升至154°。硅烷选择KH 570较佳,KH 570的较佳用量为2份,含氟丙烯酸酯功能单体的较佳用量为90份,此时镀硅氟薄膜SIR测试板的静态水接触角为136.0°,通电时间为30 min。
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张祎辰;
王肖剑;
张明锦;
冯晴亮
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摘要:
近年来,随着单层石墨烯的发现,二维(Two-dimensional,2D)材料逐渐引起人们的重视,特别是二维过渡金属硫族化合物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)由于其独特的结构和光电性能被广泛研究并取得许多成果。其中,二硫化铂(PtS_(2))因具有带隙可调(体层0.25 eV到单层的1.75 eV)、高迁移率(1000 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1))等诸多性质引起学者们的广泛关注。本文介绍了PtS_(2)的原子结构等基本特性,归纳了目前以机械剥离法、化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)法为主要制备方法制备PtS_(2)的特点,并分析了PtS_(2)能带结构与晶格振动等物性特点,阐述了PtS_(2)在场效应晶体管、光电探测器、光催化等领域取得的成果。最后对该材料目前还存在的问题进行分析与讨论,并对其未来的进一步发展进行了展望。
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吴建飞;
袁红梅;
夏林敏;
赵红艳;
林金国;
李吉庆
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摘要:
低温等离子体改性技术是一种常用的材料改性手段,它是通过电离气体产生大量的带能粒子和各种形式的光辐射作用于材料表面,从而提高材料的疏水性、阻燃性和抗菌性等性能,达到制备具有一种或多种特定功能材料的目的。低温等离子体改性技术在材料改性中备受青睐得益于四大优势:(1)反应环境所需温度低;(2)处理效率高;(3)适用范围广;(4)不会破坏材料本身的性质。近年来,低温等离子体改性技术在生物质材料、高分子材料、金属材料等领域都有广泛的应用,其在生物质材料领域的研究尤为活跃,经低温等离子体表面处理制备的超疏水性、阻燃性等功能材料被大量报道。在高分子材料领域,低温等离子体改性法常被用于制备超疏水性塑料薄膜材料、医用抗菌性口罩、防污无纺布等。通过低温等离子体化学气相沉积法沉积后的金属具有耐腐蚀、耐磨的作用。此外,低温等离子体改性技术还在三废处理、半导体材料、电子产品、电子电路、超导材料等领域获得丰硕的研究成果。一直以来科学家对低温等离子体改性技术的应用研究远多于机理研究,这限制了其在材料改性中的发展,然而,研究低温等离子体对不同材料的作用机理对于制备所需功能材料具有指导性意义。实际上,等离子体在材料表面会发生解吸、掺杂、刻蚀、溅射和交联、表面接枝、界面聚合等一系列的物理化学反应,具体发生了何种反应与等离子体种类、材料类型、放电方式、工艺参数等密切相关。根据不同的作用机理对低温等离子体改性技术进行归类,有利于精准制备所需的功能材料。本文综述了三种不同的低温等离子体改性方法:(1)低温等离子体表面处理法;(2)低温等离子体化学气相沉积法;(3)低温等离子体接枝聚合法。结合不同材料的性质和不同的改性机理,概述了低温等离子体改性技术在超疏水性、阻燃性和抗菌性功能材料中的应用。在分析低温等离子体改性机理的基础上,总结了如何利用不同气体类型的低温等离子体制备所需的特定功能材料,并指出用低温等离子体改性技术对材料进行改性的不足之处和发展前景。
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陈伟;
吴福成;
杨鹏飞;
吴国林;
李方贤
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摘要:
为改善碳纳米管在水泥基材料中的分散性和应用问题,本研究采用化学气相沉积法在水泥颗粒表面原位合成了碳纳米管,并研究了水泥负载碳纳米管材料对砂浆力学性能的影响。结果表明,合成的碳纳米管生长于水泥颗粒表面,具有较大长径比,产量为6%(质量分数);掺入水泥负载碳纳米管材料砂浆的3d、28d抗压强度分别提高了20.7%、12.8%,抗折强度分别提高了23.1%、13.3%;在三点弯曲试验中,砂浆断裂极限荷载提高了24.9%,断裂能提高了62.7%。
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刘奇英;
薛思敏;
王彤
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摘要:
采用常压化学气相沉积(APCVD)法在SiO_(2)/Si(300 nm)衬底上制备最大尺寸为74.22μm[KG*8]的多层二硫化钨(WS_(2))薄膜,并在蓝宝石衬底上合成边缘清晰、形状规则、最大尺寸为41.89μm的WS_(2)薄膜.通过光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱仪和光致发光谱仪(PL)等对制备的样品进行表征,并结合样品的形貌尺寸分析生长温度、钨源和氯化钠(NaCl)用量比例、不同衬底等实验参数对生长WS_(2)薄膜的影响.实验结果表明:温度对APCVD生长WS_(2)薄膜影响最大,高温有助于生长高结晶质量的WS_(2)薄膜,温度越高,薄膜形状越规则;在最佳温度下,波数差越小,薄膜层数越少,晶粒缺陷越少,发光强度越高;不同温度对应的钨源和氯化钠用量比不同,加入适量的氯化钠有助于提高反应系统中钨源的过饱和度,促进反应顺利进行,更有利于WS_(2)薄膜生长;不同衬底制备WS_(2)薄膜的生长系统所需生长温度不同,在相同的实验条件下,蓝宝石衬底上所需的生长温度更高.
