CVD

摘要： Objective:To investigate the sexual relationship and sexual health of elderly patients with cardiovascular disease and their spouses,as well as to explore the relationship between sexual health and the quality of life.Methods:A total of 206 CHD patients and their spouses(N=206)as well as 238 age-and gender-matched healthy people were recruited and investigated by using a seilf-designed sexual relationship and sexual health questionnaire and the SF-36 questionnaire;data analysis and comparison were carried out by using SPSS 22.0.Results:The scores of perceived health,marital satisfaction,sexual satisfaction,sexual function,and quality of life were all significantly different among elderly CVD patients,then-spouses,and healthy people(F=3.894,p<0.05).There was a significant correlation between perceived health,marital satisfaction,sexual satisfaction,and sexual function with quality of life(p<0.05).Conclusion:Sexual behavior is an important aspect of quality of life.The sexual relationship,sexual health,and quality of life of elderly patients with cardiovascular disease and their spouses were significantly lower than those of healthy people.It is recommended that more attention should be paid on the sexual relationship and sexual health of these patients and their spouses,with counselling offered when needed.

摘要： 二维半导体材料是一类新兴的新材料,具有广泛的电学性能和潜在的应用价值。本文以S和MoO3粉末为原料,利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD),在SiO2/Si片上制备了高质量、大面积的单层MoS2单晶样品。利用XRD、OM、EDS、TEM、AFM及半导体光电特性分析设备,对不同制备样品的表面形貌、晶体结构、组成成份、样品厚度及光电特性进行了测试分析。结果发现,制备的三角形的单层及少层MoS2单晶主要呈现六角晶系结构,且边界清晰,表面光滑,有较好的透光性,最大尺度可达250 μm,MoS2单晶生长中的硫化反应过程符合VLS生长机制。在不同生长条件中,反应物中的S/MoO3的质量比和反应温度是影响单层MoS2单晶样品生长类型的主要影响因素。分析发现,制备单层MoS2单晶的最佳S/MoO3质量比为1000/30,而最佳沉积温度为900°C。测试发现,由单层MoS2单晶样品制备的光电器件具有很高的光电灵敏度和较好的光电响应特性。

摘要： 二维(2D)半导体薄膜材料作为当代光电子器件领域的主力军,大面积薄膜材料的制备则成为亟待解决的热点问题。文章通过一种硫(S)化预生长的氧化钼(MoO_(3))的方法实现大面积二硫化钼(MoS_(2))薄膜材料的制备。区别于传统化学气相沉积(CVD)方法生长材料随机成核的特性,文章设计利用提前在衬底上预生长MoO_(3)作为Mo源,以固定MoS_(2)薄膜的成核位点。研究结果表明,该方法可实现双层的大面积MoS_(2)薄膜。进一步,将制备的双层大面积MoS_(2)薄膜转移到叉指电极上进行光电性能研究,在532 nm的激光照射下,实现103.71 mA/W的响应度及88μs的快响应速度。预计文章的实验设计可推广到其他大面积二维薄膜材料的制备中。

摘要： 金刚石探测器具有体积小、抗辐照能力强、时间响应快等优点,在核辐射领域应用优势显著。早期金刚石核辐射探测器均采用天然金刚石材料,化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)金刚石人工合成技术的进步,极大地促进了金刚石核辐射探测器的发展与应用。本文从CVD人造金刚石材料入手,分析了制约金刚石探测器性能的杂质与缺陷、CVD金刚石的合成工艺、探测器级金刚石中杂质与缺陷的表征方法,并基于载流子迁移率与寿命乘积、探测器的电荷收集效率等性能指标,总结了CVD金刚石中的杂质与缺陷对探测器性能的影响规律,介绍了国外金刚石核辐射探测器的应用现状并展望了国内金刚石核辐射探测器的发展前景。

摘要： 血管内皮功能障碍是动脉粥样硬化(动脉斑块或阻塞)、心脏病发作及中风的早期预警信号,血管内皮功能的评估已成为心血管疾病(CVD)研究的有效工具。血管内皮功能的研究可用于患者的干预治疗,并作为评估新治疗策略的替代标志物。文章回顾了国内外不断增长的相关文献,以评估血管内皮功能的临床价值,供相关学者和临床医生参考借鉴。

