光致发光谱

摘要： 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术(ECR-PEMOCVD),以三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为反应的镓(Ga)源和氮(N)源,在镀钛(Ti)的金属钼(Mo)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用反射式高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)以及光致发光谱(PL谱)的测试手段,研究TMGa流量对薄膜的结晶质量,表面形貌以及光学性能。实验结果表明,TMGa流量对GaN薄膜的生长有非常大的影响,TMGa流量为1.4sccm时薄膜具有更好的结晶性,表面致密平整而且具有择优的a轴取向。室温PL谱表明,GaN薄膜具有358nm和374nm两个较强的紫外发射。

摘要： 采用常压化学气相沉积(APCVD)法在SiO_(2)/Si(300 nm)衬底上制备最大尺寸为74.22μm[KG*8]的多层二硫化钨(WS_(2))薄膜,并在蓝宝石衬底上合成边缘清晰、形状规则、最大尺寸为41.89μm的WS_(2)薄膜.通过光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱仪和光致发光谱仪(PL)等对制备的样品进行表征,并结合样品的形貌尺寸分析生长温度、钨源和氯化钠(NaCl)用量比例、不同衬底等实验参数对生长WS_(2)薄膜的影响.实验结果表明:温度对APCVD生长WS_(2)薄膜影响最大,高温有助于生长高结晶质量的WS_(2)薄膜,温度越高,薄膜形状越规则;在最佳温度下,波数差越小,薄膜层数越少,晶粒缺陷越少,发光强度越高;不同温度对应的钨源和氯化钠用量比不同,加入适量的氯化钠有助于提高反应系统中钨源的过饱和度,促进反应顺利进行,更有利于WS_(2)薄膜生长;不同衬底制备WS_(2)薄膜的生长系统所需生长温度不同,在相同的实验条件下,蓝宝石衬底上所需的生长温度更高.

摘要： 研究了卷曲量子阱红外探测器的应力状态变化及对光电性能的影响,发现拉应力使导带能级上移,压应力则使其下移,且双量子阱结构的卷曲薄膜的能带移动取决于两个量子阱的合应力变化;卷管薄膜可以有效将应力变化转变为应变,从而减小环境温度变化对能带移动的影响,提高红外器件温度稳定性;褶皱薄膜相比于卷管薄膜的量子阱具有较大的压应力,导致其光响应率较低;相同外加偏压下,卷管器件比褶皱器件的电压响应率提高约2.5倍.

摘要： 通过对常见的高温高压合成钻石进行宝石学及谱学分析研究,并与天然钻石以及化学气相沉淀法合成钻石的相应特征进行比对,发现含有金属催化剂残余包裹体、黑十字状或沙漏状生长特征是高温高压合成钻石的典型特征,具有诊断意义;而对于缺乏上述特征的样品,观察分析长波和短波紫外光下的荧光反应及样品晶格中的氮缺陷的红外光谱表征,是常规检测的必要手段;光致发光谱具有一定的诊断意义,对于有条件的实验室可深入研究应用.

摘要： 采用磁控溅射法和水热法在玻璃片上制备了具有较好光致发光性能的Sn-Al共掺杂ZnO纳米棒.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)光谱表征了样品的表面形态、晶体结构和光致发光特性.结果表明Sn掺杂促进了ZnO纳米棒的横向生长,ZnO纳米棒的直径随着Sn掺杂量的增加而增加且长度变短,结晶质量也随之下降.Sn掺杂ZnO纳米棒对紫外光区峰值强度没有明显的影响,但Sn的掺杂浓度低时会导致发光峰发生蓝移,随着Sn的掺杂浓度达到一定水平时,则观察到发光峰开始红移.在可见光区峰值强度随着Sn掺杂浓度的增加而增加.

