硫化镉

摘要： 采用钼酸铵作为钼源,硫脲作为硫源,通过水热法构建CdS纳米棒与二维MoS_(2)异质结材料,通过XRD、SEM、TEM、PL、UV-vis等技术对异质结进行表征,结果表明,片状MoS_(2)自组装形成的类球体与CdS纳米棒所形成的异质结(MoS_(2)所占质量分数分别为1%、5%、10%),能够有效提高CdS的可见光吸收强度,光生载流子与空穴得到了有效的分离,从而体现出卓越的光催化将降解性能。CdS/MoS_(2)-10%性能最优,在10 mg复合催化剂对50 mL浓度为20 mg/L罗丹明B的光催化降解实验中,降解效率能够达到99%;并且在5次循环实验中,CdS/MoS_(2)二元异质结的催化活性没有明显的衰减。

摘要： 硫化镉(CdS)因其具有良好的可见光响应能力和合适的导带位置,已被广泛应用于光催化产氢研究中。然而,单一CdS材料存在载流子复合较快及表面缺乏产氢活性位点等问题,极大地限制了其应用。在CdS表面负载助催化剂能够改善其表面的光生载流子的迁移行为,从而提升其光催化活性。在众多助催化剂中,过渡金属镍及化合物由于低成本、易合成且具有较好的析氢能力等特点而备受关注。本文主要介绍了基于CdS设计和制备的镍基光催化产氢助催化剂,阐述了其对CdS产氢活性的提升机制,最后对镍基助催化剂的发展方向进行了展望。

摘要： 磷化镍具有Ni_(3)P、Ni_(12)P_(5)、Ni_(2)P、Ni_(5)P_(4)等多种晶相,深入研究各个晶相的制备规律和稳定存在条件对开发磷化镍基催化材料至关重要。本文系统考察了磷化时间、磷化温度、Ni/P摩尔比、磷化气速和磷源种类对制备晶相的影响。结果发现,以Ni_(3)P为前体、红磷为磷源时,可以得到Ni_(5)P_(4)、Ni_(2)P、Ni_(12)P_(5)三种晶相;以次磷酸盐为磷源时只能得到Ni_(2)P和Ni_(12)P_(5)晶相。当以红磷为磷源时,反应温度是影响晶相的主要因素,磷化温度为500°C、600°C和800°C时分别得到Ni_(5)P_(4)、Ni_(2)P和Ni_(12)P_(5)晶相。将制备的Ni_(3)P、Ni_(2)P、Ni_(12)P_(5)和Ni_(5)P_(4)作为助剂,与CdS复合制备光催化复合材料,得到的4种Ni_(x)P_(y)/CdS复合材料均表现出良好的光解水制氢性能,Ni_(5)P_(4)/CdS表现出最优的产氢能力,为CdS的5.4倍。表征结果证明,引入Ni_(x)P_(y)能够有效抑制反应过程中CdS的载流子复合,提升其光解水反应活性。

摘要： 基于半导体的太阳能光催化分解水制氢技术是一种环境友好、潜力巨大的绿色氢能制造方案.常用的块体半导体材料一般具有较弱的可见光吸收、快速的光生载流子复合以及较低的光催化制氢效率等缺点.因此,设计开发具有宽光谱光吸收、稳定性好、催化活性高的太阳能光催化材料是促进光催化制氢发展的关键,也是该研究方向的挑战之一.硫化镉纳米材料是一种常见的光催化材料,虽然表现出较好的光催化产氢性能,但是其载流子复合速率较快,可见光区响应较弱,且光腐蚀现象严重.本文可控制备了一种富含1T金属相的二硫化钨纳米片,并将其作为助催化剂与一维硫化镉纳米棒进行有效耦合,成功构筑一维硫化镉/二维二硫化钨混合维度纳米异质结,高效提升了硫化镉半导体材料的光解水制氢活性和稳定性.高分辨透射电镜和元素分布结果表明,一维硫化镉纳米棒和二维二硫化钨纳米片高效耦合形成混合维度异质结;X射线光电子能谱结果表明,异质结中的Cd_(3)d_(5)/2和Cd_(3)d_(3)/2相比于纯硫化镉向高能量区移动了0.6eV,而W元素峰相比于纯硫化钨向低能量区移动了0.4eV,进一步表明一维硫化镉纳米棒和二维二硫化钨纳米片间存在较强的界面耦合作用.光电流响应、阻抗谱等光电化学测试以及原位电子顺磁共振谱的结果表明,一维硫化镉/二维二硫化钨混合维度纳米异质结具有比纯相硫化镉纳米棒更高的光生载流子浓度和更快的载流子分离传输速率.可见光激发的光催化制氢性能测试结果表明,100 mg硫化镉纳米棒与10 mg二硫化钨纳米片组装形成的纳米异质结材料(WC-10)表现出较高的光催化析氢活性和光稳定性.在可见光照射下,肉眼可见光催化体系中快速产生大量气泡,计算出的光催化产氢速率接近70 mmol·g^(-1)·h^(-1).