摘要： 单层二硫化钨(WS_(2))具有约2.0e V的直接带隙,还具有优异的光电性能,是二维(2D)纳米光电子器件和光电传感器领域的重点研究对象,但晶体质量较高的单层WS_(2)的气相生长仍然具有研究价值。在此,我们提出了一种以WO_(3)为前驱体,生长单层WS_(2)纳米片的CVD方法。采用AFM、Raman和OM进行表征,测试结果证明,生长的WS_(2)薄片具有高质量的晶体结构。精确控制WO_(3)前驱体的量,可为CVD生长高质量的WS_(2)纳米片提供一种新的思路。

摘要： 心血管疾病(CVD)是目前世界上发病率和死亡率最高的疾病之一。尽管在CVD的诊断、治疗和预后方面已经取得了一些进展,但仍需寻找新的生物诊断标志物和治疗方法,以降低CVD的发病率及死亡率[1-2].

摘要： CVD工艺在工业生产中得到广泛应用,但CVD产物却受到许多参数的影响,而这些参数的变化如何影响沉积质量则需要重复试验才能得出结论。在CVD领域中引入计算流体力学(CFD)方法来对CVD过程进行数值模拟研究可以达到有效降低研发成本、提高沉积效率等目的。简要介绍了计算流体力学的概念;接着以AN⁃SYS Fluent软件为例,简述了计算流体力学仿真分析的方法;最后分别综述了计算流体力学方法在建立CVD反应的研究模型、CVD反应器结构改进以及CVD工艺优化等方面的应用。

摘要： Micro-supercapacitors(MSCs)are attractive electrochemical energy storage devices owing to their high power density and extended cycling stability.However,relatively low areal energy density still hinders their practical applications.Here,an asymmetric Mg ion MSC with promising high energy density is fabricated.Firstly,indium tin oxide(ITO)NWs were synthesized by chemical vapor deposition as the excellent current collector.Subsequently,nanostructured Mn_(3)O_(4)and Ppy@FeOOH were deposited on the laser-engraved interdigital structure ITO NWs electrodes as the positive and negative electrodes,respectively.Beneficial from the hierarchical micro-nano structures of active materials,high conductive electron transport pathways,and charge-balanced asymmetric electrodes,the obtained MSC possesses a high potential window of 2.2 V and a high areal capacitance of 107.3 mF cm^(-2)at 0.2 mA cm^(-2).The insitu XRD,VSM,and ex-situ XPS results reveal that the primary energy storage mechanism of Mg ions in negative FeOOH electrode is Mg ions de-/intercalation and phase transition reaction of FeOOH.Furthermore,the MSC exhibits a high specific energy density of 71.18μWh cm^(-2)at a power density of 0.22 mWh cm^(-2)and capacitance retention of 85%after 5000 cycles with unvaried Coulombic efficiency.These results suggest promising applications of our MSC in miniaturized energy storage devices.

摘要： 硬质涂层是指一类具有高硬度,高温抗氧化性,好耐磨性等优良性能的涂层。将硬质涂层涂敷在刀具工作区域的表面,可以有效降低刀具与工件之间的摩擦磨损以及隔绝外界工作区域的高温环境。涂层的使用可以极大地延长刀具的使用寿命,适应更加严峻苛刻的工作环境。本文综述了常见Ti基和Cr基涂层材料发展及应用现状,以及其PVD,CVD工艺的发展,对于初学者进入涂层领域有较大帮助。

摘要： 本文使用自制的热CVD炉，通过外加大电场的方式合成了一种结构新颖的阵列式碳材料，我们称之为奶牛乳房状微/纳米碳同质异构结构（“cow nipple-like” micro-nano carbonisomeric structure, CNMCIS）。文中使用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜以及拉曼光谱仪分别对其形貌、微结构和石墨层质量进行了分析讨论。实验表明，这种复合结构的高度在90-250 nm之间，由一个大直径的碳球（30-120 nm）和一根小直径的碳纳米管（10-40 nm）连接组成，在碳球和碳管的结合处有尺寸上的突变。同时，它具有很好的可控性，通过控制催化剂的涂覆量和通入乙炔气体的时间，可以有效控制其阵列生长的形态，如密度、高度和直径等。此外，针对这种新颖的碳材料，文中还提出了一个可能的生长模型，并采用Maxwell 2D软件对实验中静电场作用力进行了理论计算。