摘要： 本工作采用自主设计的低温高压装置,在77 K的低温条件下对纤锌矿型GaN进行了高压拉曼光谱、高压光致发光(PL)光谱以及第一性原理计算研究.拉曼光谱数据表明GaN的拉曼振动模在77 K下发生蓝移约5 cm-1,但由温度引起的蓝移现象随压强的增加逐渐消失.PL光谱测量得到GaN在77 K常压下带隙为3.470 eV,并且随着压力增加带隙增大.采用第一性原理杂化泛函HSE方法,得到了同样的变化趋势.GaN的激子(ΓBX)特征峰能量随着压强的增加而增加,拟合得到77 K的条件下激子能量随压强变化关系为:E(P)=3.470+2.89×10-2 P+1.1×10-3 P2 eV.

摘要： 采用射频磁控溅射方法在蛋白质基底上成功地制备了ZnO薄膜,研究了不同靶基距、氩氧比和溅射功率条件对ZnO薄膜性质的影响.结果表明,较小的靶基距有助于ZnO薄膜的c轴择优取向生长.我们还发现,沉积于玉米蛋白质基底的ZnO薄膜存在不同程度的张应力,当Ar/(Ar+O2)为0.7时,ZnO薄膜内的张应力最小.ZnO近带边发光峰有不同程度的红移,我们认为,这是由于晶界势垒和氧空位Vo造成的.随着溅射功率的增大,薄膜生长速率显著加快,晶粒尺寸增大,ZnO的近带边发光峰位逐渐趋向于理论值.

摘要： 采用水热合成法以15 min的溅射时间,0.7 Pa的溅射压强制备的ZnO种子层玻璃片为衬底,制备出具有较好光致发光性能的Al掺杂ZnO纳米棒.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL谱)表征了样品的晶体结构、表面形貌和光致发光性能.结果表明,不同的Al掺杂浓度对于ZnO纳米棒产生了一定的影响,适当的Al掺杂使ZnO纳米棒的c轴择优取向更好,改善了ZnO的近紫外发光和蓝色发光特性.其结晶质量随着Al掺杂量的增加而降低,而且纳米棒的顶端在逐渐变细.随着Al3+浓度的增加,纳米棒的光学性能先变好后变差,在Zn2+与Al3+的浓度比为1:0.02时,纳米棒的光学性能效果最佳,紫外发光峰强度最大,并且出现了蓝移.%Al doping zinc oxide (ZnO:Al)nanorods with good photoluminescence which were made with the sputtering time of 15 min and the sputtering pressure of 0.7 Pa,were successfully synthesized by hydrothermal method with zinc oxide seed layer glass sheet as substrate.The crystal structural,surface morphology and pho-toluminescence properties of samples were measured by X-ray diffraction (XRD),scanning electron microscope (SEM)and photoluminescence (PL).XRD results indicated suitable Al doping made the growth direction of the zinc oxide nanorods along c axis (002)commendably,especially when the concentration ratio of Zn and Al was 1:0.02,the preferred orientation of zinc oxide nanorods along the c axis was the best.But in the case of in-creasing Al doping concentration,the selectivity became worse.SEM results showed that the crystal quality of zinc oxide nanorods decreased with the increase of Al content,and the top of the nanorods was becoming thin-ner,but the six angle structure still kept same.Photoluminescence showed that the band gap of zinc oxide was broadened by the incorporation of Al,and the near ultraviolet and blue luminescence properties of zinc oxide were improved.With the increase of the concentration of Al3+,the optical properties of the nanorods got better before they went poor.When the concentration ratio of Zn2+ to Al3+ was about 1:0.02,the optical properties of the nanorods are the best,meanwhile the intensity of the near UV emission light got maximum,and the blue shift occured.Different concentrations of Al doping had a certain impact on zinc oxide nanorods,and proper Al doping made the zinc oxide nanorods obtain better structure and optical properties.Meanwhile the application field of zinc oxide nanorods is broadened,which is very important for the production of optical devices.