摘要： 通过在产乙酸混菌表面合成CdS,构建了微生物耦合CdS光催化系统,并考察了该系统对磺胺甲唑(Sulfamethoxazole,SMX)的降解性能以及降解机理。结果表明,当CdS浓度为2 mmol/L、光照强度为50 mW时,耦合系统能够在24 h内实现对2 mg/L SMX的100%去除;相比之下,单一微生物体系和CdS光催化体系的SMX去除率分别为31%和27%。在CdS浓度为0.5~4.0 mmol/L条件下,耦合系统对SMX的去除率与CdS浓度呈现正相关关系。产物分析结果表明,与单一光催化或生物降解过程相比,微生物耦合光催化降解可促使SMX转化为结构简单的降解产物——3-氨基异唑。

摘要： 为了降低CdS光生电子-空穴的复合对其光催化性能的影响,利用窄带隙半导体MoS2和有机大分子瓜环(cucurbit[n]uril,Q[n])对CdS进行改性研究.本文采用水热法合成了Q[n]/CdS-MoS2(n=6,7,8)复合光催化剂.利用FT-IR、XRD、XPS、SEM、UV-Vis和PL等手段对产物结构、形貌和光学等性质进行表征,并考察Q[n]/CdS-MoS2复合催化剂对次甲基蓝、罗丹明B和结晶紫溶液的催化降解性能.结果表明,瓜环对CdS-MoS2颗粒生长结晶起到了调控作用,Q[n]/CdS-MoS2(n=6,7,8)形成了具有花瓣状叶片的花团,催化剂表面积增大,活性位点增加,禁帝宽度减小,电子-空穴对得到I了更好的分离和迁移、Q[6]/CdS-MoS2和Q[7]/CdS-MoS2对亚甲基蓝具有良好的光催化活性,催化过程为羟基自由基原理.

摘要： 光催化分解水产氢是一种利用太阳能的理想形式。为了大规模推广光催化分解水产氢,当前急需解决的问题是制备一种低成本、不含有贵金属的光催化剂。本文通过结合P元素掺杂与MoS_(2)助催化剂的原位光沉积,制备出基于CdS纳米棒的高效且稳定的光催化体系,并用于光催化分解纯水产氢。所制得的CdS/P/MoS_(2)体系展现出比未改性的CdS更强的光催化活性和稳定性,其在蒸馏水中的光催化产氢速率达到692.9μmol/(g·h),且在波长420 nm处的表观量子效率(AQE)为0.31%。

摘要： 利用溶液中原位反应过程制备以碳纳米管为载体的硫化镉—碳纳米管纳米复合材料。通过水溶液中的氯化镉与硫代乙酰胺进行反应在碳纳米管载体上生成沉积硫化镉粒子。研究结果表明:调整反应温度条件可以控制生成硫化镉粒子的晶型,常温下有利于合成碳纳米管承载的四方相硫化镉纳米复合材料体系,加热条件下有利于合成碳纳米管承载的六方相硫化镉纳米复合材料体系。研究结果对基于纳米硫化镉的纳米复合材料的物性调控技术具有重要指导意义。