摘要： 本文使用自制的热CVD炉，通过外加大电场的方式合成了一种结构新颖的阵列式碳材料，我们称之为奶牛乳房状微/纳米碳同质异构结构（“cow nipple-like” micro-nano carbonisomeric structure, CNMCIS）。文中使用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜以及拉曼光谱仪分别对其形貌、微结构和石墨层质量进行了分析讨论。实验表明，这种复合结构的高度在90-250 nm之间，由一个大直径的碳球（30-120 nm）和一根小直径的碳纳米管（10-40 nm）连接组成，在碳球和碳管的结合处有尺寸上的突变。同时，它具有很好的可控性，通过控制催化剂的涂覆量和通入乙炔气体的时间，可以有效控制其阵列生长的形态，如密度、高度和直径等。此外，针对这种新颖的碳材料，文中还提出了一个可能的生长模型，并采用Maxwell 2D软件对实验中静电场作用力进行了理论计算。

摘要： 本文使用自制的热CVD炉，通过外加大电场的方式合成了一种结构新颖的阵列式碳材料，我们称之为奶牛乳房状微/纳米碳同质异构结构（“cow nipple-like” micro-nano carbonisomeric structure, CNMCIS）。文中使用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜以及拉曼光谱仪分别对其形貌、微结构和石墨层质量进行了分析讨论。实验表明，这种复合结构的高度在90-250 nm之间，由一个大直径的碳球（30-120 nm）和一根小直径的碳纳米管（10-40 nm）连接组成，在碳球和碳管的结合处有尺寸上的突变。同时，它具有很好的可控性，通过控制催化剂的涂覆量和通入乙炔气体的时间，可以有效控制其阵列生长的形态，如密度、高度和直径等。此外，针对这种新颖的碳材料，文中还提出了一个可能的生长模型，并采用Maxwell 2D软件对实验中静电场作用力进行了理论计算。

摘要： 本文使用自制的热CVD炉，通过外加大电场的方式合成了一种结构新颖的阵列式碳材料，我们称之为奶牛乳房状微/纳米碳同质异构结构（“cow nipple-like” micro-nano carbonisomeric structure, CNMCIS）。文中使用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜以及拉曼光谱仪分别对其形貌、微结构和石墨层质量进行了分析讨论。实验表明，这种复合结构的高度在90-250 nm之间，由一个大直径的碳球（30-120 nm）和一根小直径的碳纳米管（10-40 nm）连接组成，在碳球和碳管的结合处有尺寸上的突变。同时，它具有很好的可控性，通过控制催化剂的涂覆量和通入乙炔气体的时间，可以有效控制其阵列生长的形态，如密度、高度和直径等。此外，针对这种新颖的碳材料，文中还提出了一个可能的生长模型，并采用Maxwell 2D软件对实验中静电场作用力进行了理论计算。

摘要： 本文使用自制的热CVD炉，通过外加大电场的方式合成了一种结构新颖的阵列式碳材料，我们称之为奶牛乳房状微/纳米碳同质异构结构（“cow nipple-like” micro-nano carbonisomeric structure, CNMCIS）。文中使用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜以及拉曼光谱仪分别对其形貌、微结构和石墨层质量进行了分析讨论。实验表明，这种复合结构的高度在90-250 nm之间，由一个大直径的碳球（30-120 nm）和一根小直径的碳纳米管（10-40 nm）连接组成，在碳球和碳管的结合处有尺寸上的突变。同时，它具有很好的可控性，通过控制催化剂的涂覆量和通入乙炔气体的时间，可以有效控制其阵列生长的形态，如密度、高度和直径等。此外，针对这种新颖的碳材料，文中还提出了一个可能的生长模型，并采用Maxwell 2D软件对实验中静电场作用力进行了理论计算。

摘要： 本文使用自制的热CVD炉，通过外加大电场的方式合成了一种结构新颖的阵列式碳材料，我们称之为奶牛乳房状微/纳米碳同质异构结构（“cow nipple-like” micro-nano carbonisomeric structure, CNMCIS）。文中使用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜以及拉曼光谱仪分别对其形貌、微结构和石墨层质量进行了分析讨论。实验表明，这种复合结构的高度在90-250 nm之间，由一个大直径的碳球（30-120 nm）和一根小直径的碳纳米管（10-40 nm）连接组成，在碳球和碳管的结合处有尺寸上的突变。同时，它具有很好的可控性，通过控制催化剂的涂覆量和通入乙炔气体的时间，可以有效控制其阵列生长的形态，如密度、高度和直径等。此外，针对这种新颖的碳材料，文中还提出了一个可能的生长模型，并采用Maxwell 2D软件对实验中静电场作用力进行了理论计算。