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赵磊;
赵鸿宇;
王新琴;
郭中华;
张正荣
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摘要:
首先利用化学气相沉积法,在300 nm SiO_(2)/Si基底上生长MoS材料,通过光学显微镜、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱及光致发光光谱等对材料进行表征,实验数据表明成功制备了高质量的单层MoS_(2)材料.其次,制备了基于单层MoS的场效应晶体管,结果表明器件的开关比约为1.0×10^(7).最后测试了器件不同温度下的电学输运特性.结果表明器件在低温(T100 K)时,器件的电学输运特性由近邻跃迁模型确定.这项工作有助于深入理解单层MoS的电学输运特性及其在各种光电器件的应用.
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马云海;
曹东学
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摘要:
碳纳米管因其优越的性能受到广泛关注。通过对比电弧放电法、激光烧蚀法、化学气相沉积法等现有主流碳纳米管生产技术的优缺点,分析碳纳米管生长机理,对比反应器形式对反应条件的影响,提出了适用于规模化生产的工艺技术。着重梳理了碳纳米管作为吸附材料、橡胶改性材料、聚合物改性材料、沥青改性材料等规模化应用的进展,分析了限制碳纳米管大规模应用的主要原因,探讨碳纳米管在炼油及石油化工领域的应用前景,以期促进碳纳米管产业链以及炼油、化工产品的高端化发展。
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吴张雄
- 《第十三届全国新型炭材料学术研讨会》
| 2017年
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摘要:
有序介孔碳材料由于具有排列规整的介孔结构、可调的孔径大小、超高的比表面积以及大的孔体积,在能源储存与转化领域具有良好的应用前景.但是,介孔碳材料碳墙壁的石墨化程度普遍较低,这导致其导电性与石墨、碳纳米管以及石墨烯等材料相比较低.为了提高其石墨化程度,人们采取了超高温处理、金属原位催化局部石墨化、采用特殊的碳源等手段,取得了很好的效果,但是其制备往往较复杂,比表面积降低,介孔结构可能会遭到破坏.因此,如何提高有序介孔碳的石墨化程度仍然是一项非常有意义的工作.另外,在石墨化碳材料中可控地引入金属纳米颗粒,可以进一步提升碳材料的功能、拓展其应用范畴.
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刁金香;
王惠
- 《中国金属学会炭素材料分会第三十一届学术交流会》
| 2017年
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摘要:
以乙醇作为碳源,Mo-Fe/C为催化剂,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管(CNTs)/C复合材料,利用SEM和TEM对其形貌和结构进行表征.同时对于CNTs/C复合材进行电化学性能测试,碳纳米管的内径3~6nm,外径20~22nm.结果表明:CNTs/C作为锂离子电池的负极材料具有较高的电池容量,经过10次循环,电池容量保持在385mA.h.g-1.
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HONG Wei-qiang;
洪伟强
- 《2017年全国玻璃科学技术年会》
| 2017年
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摘要:
本文采用常压化学气相沉积法(APCVD)法,分别以正硅酸乙酯(TEOS)及(TTIP)为前驱体,先后在玻璃板上镀制SiO2与TiO2薄膜,制得膜层结构为glass/SiO2/TiO2的光催化自洁样品,并对其光致亲水性及光催化性能进行测试.从实验结果来看,SiO2中间层的引入,成功起到阻挡玻璃中碱金属向TiO2薄膜扩散的作用,有效防止了复合中心的形成及载流子浓度的降低,有助于光致亲水性及光催化性的提高.
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刘起英
- 《2016年中国玻璃行业年会暨技术研讨会》
| 2016年
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摘要:
本文以浮法在线化学气相沉积法制备的掺杂F的SnO2(FTO)低辐射薄膜低辐射薄膜为研究对象,在钢化炉中进行后期高温处理,采用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和综合物理性能测试系统(PPMS)研究了其结构、形貌、光电性质的温度效应.通过X光电子能谱分析了薄膜中元素的分布情况,探讨了薄膜电学性能的恶化机理.研究结果表明,FTO薄膜的主要组成为非化学计量比的SnO2-x∶F(x≈0.8~0.9),是金红石结构的多晶SnO2,以(200)晶面为最明显的择优取向.FTO低辐射薄膜的高温热稳定性良好,最高耐热温度为720°C,当超过此条件时,光电性能恶化.随钢化温度的升高,薄膜表层氧的相对含量逐渐降低,FTO和SiOxCy阻挡层之间的界面扩散层中Si—O键相对含量逐渐增加,这一变化趋势与电阻率的升高一致.薄膜内部[O]/[Sn]比受高温钢化的影响较小,对导电性恶化的贡献较小.