摘要： 为开发可见光响应型共价有机框架(COF)材料,以COF材料为基底构筑异质结催化剂,达到高效利用太阳能进行催化降解有机染物。首先以三醛基间苯三酚和2,5-二氨基-1,4-苯二硫酚为构筑单体,制备一种巯基功能化COF(HS-COF)作为基底材料,并利用巯基锚定Cd^(2+),然后以硫脲为硫源,通过原位生长法,实现在基底HS-COF表面原位生长CdS纳米颗粒,并利用透射电子显微镜、傅里叶红外光谱、X-射线衍射以及X-射线光电子能谱对所制备的复合材料(COF/CdS)表面的微观形貌进行表征。实验以罗丹明B(RhB)为模型污染物,在可见光照射条件下考察COF/CdS复合材料的光催化降解性能。结果表明,CdS纳米颗粒成功固载在基底COF材料表面,其对RhB降解率高达92.5%,反应速率常数为0.014 5 min^(-1),与单相COF材料、CdS纳米颗粒及物理混合COF/CdS相比,其表现出更强的可见光催化性能,这表明COF/CdS具有优异的光催化活性。此外,该异质结催化剂具有良好的稳定性,经5次循环使用后对RhB降解率仍在75%以上。

摘要： 采用溶胶凝胶法和水热法相结合的方法制备了改性多孔二氧化钛(TiO_(2)),对比分析了改性前后TiO_(2)的物相组成、微观结构和光催化性能。结果表明,细小、高分散性的硫化镉(CdS)相已成功嵌入多孔TiO_(2)(简称PT)结构中,随着改性TiO_(2)中Cd(NO_(3))_(2)浓度的提高,锐钛矿型TiO_(2)衍射峰逐渐减弱,六方相CdS的衍射峰强度逐渐增强;改性后的多孔TiO_(2)试样的比表面积、孔体积和平均孔径相较改性前都有不同程度减小,且随着Cd(NO_(3))_(2)浓度提高,改性多孔TiO_(2)试样的比表面积和孔体积逐渐减小。光照射下,改性后的多孔TiO_(2)试样的光催化效率都相较改性前多孔TiO_(2)试样和纯CdS更高,且0.03 mmolCd(NO_(3))_(2)+0.09 mmol L—半胱氨酸改性的多孔TiO试样具有最大的光降解活性和较好的光催化循环稳定性。

摘要： 课题面向高灵敏度的铜离子检测,针对纳米材料特异效应,合成3D有序介孔氧化铁/硫化镉异质结构用于太阳能驱动、实时并选择性进行活细胞内铜离子的光电化学检测.这种结构具有弯折性能优良、高比表面积、大孔径等优点,通过帮助电荷传输,提供更多有效反应位点来引起光电化学性能的显著提高.另外,引入铜离子,引起电荷传输淬灭过程,进而实现在缓冲溶液和细胞环境中灵敏的进行铜离子检测.将纳米材料生物界面引入微量铜离子中,具有实时动态检测,技术要求相对简单、灵敏度高、选择性好,检测限低的优点,为癌症诊断与治疗提供了思路与可行方案.

摘要： 用不同条件下焙烧的氮化碳与硫化镉通过共沉淀法合成硫化镉-氮化碳复合材料,并使用X射线衍射、透射电子显微镜、比表面积测定仪进行表征.氮化碳与硫化镉复合可以减少硫化镉的光腐蚀作用,从而使该复合材料具有很高的可见光催化活性.焙烧所需氮化碳的最佳材料是三聚氰胺,最适合温度是520°C.该条件下合成的复合材料对弱酸性废水的处理效果好于氧化性及强酸性废水,并且随废水浓度升高处理的效果逐渐下降.

摘要： 半导体量子点玻璃因其具有高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较高的三阶非线性极化率,在光电器件、宽带放大以及激光器的改进等方面显示出较强的优势,本文综述了量子点掺杂玻璃相关领域的最新研究进展.简单介绍了其掺杂机制,包括材料特性、制备方法,着重介绍了PbS、PbSe和CdS量子点掺杂玻璃的光谱特性的研究进展,包括吸收峰和辐射峰的波长位置以及谱的半高全宽等.最后提出半导体量子点玻璃因其高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较强的荧光发射光谱,具有广阔的发展前景,已经成为改进光电器件和激光器等方面的重要研究方向.

摘要： 半导体量子点玻璃因其具有高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较高的三阶非线性极化率,在光电器件、宽带放大以及激光器的改进等方面显示出较强的优势,本文综述了量子点掺杂玻璃相关领域的最新研究进展.简单介绍了其掺杂机制,包括材料特性、制备方法,着重介绍了PbS、PbSe和CdS量子点掺杂玻璃的光谱特性的研究进展,包括吸收峰和辐射峰的波长位置以及谱的半高全宽等.最后提出半导体量子点玻璃因其高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较强的荧光发射光谱,具有广阔的发展前景,已经成为改进光电器件和激光器等方面的重要研究方向.

