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二硫化钨

二硫化钨的相关文献在1995年到2022年内共计520篇,主要集中在化学工业、一般工业技术、化学 等领域,其中期刊论文111篇、会议论文11篇、专利文献466247篇;相关期刊83种,包括技术与市场、东华大学学报(自然科学版)、功能材料等; 相关会议10种,包括中国电子学会电子制造与封装技术分会电镀专家委员会第十七届学术年会、第七届全国青年表面工程学术会议暨重庆市第二届汽车摩托车摩擦学材料先进技术与应用推进会、2014年全国青年摩擦学学术会议等;二硫化钨的相关文献由1185位作者贡献,包括李嘉胤、黄剑锋、曹丽云等。

二硫化钨—发文量

期刊论文>

论文:111 占比:0.02%

会议论文>

论文:11 占比:0.00%

专利文献>

论文:466247 占比:99.97%

总计:466369篇

二硫化钨—发文趋势图

二硫化钨

-研究学者

  • 李嘉胤
  • 黄剑锋
  • 曹丽云
  • 罗晓敏
  • 王芳敏
  • 张向华
  • 吴尔京
  • 叶霞
  • 王蓉
  • 常焜
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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年份

    • 靳延平; 卢春辉; 赵奇一; 徐新龙
    • 摘要: 利用液相剥离法制备了WS_(2)纳米片,结合真空抽滤技术,控制上清液体积制备了不同厚度的WS_(2)薄膜。在此基础上,使用800 nm飞秒激光的Z扫描技术表征了WS_(2)纳米薄膜的三阶非线性吸收特性。研究发现,制备的不同厚度的WS_(2)都表现出可饱和吸收特性,可饱和吸收主要是由于单光子吸收所引起的泡利阻塞效应引起;随着厚度的增加,饱和强度基本不变,调制深度会有所提高,但是三阶非线性极化率虚部的绝对值和品质因子会降低。这主要是因为较厚的薄膜缺陷更多,更容易捕获光生载流子,从而三阶非线性吸收和厚度有一定的依赖关系。可饱和吸收可以用于调Q激光器以及锁模激光器,为WS_(2)薄膜在超快开关和超快激光的应用提供实验支持。
    • 张文林; 刘琨; 江俊峰; 徐天华; 王双; 张炤; 井建迎; 马金英; 刘铁根
    • 摘要: 提出了一种具有增强灵敏度的锥形光纤二硫化钨(WS_(2))-金(Au)表面等离子体共振(SPR)传感器。通过传输矩阵方法对传感器进行了理论模拟,评估了传感器的可行性。在锥形光纤上依次涂覆WS_(2)和溅射金膜进行传感实验,该传感器的实验折射率灵敏度可达4158.171 nm/RIU,比多模光纤SPR传感器提高了125.8%,比锥形光纤Au-WS_(2)SPR传感器提高了50.1%。此外,该传感器中的WS_(2)不易脱落,表现出良好的可靠性。该传感器结构简单、易于制造,具有高的折射率灵敏度,在生化传感领域具有良好的应用前景。
    • 郭文恺; 郑晓华; 黄寅迪; 杨芳儿; 郑晋翔