摘要： 先用100 keV碳离子注入非晶态SiO2薄膜,再用高能Xe或Pb离子辐照对样品室温下辐照,然后用光谱仪对样品进行分析.实验结果显示,高能Xe或Pb离子的辐照能显著影响样品的发光特性,发光峰的改变与碳的注入剂量、高能离子的种类和能量以及辐照剂量密切相关,发光强度会随着高能离子的辐照剂量增加而变化,具有较大电子能损值的入射离子能更高效的导致材料的发光特性改变.发光特性的改变与薄膜内部微结构的变化有关,入射离子对应的电子能损大将会造成更大的材料损伤,从而能更显著的影响样品的发光.对离子辐照导致薄膜发光峰演化与薄膜微结构改变的关联进行了简单讨论.%Amorphous SiO2 thin films were thermally grown on single crystalline silicon.These SiO2 films were firstly implanted at room temperature (RT)with 100 keV carbon ions,then irradiated at RT by 308 MeV Xe or 853 MeV Pb ions.The variation of photoluminescence (PL)properties of these samples was analyzed using a fluorescent spectroscopy.The results showed Xe/Pb-ion irradiation can significantly modify the PL properties of C-doped a-SiO2/Si samples and the PL properties depend strongly on the C-ion implantation dose,ion energy and irradiation dose of high-energy ions.In addition,the PL efficiency of samples changes with the increase of ion energy and irradiation dose,i.g.,ions with higher value of Se can efficiently modify the PL properties of samples at the same irradiation dose.The appearance of some PL peaks is mainly due to the formation of 8 H-SiC inclusions and increase of ≡Si—Si≡ defects.The possible mechanism of the PL property variety in C-doped a-SiO2/Si samples under swift heavy ion irradiations was briefly discussed.

摘要： 近些年,InAs/GaSb II型超晶格材料很多方面的性质已经得到研究,本文中,我们利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的方法在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超品格,测得的光致发光谱和用原子力显微镜(AFM)得到的表面形貌图表明,我们制备的超晶格可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌。

摘要： 利用能量为2.5MeV的电子束沿生长方向(0001)对GaN/Al2O3异质结外延层进行电子辐照,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。辐照后,用光致发光谱(PL)进行分析,发现相对于未经辐照的样品,辐照后样品的固有中性硅施主束缚激子峰对应的强度随辐照剂量的增加而减小,峰强减小量与电子束剂量的变化呈线性关系。辐照后的样品在3.492eV处出现一个新的峰,这个峰的出现与氮空位的形成有关.经测定,氮空位的束缚能为25meV.

摘要： Gab/中与缺陷相关的黄带(YL)一般归因于从浅施主或导带到深受主的跃迁。然而，贡献于YL的深受主来源仍然处于争论之中。大量的研究表明在非故意掺杂和n型GaN中，镓空位(VGa)相关的缺陷，如VGa-ON被认为是主要的来源。相对于非故意掺杂常规和n型GaN而言，高阻GaN中YL相关的研究还非常少。本文采用光致发光谱(PL)和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。

摘要： 在高纯半绝缘材料中，材料的半绝缘性能是由材料的本征缺陷所决定，本征缺陷不仅影响载流子的输运特性，同时对浅能级杂质补偿也具有重要的作用。其中部分本征缺陷如VC、Vsi、VcVsi以及比VcCsi等本征缺陷已经通过电子顺磁共振(EPR)和光致发光谱(PL)检测到，且这些本征缺陷具有各自的高温退火行为。研究本征缺陷的退火行为有利于充分发挥材料的应用潜能。

摘要： 在油酸存在条件下,以乙酸镉和硫代乙醇酸作为反应前驱物,通过简单的溶剂热方法合成子弹头状的纤锌矿硫化镉纳米晶体,粒子长约为100～150nm、宽80～120nm。用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对产物的结构和形貌进行了表征,同时对硫化镉纳米材料的紫外吸收谱和光致发光谱(PL)性能进行了表征。实验结果表明合成的样品具有很好的发光性能。