摘要： 半导体量子点玻璃因其具有高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较高的三阶非线性极化率,在光电器件、宽带放大以及激光器的改进等方面显示出较强的优势,本文综述了量子点掺杂玻璃相关领域的最新研究进展.简单介绍了其掺杂机制,包括材料特性、制备方法,着重介绍了PbS、PbSe和CdS量子点掺杂玻璃的光谱特性的研究进展,包括吸收峰和辐射峰的波长位置以及谱的半高全宽等.最后提出半导体量子点玻璃因其高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较强的荧光发射光谱,具有广阔的发展前景,已经成为改进光电器件和激光器等方面的重要研究方向.

摘要： 半导体量子点玻璃因其具有高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较高的三阶非线性极化率,在光电器件、宽带放大以及激光器的改进等方面显示出较强的优势,本文综述了量子点掺杂玻璃相关领域的最新研究进展.简单介绍了其掺杂机制,包括材料特性、制备方法,着重介绍了PbS、PbSe和CdS量子点掺杂玻璃的光谱特性的研究进展,包括吸收峰和辐射峰的波长位置以及谱的半高全宽等.最后提出半导体量子点玻璃因其高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较强的荧光发射光谱,具有广阔的发展前景,已经成为改进光电器件和激光器等方面的重要研究方向.

摘要： 半导体量子点玻璃因其具有高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较高的三阶非线性极化率,在光电器件、宽带放大以及激光器的改进等方面显示出较强的优势,本文综述了量子点掺杂玻璃相关领域的最新研究进展.简单介绍了其掺杂机制,包括材料特性、制备方法,着重介绍了PbS、PbSe和CdS量子点掺杂玻璃的光谱特性的研究进展,包括吸收峰和辐射峰的波长位置以及谱的半高全宽等.最后提出半导体量子点玻璃因其高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较强的荧光发射光谱,具有广阔的发展前景,已经成为改进光电器件和激光器等方面的重要研究方向.

摘要： 半导体量子点玻璃因其具有高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较高的三阶非线性极化率,在光电器件、宽带放大以及激光器的改进等方面显示出较强的优势,本文综述了量子点掺杂玻璃相关领域的最新研究进展.简单介绍了其掺杂机制,包括材料特性、制备方法,着重介绍了PbS、PbSe和CdS量子点掺杂玻璃的光谱特性的研究进展,包括吸收峰和辐射峰的波长位置以及谱的半高全宽等.最后提出半导体量子点玻璃因其高的透明性、良好的化学稳定性以及热稳定性、较短的响应时间和较强的荧光发射光谱,具有广阔的发展前景,已经成为改进光电器件和激光器等方面的重要研究方向.

摘要： 自从1972年Fujishima和Honda发现TiO2光电催化分解水产氢以来,半导体光催化分解水产氢技术被认为是解决能源危机和环境污染问题最有效的策略之一.然而,由于TiO2的可见光吸收能力差、活性低、价格高等问题限制了其实际应用,因此寻求和发展高效的可见光催化剂具有重要意义.CdS半导体材料具有合适的带隙及导带位置,可以有效吸收可见光产生电子并将H+还原生成H2,是目前公认的较好的可见光催化产氢材料之一.然而光催化过程中CdS材料较快的电子-空穴复合速度极大降低了其效率,如何促进光催化过程中电子-空穴对的分离成为研究重点.研究表明,采用负载助催化剂、构筑异质结、表面修饰、金属/非金属元素掺杂等技术可明显提高CdS的光催化产氢性能,其中发展非贵金属助催化剂引起了广泛兴趣.近年有文献报道过渡金属硫化合物MoS2用于光催化助催化剂,可以明显提高光催化性能.目前已制备出具有不同形貌的MoS2/CdS异质材料如纳米球、纳米棒、纳米纤维等,但多数MoS2/CdS异质材料的制备采用两步法或多步法,制备工艺复杂,易引入杂质,阻碍了其实际应用.因此,发展简单温和的一步法制备具有新颖形貌的MoS2/CdS异质材料具有重要意义.本文采用简单的一步水热法制备了一种新颖的柳枝状MoS2/CdS异质材料.采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱、紫外-可见漫反射吸收光谱和氮气吸附-脱附测试对所得样品进行了表征.结果表明,制备的柳枝状MoS2/CdS异质材料具有核壳结构,两者之间形成紧密的异质结.光催化性能测试表明,制备的MoS2/CdS异质材料相比纯相CdS产氢性能明显提高,优化后的MoS2/CdS异质材料(MoS2/CdS摩尔比为5:100)的产氢性能是纯CdS的28倍.通过紫外-可见漫反射光谱、荧光光谱分析、光电流、EIS阻抗谱及莫特肖特基曲线测试发现,CdS与MoS2之间致密的异质核壳结构有助于光生载流子的迁移与分离,从而明显提高光催化活性.