    • 摘要: 在化学镀镍过程中共沉积纳米二硫化钨(WS2)和六方氮化硼(h-BN)颗粒,制备了Ni-P-BN(h)-WS2复合镀层,并在400°C保护气氛中热处理1 h。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、摩擦磨损试验机等对镀层的成分、微观结构及摩擦学性能进行了表征。结果表明,随着镀液中WS2用量的增加,镀态镀层中WS2的含量几乎线性上升,BN的含量则先增大而后逐渐减小,表面胞状结构有变粗趋势,镀态镀层的显微硬度由620 HV降至480 HV,与Si_(3)N_(4)陶瓷球之间的摩擦因数由2.27降至1.92,耐磨性呈现先降后升的趋势。400°C热处理后,镀层发生晶化而析出Ni和Ni_(3)P结晶相。随着镀液中WS2含量的增加,镀层的显微硬度由868 HV降至687 HV,与陶瓷球的摩擦因数从1.90降至1.18,耐磨性与镀态相比显著提高。镀液中WS2含量为2.5 g/L的复合镀层热处理后拥有低的摩擦因数和磨损率,综合摩擦学性能好。
    • 朱金童; 曹阳; 涂进春; 张垠; 王洁琼
    • 摘要: 为了实现大面积、高质量二硫化钨(WS_(2))单层膜的可控制备,对双功能钨源制备硫化钨单层膜的机理进行了研究。通过两步化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法,以具有双功能的钠盐钨酸钠二水合物(Na_(2)WO_(4)·2H_(2)O)为钨源、硫粉(S)为硫源,制备出高质量、大面积的WS_(2)单层膜,并对其形貌和结构进行了表征。同时,通过对生长温度与载气种类的阶段性调控,阐述了WS_(2)单层膜的3个生长步骤(成核、扩展与融合和成形)及其生长机理。研究发现:钨酸钠在730°C的熔融态温度下,将保护性气体高纯氩(Ar)更换为还原性气体氩氢(Ar/H_(2))混合气,将促进钨源与硫源的结合以及WS_(2)薄膜的形成。在1050°C保温结束后重新换回高纯Ar,可以阻止Ar/H_(2)混合气中的氢气(H_(2))对WS_(2)单层膜及SiO_(2)/Si衬底的进一步刻蚀,从而获得高质量的二硫化钨单层膜。
    • 叶鑫林; 游冠军
    • 摘要: 采用太赫兹散射式扫描近场光学显微镜(THz s-SNOM)研究了化学气相沉积法制备的单层MoS_(2)和WS_(2)晶粒的太赫兹近场响应。在没有可见光激发时,未探测到可分辨的太赫兹近场响应,说明晶粒具有较低的掺杂载流子浓度。有可见光激发时,由于光生载流子的太赫兹近场响应,能够测得与晶粒轮廓完全吻合的太赫兹近场显微图。在相同的光激发条件下,MoS_(2)的太赫兹近场响应强于WS_(2),反映了两者之间载流子浓度或迁移率的差异。研究结果表明,THz s-SNOM兼具超高的空间分辨率和对光生载流子的灵敏探测能力,对二维半导体材料和器件光电特性的微观机理研究具有独特的优势。
    • 何燕; 向硕; 刘璇; 杨鑫; 王川
    • 摘要: 复合钛基润滑脂是一类较有前景的新型润滑脂,在优化复合钛基润滑脂工艺的基础上,利用Rtec多功能摩擦磨损试验机等,考察不同粒径及不同添加量的二硫化钨添加剂对复合钛基润滑脂基本理化性能及摩擦学性能的影响。研究表明:粒径为80 nm左右的二硫化钨能明显改善复合钛基润滑脂的抗磨性能。二硫化钨不同的添加比例对基础脂性能也存在影响,当添加比例为5%(质量分数)时,复合钛基脂的摩擦系数最小、滴点最高、稠度适中,抗磨性能和理化性能均达到最佳。
    • 方红; 王德志; 吴壮志
    • 摘要: 采用高能球磨对商业二硫化钨进行活化处理,通过控制球磨工艺,制备出不同活化程度的WS_(2)析氢电催化剂。通过XRD、Raman、SEM、TEM、XPS等系列表征和电化学分析,系统研究其成分结构与电催化析氢性能。结果表明:在酸性电解液中,350 r/min球磨活化处理12 h后的WS_(2)样品表现出最佳析氢性能,其在电流密度为10 mA/cm^(2)时的过电位η_(10)为245 mV,塔菲尔斜率为141 mV/dec,远优于未球磨样品,其性能提升主要归因于球磨过程中的高能撞击产生强力剪切和剥离作用,使晶粒破碎细化,比表面积增大的同时产生大量的孔洞缺陷和空位,暴露出更多活性位点和边缘缺陷。