摘要： 利用空心阴极等离子体放电在单晶硅上成功的沉积了各种形态的纳米氧化锌晶 体。在制备过程中，使用氩气作为等离子体形成气体，氧气作为反应气体，由空心阴极放电 加热蒸发高纯度锌粉。在测试过程中，利用X 射线衍射仪对晶体结构进行表征；利用电子 扫描显微镜对样品表面形貌进行描述；利用透射电子显微镜对表面形态进行更细致的分析； 利用光致发光谱对其发光性能进行测试。

摘要： 利用变温吸收光谱、光致荧光谱,对采用MOCVD(金属有机物气相沉淀法)制备的InN薄膜的光学性质进行了研究。rn 吸收光谱和光致发光谱的结果表明高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.69eV附近,与现阶段丰要报道值O.7eV一致。变温吸收光谱验证了InN带隙随温度升高的收缩效应。通过对变温光致发光光谱的S型变化的分析,证明低温下材料中的杂质导致的局域态载流子参与了光学跃迁,而随温度升高光学跃迁机制发生转变。拟合得到不同载流了浓度下的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,载流子浓度增加使杂质电子相瓦作用增强,导致局域化能量增大。

摘要： 本文采用光致发光谱和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。实验发现在非故意掺杂常规GaN中,黄带发光的强度随着镓空位(Vga)浓度的增加而增大,其表明Vga相关缺陷是非故意掺杂常规GaN中黄带发光深受主的来源。实验中也发现高阻GaN中没有Vga,但也有很强的黄带发光,甚至比非故意掺杂常规GaN更强。这表明高阻GaN中黄带发光的深受主有其它的来源,与Vga无关；碳相关的缺陷被认为该深受主的来源。此外,实验也发现在高阻GaN中,有高的刃型位错密度和短的正电子扩散长度(Ld)的样品有更强的黄带。由空穴的空间局域化(从短的Ld推知)导致的电子-空穴波函数交叠增加被认为是高阻GaN中黄带发光效率增加的非常重要的因素。

摘要： 近年来，将磁性颗粒与半导体材料复合成为了研究热点。本文采用简单、易操作、低成本以及易重复的水热法，在低温下(80°C)制备了磁性Fe/ZnO核壳复合物。从XRD谱图可知制得的样品是α-Fe和ZnO的复合物；通过TEM和FESEM对样品形貌的观察，表明α-Fe被ZnO所包裹而形成了Fe/ZnO核壳结构；XPS的结果表明有Fe3+进入了ZnO的晶格从而改变了半导体材料ZnO的发光性质。从VSM结果可知，磁性Fe/ZnO复合物具有低Hc和高Ms(小于纯铁)。该材料复合了磁性材料和半导体材料的所有特性，在医学、电学、磁学以及光学等方面具有广泛的应用前景。

摘要： 近年来，将磁性颗粒与半导体材料复合成为了研究热点。本文采用简单、易操作、低成本以及易重复的水热法，在低温下(80°C)制备了磁性Fe/ZnO核壳复合物。从XRD谱图可知制得的样品是α-Fe和ZnO的复合物；通过TEM和FESEM对样品形貌的观察，表明α-Fe被ZnO所包裹而形成了Fe/ZnO核壳结构；XPS的结果表明有Fe3+进入了ZnO的晶格从而改变了半导体材料ZnO的发光性质。从VSM结果可知，磁性Fe/ZnO复合物具有低Hc和高Ms(小于纯铁)。该材料复合了磁性材料和半导体材料的所有特性，在医学、电学、磁学以及光学等方面具有广泛的应用前景。