摘要： 自从1972年Fujishima和Honda发现TiO2光电催化分解水产氢以来,半导体光催化分解水产氢技术被认为是解决能源危机和环境污染问题最有效的策略之一.然而,由于TiO2的可见光吸收能力差、活性低、价格高等问题限制了其实际应用,因此寻求和发展高效的可见光催化剂具有重要意义.CdS半导体材料具有合适的带隙及导带位置,可以有效吸收可见光产生电子并将H+还原生成H2,是目前公认的较好的可见光催化产氢材料之一.然而光催化过程中CdS材料较快的电子-空穴复合速度极大降低了其效率,如何促进光催化过程中电子-空穴对的分离成为研究重点.研究表明,采用负载助催化剂、构筑异质结、表面修饰、金属/非金属元素掺杂等技术可明显提高CdS的光催化产氢性能,其中发展非贵金属助催化剂引起了广泛兴趣.近年有文献报道过渡金属硫化合物MoS2用于光催化助催化剂,可以明显提高光催化性能.目前已制备出具有不同形貌的MoS2/CdS异质材料如纳米球、纳米棒、纳米纤维等,但多数MoS2/CdS异质材料的制备采用两步法或多步法,制备工艺复杂,易引入杂质,阻碍了其实际应用.因此,发展简单温和的一步法制备具有新颖形貌的MoS2/CdS异质材料具有重要意义.本文采用简单的一步水热法制备了一种新颖的柳枝状MoS2/CdS异质材料.采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱、紫外-可见漫反射吸收光谱和氮气吸附-脱附测试对所得样品进行了表征.结果表明,制备的柳枝状MoS2/CdS异质材料具有核壳结构,两者之间形成紧密的异质结.光催化性能测试表明,制备的MoS2/CdS异质材料相比纯相CdS产氢性能明显提高,优化后的MoS2/CdS异质材料(MoS2/CdS摩尔比为5:100)的产氢性能是纯CdS的28倍.通过紫外-可见漫反射光谱、荧光光谱分析、光电流、EIS阻抗谱及莫特肖特基曲线测试发现,CdS与MoS2之间致密的异质核壳结构有助于光生载流子的迁移与分离,从而明显提高光催化活性.

摘要： 本发明公开了一种硫化镉量子点的生物合成法、制得的硫化镉量子点及其应用，所述生物合成法包括以下步骤：以含硫氨基酸为S源，以水溶性镉盐为Cd源，以smCSE为生物催化剂，以蛋白酶作为反应终止剂合成制备硫化镉量子点，将上述步骤制得的硫化镉量子点应用于细胞标记领域。与现有技术相比，本发明合成方法绿色环保、可控性强；制得的硫化镉量子点形状规则，量子产率高且稳定性好；本发明方法制得的硫化镉量子点可用于细胞标记或化学检测中。

摘要： 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，公开了一种硫化镉薄膜及其制备方法和应用及制备硫化镉薄膜用装置，该制备方法包括：将基底置于含有镉盐、铵盐、硫脲和氨水的反应溶液中，进行化学水浴沉积反应，待反应结束后取出基底，干燥，以Cd