    • 丁超; 赵呈孝; 成石; 杨小飞
    • 摘要: 基于半导体的太阳能光催化分解水制氢技术是一种环境友好、潜力巨大的绿色氢能制造方案.常用的块体半导体材料一般具有较弱的可见光吸收、快速的光生载流子复合以及较低的光催化制氢效率等缺点.因此,设计开发具有宽光谱光吸收、稳定性好、催化活性高的太阳能光催化材料是促进光催化制氢发展的关键,也是该研究方向的挑战之一.硫化镉纳米材料是一种常见的光催化材料,虽然表现出较好的光催化产氢性能,但是其载流子复合速率较快,可见光区响应较弱,且光腐蚀现象严重.本文可控制备了一种富含1T金属相的二硫化钨纳米片,并将其作为助催化剂与一维硫化镉纳米棒进行有效耦合,成功构筑一维硫化镉/二维二硫化钨混合维度纳米异质结,高效提升了硫化镉半导体材料的光解水制氢活性和稳定性.高分辨透射电镜和元素分布结果表明,一维硫化镉纳米棒和二维二硫化钨纳米片高效耦合形成混合维度异质结;X射线光电子能谱结果表明,异质结中的Cd_(3)d_(5)/2和Cd_(3)d_(3)/2相比于纯硫化镉向高能量区移动了0.6eV,而W元素峰相比于纯硫化钨向低能量区移动了0.4eV,进一步表明一维硫化镉纳米棒和二维二硫化钨纳米片间存在较强的界面耦合作用.光电流响应、阻抗谱等光电化学测试以及原位电子顺磁共振谱的结果表明,一维硫化镉/二维二硫化钨混合维度纳米异质结具有比纯相硫化镉纳米棒更高的光生载流子浓度和更快的载流子分离传输速率.可见光激发的光催化制氢性能测试结果表明,100 mg硫化镉纳米棒与10 mg二硫化钨纳米片组装形成的纳米异质结材料(WC-10)表现出较高的光催化析氢活性和光稳定性.在可见光照射下,肉眼可见光催化体系中快速产生大量气泡,计算出的光催化产氢速率接近70 mmol·g^(-1)·h^(-1).
    • 豆振军
    • 摘要: 单层二硫化钨(WS_(2))具有约2.0e V的直接带隙,还具有优异的光电性能,是二维(2D)纳米光电子器件和光电传感器领域的重点研究对象,但晶体质量较高的单层WS_(2)的气相生长仍然具有研究价值。在此,我们提出了一种以WO_(3)为前驱体,生长单层WS_(2)纳米片的CVD方法。采用AFM、Raman和OM进行表征,测试结果证明,生长的WS_(2)薄片具有高质量的晶体结构。精确控制WO_(3)前驱体的量,可为CVD生长高质量的WS_(2)纳米片提供一种新的思路。
    • 洪慧慧; 叶佐东
    • 摘要: 为探究二维层状过渡金属硫化物的激子效应,尤其是上转换过程,以层状WS_(2)样品为例开展了研究。利用532 nm连续激光和显微拉曼技术,探究了WS_(2)晶体中X 0、X−激子态物理起源和基本物理性质。利用633 nm连续激光,实现了WS_(2)晶体的单光子上转换荧光增强,证实了其背后的双共振物理机制,即入射光与X−激子态共振,在光学声子A_(1g)、E_(2g)^(1)的辅助下跃迁至高能级X 0激子态,最后自发辐射上转换荧光。此外,进一步对双共振上转换荧光的影响因素进行了分析,包括曝光时间、温度和激发功率。拟合结果表明适当增加曝光时间、减小环境温度和增加激发功率,WS_(2)的上转换荧光效率会得到提升。
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