摘要： 本发明公开了一种在线测量发光二极管外延片光致发光光谱装置，它包括反应室和控制系统，在反应室安装有MOCVD加热器、石墨衬底基座、外延片和，MOCVD喷头，特征是：在MOCVD喷头的石英棒孔中安装有石英棒和石英棒外套；激光光纤连接在激光器和激光发射准直头之间，复用光纤连接在激发接收准直头和石英棒之间，光谱光纤连接在光谱准直头和光纤光谱仪之间；控制系统对反应室、激光器和光纤光谱仪进行控制。本发明通过人为降低外延片的温度来提高光致发光的信号强度，再通过石英棒来激发和收集光致发光光谱，并在光纤光谱仪上显示出光致发光光谱。本发明具有实时监测外延片在反应室内的生长情况、保证外延片能够正常生长、减少经济损失等优点。

摘要： 本发明涉及一种光学仪器，是一种光致发光激发光谱仪。该光谱仪由连续光谱点光源、激发单色仪、宽光谱带低反射分束镜、样品架、光电转换探测器、样品发光收集透镜和发光色散单色仪等元件组成，可以实现一种新的激发光谱-吸收归一化光致发光激发光谱(ANPLES光谱)测量。这种光谱直接反映被激发能级到被探测发光的初始能级的能量转移效率，是一种直接实验测量发光初始态能级的有力工具。非掺杂GaN薄模的黄光发射的实验结果表明了本方案的优异的效果。ANPLES光谱仪还具有吸收/透射光谱仪和发光光谱仪的功能，可以替代这两种传统的光谱仪。

摘要： 本申请提供了一种光致发光树脂组合物、光致发光膜、透明显示膜和光致发光器件。该组合物包括：树脂，树脂为带苯环的丙烯酸酯类树脂或带苯环的聚氨酯树脂；有机光致发光材料，用量为树脂重量的0.1～5％；分散剂，用量为树脂重量的0.1％～5％；以及溶剂，用量为树脂重量的50～200倍。在分散剂作用下，发光材料可在树脂中有较好的分散性，有利于后续成膜的光学性能；同时，通过各组分用量的控制，调整该组合物后续固化形成的聚合物的分子量，使其成膜性能较好，因此应用在光致发光器件中时保证器件的透光率和雾度等光学性能。另外，采用有机光致发光材料，相对于现有技术中使用量子点的方案其成本大大降低。

摘要： 本发明的实施例提供一种胶态光致发光非晶形多孔硅粒子悬浮液、制造胶态光致发光非晶形多孔硅粒子悬浮液的方法、使用胶态光致发光非晶形多孔硅粒子悬浮液的方法等等。制造胶态光致发光多孔硅粒子悬浮液的方法包含：使用第一超声波能量从衬底去除多孔硅层以形成在悬浮液中的第一多个胶态多孔硅粒子；和使第一多个多孔硅粒子曝露于第二超声波能量以形成在悬浮液中的第二多个多孔硅粒子，其中第二多个胶态多孔硅粒子处在非晶相中。

摘要： 本发明记载了一种专用光致发光光谱测量的CCD光谱仪，包括入射狭缝、准直镜、光栅、成像反射镜以及CCD探测器；在CCD探测器与成像反射镜之间设置有伸缩式陷光挡板，且陷光挡板为低反射率挡板。由于采用了上述技术，本发明通过在现有光谱仪的CCD探测器面前增加一个陷光用的陷光挡板，该陷光挡板的位置可以根据激发峰的波长进行位置调节以确保该激发峰被挡住，而仅通过发射峰。此时，可以对发射峰进行重新曝光，以便增加曝光时间，由于激发峰被遮挡使得曝光时间可以加长，从而形成更高的饱和度，并增加光谱的测量质量，此时信号的信噪比远远高于有激发峰一同存在情况下的发射谱光谱信号，从而达到了准确测量低量子效率物质等目的。