摘要： 本发明提供一种硫化镉芯片及其表面钝化层的制作方法，用以解决目前硫化镉芯片制作工艺较为复杂的问题。该方法区别于传统物理、化学、淀积钝化层制备工艺，首次应用光敏型聚酰亚胺胶，该方法包括：在硫化镉芯片表面涂覆一层光敏聚酰亚胺胶，将涂覆聚酰亚胺胶的硫化镉芯片进行前烘，对硫化镉芯片的正、负电极接触孔处进行曝光，将曝光后的硫化镉芯片放入显影液中进行显影，得到硫化镉芯片表面的图形，将硫化镉芯片进行后烘，直至聚酰亚胺胶固化，得到附着在硫化镉表面的钝化层。这种新工艺方法可以简化大量的制备工艺步骤，提高硫化镉芯片的生产效率和可靠性，并且制得的硫化镉芯片的光电性能满足使用要求。

摘要： 本发明提供了一种硫化镉薄膜的制备方法，包括步骤：提供硫化镉薄膜；在硫化镉薄膜上形成氯化镉薄膜；以及在氯化镉气氛中进行热处理。通过以上制备方法，有效地减小了硫化镉薄膜的氧化，得到的硫化镉薄膜在衬底上横向结晶，且晶粒紧密排列。在应用于碲化镉太阳能电池中时，使得薄膜保持较高的禁带宽度，减少了电池短路的可能性,并进一步提高了电池的短路电流，载流子的收集效率和电池P-N结的品质，从而提升了太阳能电池的转换效率。

摘要： 本发明公开了一种含硫空位的硫化铟镉‑硫化镉(CdIn2S4‑CdS)二维(2D)复合材料及其制备方法和应用，所述CdIn2S4‑CdS复合材料中，片状CdIn2S4复合于片状CdS，形成异质结。本发明通过水热处理将前驱体Cd3(C3S3N3)2分解的同时进行离子交换，构建2D CdIn2S4‑2D CdS，异质结的存在可以快速转移其界面的电子空穴，实现高效的电荷分离；另外，硫空位可以吸附和活化氧气，产生大量氧活性物质。

摘要： 本发明提供一种硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点的制备方法，所述方法通过胶体溶液法制备得到硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点，制备方法简单，且能够制得温度敏感性低的硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点；本发明还通过将硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点涂覆在光纤表面，形成回音壁模式的光学微腔，来产生激光，以简单的方法制备得到温度敏感性较低的微纳激光器，具有良好的应用前景。

摘要： 本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池的硫化镉层制备方法、太阳能电池及铜铟镓硒层上生长硫化镉层的方法，所述铜铟镓硒太阳能电池的硫化镉层制备方法包括：预设有铜铟镓硒层的衬底置于酒石酸钾溶液中浸泡，使得酒石酸钾溶液中的至少部分钾离子扩散进铜铟镓硒层中；向酒石酸钾溶液中加入镉盐和碱，充分混合得到混合溶液，混合溶液中含有酒石酸与镉的络合物；加热混合溶液，使得络合物中的镉离子扩散进铜铟镓硒层中，并且使铜铟镓硒层的表面含有至少部分镉离子；以及向混合溶液中加入硫脲，充分反应，在铜铟镓硒层上生长出硫化镉层。采用酒石酸钾代替现有技术中的氨水，使用酒石酸钾制备的硫化镉层质量和稳定性都大大提高了。

摘要： 本发明涉及一种硫化镉薄膜比色装置，包括多个不同厚度的硫化镉薄膜样品和采样板，采样板上平面开设有多个带底的腔体，腔体内部设置有样品室、推杆和弹簧；一种制备硫化镉薄膜的方法，包括以下步骤：清洗衬底，CdSO

摘要： 本发明公开了一种硫化镉量子点的生物合成法、制得的硫化镉量子点及其应用，所述生物合成法包括以下步骤：以含硫氨基酸为S源，以水溶性镉盐为Cd源，以smCSE为生物催化剂，以蛋白酶作为反应终止剂合成制备硫化镉量子点，将上述步骤制得的硫化镉量子点应用于细胞标记领域。与现有技术相比，本发明合成方法绿色环保、可控性强；制得的硫化镉量子点形状规则，量子产率高且稳定性好；本发明方法制得的硫化镉量子点可用于细胞标记或化学检测中。

摘要： 本发明涉及薄膜太阳能电池技术领域，公开了一种硫化镉薄膜及其制备方法和应用及制备硫化镉薄膜用装置，该制备方法包括：将基底置于含有镉盐、铵盐、硫脲和氨水的反应溶液中，进行化学水浴沉积反应，待反应结束后取出基底，干燥，以Cd