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卢至行;
孙丽妃;
许冠辰;
焦丽颖
- 《北京真空学会2016真空学术论坛》
| 2016年
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摘要:
化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)是目前应用最广泛的制备半导体薄膜材料的方法之一,通过CVD法合成的过渡金属硫族化合物(Transition Metal Chalcogenides,TMDCs)具有厚度均匀、纯度高、缺陷少、结晶性好等优点.然而,实现CVD生长TMDCs的高产率、无损转移仍是这类材料在电子器件领域实用化上面临的主要问题.本文以水溶性聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和聚乙烯醇(PVA)的复合结构作为二维材料的转移媒介,并首次实现了CVD生长MoS2和其他二维材料的物理转移,产率高达90%,转移前后的形貌、光谱性质和电学性能得以良好保持.这一转移方法的建立,对这类二维材料的基础研究和实际应用具有重要的科学意义.
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FENG Yan-yan;
冯艳艳
- 《2015第十四届中国国际纳米科技(成都)研讨会》
| 2015年
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摘要:
分别以乙醇和乙腈为碳源采用化学气相沉积法制备碳纳米管,之后通过与商业碳纳米管相比较以研究不同碳源对所制备碳纳米管的结构及其用于超级电容器电极材料电化学性能的影响.通过低温氮气吸附/脱附、热重和拉曼等对碳纳米管的结构性质进行表征.此外,运用电化学工作站对所得碳纳米管的电化学性能进行了测试.结果表明,不同的碳源对所得碳纳米管的结构有着较大的影响,进而导致其电化学性能的差异.
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段娇娇
- 《中国金属学会炭素材料分会第三十一届学术交流会》
| 2017年
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摘要:
选择导电碳纸为基底,在碳纸一侧的表面均匀涂覆一层含有催化剂前驱体的炭黑层.以二茂铁为催化剂前驱体,二甲苯为碳源,乙二胺为氮源,采用化学气相沉积(CVD)法在炭黑层/导电碳纸基底上直接生长定向排列的氮掺杂碳纳米管阵列.通过使用扫描电子显微镜(SEM)考察了不同的反应温度,反应混合气体的载气比例、碳原子与氮原子的原子比(碳氮比)以及催化剂的浓度等工艺参数对氮掺杂碳纳米管阵列微观形貌的影响.研究表明:当反应温度为850°C,反应混合气体的载气比例为Ar∶H2=7∶1,碳氮比为20∶1,催化剂浓度为0.05g/mL时能够获得定向生长的氮掺杂碳纳米管阵列.在实验的基础上,初步探讨了炭黑层/导电碳纸基底上生长氮掺杂碳纳米管阵列的机理.
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段娇娇
- 《中国金属学会炭素材料分会第三十一届学术交流会》
| 2017年
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摘要:
选择导电碳纸为基底,在碳纸一侧的表面均匀涂覆一层含有催化剂前驱体的炭黑层.以二茂铁为催化剂前驱体,二甲苯为碳源,乙二胺为氮源,采用化学气相沉积(CVD)法在炭黑层/导电碳纸基底上直接生长定向排列的氮掺杂碳纳米管阵列.通过使用扫描电子显微镜(SEM)考察了不同的反应温度,反应混合气体的载气比例、碳原子与氮原子的原子比(碳氮比)以及催化剂的浓度等工艺参数对氮掺杂碳纳米管阵列微观形貌的影响.研究表明:当反应温度为850°C,反应混合气体的载气比例为Ar∶H2=7∶1,碳氮比为20∶1,催化剂浓度为0.05g/mL时能够获得定向生长的氮掺杂碳纳米管阵列.在实验的基础上,初步探讨了炭黑层/导电碳纸基底上生长氮掺杂碳纳米管阵列的机理.
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段娇娇
- 《中国金属学会炭素材料分会第三十一届学术交流会》
| 2017年
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摘要:
选择导电碳纸为基底,在碳纸一侧的表面均匀涂覆一层含有催化剂前驱体的炭黑层.以二茂铁为催化剂前驱体,二甲苯为碳源,乙二胺为氮源,采用化学气相沉积(CVD)法在炭黑层/导电碳纸基底上直接生长定向排列的氮掺杂碳纳米管阵列.通过使用扫描电子显微镜(SEM)考察了不同的反应温度,反应混合气体的载气比例、碳原子与氮原子的原子比(碳氮比)以及催化剂的浓度等工艺参数对氮掺杂碳纳米管阵列微观形貌的影响.研究表明:当反应温度为850°C,反应混合气体的载气比例为Ar∶H2=7∶1,碳氮比为20∶1,催化剂浓度为0.05g/mL时能够获得定向生长的氮掺杂碳纳米管阵列.在实验的基础上,初步探讨了炭黑层/导电碳纸基底上生长氮掺杂碳纳米管阵列的机理.