摘要： 本发明提供了一种基于紫外光激发的全光谱光致发光光谱检测系统，所述系统包括探测器、影像校正光谱仪、入射狭缝、汇聚透镜、瑞利散射滤光片、聚焦物镜、样品以及激光器，所述的系统还包括设置在瑞利散射滤光片与聚焦物镜之间的硅片。所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。在本发明的优选实施方式中，第一部件为圆形环，第二部件沿所述的圆形环的径向延伸，且第二部件的两端与圆形环相接，第三部件设置在第二部件的中心。通过由采用特殊工艺制成的硅片替换现有光致发光光谱检测系统中的二向色镜，实现了荧光的光谱范围不受任何限制，全波段通光，克服了现有技术中的光致发光光谱检测系统无法检测更宽波段的技术问题。

摘要： 本发明公开一种用于检测物质的拉曼和光致发光光谱并借助物质的拉曼和/或光致发光光谱特性鉴定物质的装置和方法。该装置包括具有激光源的可替换激光源集合体、准直系统、用于接收可替换激光源集合体同时确保装置的操作而无须进一步调整准直系统或激光源的定位的插口、滤波系统、被优化以提供足以同时获得物质的拉曼和光致发光光谱的光谱分辨率和光谱范围的光分散系统、检测器和至少一个用于处理电子信号的控制器。公开且要求保护的方法用于同时获得物质的拉曼和光致发光光谱、将光谱分成基于拉曼内容和光致发光内容的分量、分析拉曼和光致发光内容以及使用一组光谱处理方法鉴定物质。

摘要： 本发明公开了一种在线测量发光二极管外延片光致发光光谱装置，它包括反应室和控制系统，在反应室安装有MOCVD加热器、石墨衬底基座、外延片和，MOCVD喷头，特征是：在MOCVD喷头的石英棒孔中安装有石英棒和石英棒外套；激光光纤连接在激光器和激光发射准直头之间，复用光纤连接在激发接收准直头和石英棒之间，光谱光纤连接在光谱准直头和光纤光谱仪之间；控制系统对反应室、激光器和光纤光谱仪进行控制。本发明通过人为降低外延片的温度来提高光致发光的信号强度，再通过石英棒来激发和收集光致发光光谱，并在光纤光谱仪上显示出光致发光光谱。本发明具有实时监测外延片在反应室内的生长情况、保证外延片能够正常生长、减少经济损失等优点。

摘要： 本实用新型记载了一种专用光致发光光谱测量的CCD光谱仪，包括入射狭缝、准直镜、光栅、成像反射镜以及CCD探测器；在CCD探测器与成像反射镜之间设置有伸缩式陷光挡板，且陷光挡板为低反射率挡板。由于采用了上述技术，本实用新型通过在现有光谱仪的CCD探测器面前增加一个陷光用的陷光挡板，该陷光挡板的位置可以根据激发峰的波长进行位置调节以确保该激发峰被挡住，而仅通过发射峰。此时，可以对发射峰进行重新曝光，以便增加曝光时间，由于激发峰被遮挡使得曝光时间可以加长，从而形成更高的饱和度，并增加光谱的测量质量，此时信号的信噪比远远高于有激发峰一同存在情况下的发射谱光谱信号，从而达到了准确测量低量子效率物质等目的。

摘要： 本实用新型提供了一种基于紫外光激发的全光谱光致发光光谱检测系统，所述系统包括探测器、影像校正光谱仪、入射狭缝、汇聚透镜、瑞利散射滤光片、聚焦物镜、样品以及激光器，所述的系统还包括设置在瑞利散射滤光片与聚焦物镜之间的硅片。所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。在本实用新型的优选实施方式中，第一部件为圆形环，第二部件沿所述的圆形环的径向延伸，且第二部件的两端与圆形环相接，第三部件设置在第二部件的中心。通过由采用特殊工艺制成的硅片替换现有光致发光光谱检测系统中的二向色镜，实现了荧光的光谱范围不受任何限制，全波段通光，克服了现有技术中的光致发光光谱检测系统无法检测更宽波段的技术问题。