摘要： 本文报道了可用于水中的微型绝压传感器的研发及正弦波动态标定的结果，指出化学沉积聚对二甲苯薄膜是一种实用性较好的封装方法。

摘要： 本文报道了可用于水中的微型绝压传感器的研发及正弦波动态标定的结果，指出化学沉积聚对二甲苯薄膜是一种实用性较好的封装方法。

摘要： 本文报道了可用于水中的微型绝压传感器的研发及正弦波动态标定的结果，指出化学沉积聚对二甲苯薄膜是一种实用性较好的封装方法。

摘要： 本文报道了可用于水中的微型绝压传感器的研发及正弦波动态标定的结果，指出化学沉积聚对二甲苯薄膜是一种实用性较好的封装方法。

摘要： 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到所述废气通道上游侧，而且，等离子体生成装置安装在所述废气循环通道上。

摘要： 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到反应室。

摘要： 本发明提供一种CVD用气化器、溶液气化式CVD装置以及CVD用气化方法，能够抑制溶液配管等的阻塞而长时间连续的使用。本发明的CVD用气化器，包括复数个原料溶液用配管1、2，以相互隔离的方式供给复数个原料溶液；一载气用配管3，以包覆着上述复数个原料溶液用配管1、2的方式设置着，并且用来使加压的载气分别在上述复数个原料溶液用配管1、2各自的外侧流动；一细孔，设置于上述载气用配管3的前端，由上述原料溶液用配管1、2的前端被隔开；一气化管13，连接上述载气用配管3的前端，并且藉由上述细孔，连系着该载气用配管3的内部；一洗净机构，用来洗净该载气用配管3的前端、该细孔以及该气化管13之中至少一者；以及一加热装置(加热器)，用来加热上述气化管13。

摘要： 01(CVD111)和非01(CVD112和CVD112RM)血清型的无毒力霍乱弧菌菌株，其具有被缺失的霍乱毒素核心的DNA和霍乱毒素基因座的RSI序列，并进一步具有重新被插在染色体中的编码抗汞抗性的DNA，及编码霍乱毒素B亚基的DNA或其足以赋予免疫原性的部分。制造本发明的无毒力霍乱弧菌01和非01菌株的方法，及使用这些菌株的霍乱疫苗。

摘要： 本发明提供一种CVD用气化器、溶液气化式CVD装置以及CVD用气化方法，能够抑制溶液配管等的阻塞而长时间连续的使用。本发明的CVD用气化器，包括复数个原料溶液用配管1、2，以相互隔离的方式供给复数个原料溶液；一载气用配管3，以包覆着上述复数个原料溶液用配管1、2的方式设置着，并且用来使加压的载气分别在上述复数个原料溶液用配管1、2各自的外侧流动；一细孔，设置于上述载气用配管3的前端，由上述原料溶液用配管1、2的前端被隔开；一气化管13，连接上述载气用配管3的前端，并且藉由上述细孔，连系着该载气用配管3的内部；一洗净机构，用来洗净该载气用配管3的前端、该细孔以及该气化管13之中至少一者；以及一加热装置(加热器)，用来加热上述气化管13。

摘要： 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到所述废气通道上游侧，而且，等离子体生成装置安装在所述废气循环通道上。

摘要： 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到反应室。

摘要： 01(CVD111)和非01(CVD112和CVD112RM)血清型的无毒力霍乱弧菌菌株，其具有被缺失的霍乱毒素核心的DNA和霍乱毒素基因座的RSI序列，并进一步具有重新被插在染色体中的编码抗汞抗性的DNA，及编码霍乱毒素B亚基的DNA或其足以赋予免疫原性的部分。制造本发明的无毒力霍乱弧菌01和非01菌株的方法，及使用这些菌株的霍乱疫苗。

摘要： 本发明公开了一种用于CVD设备的多面漏斗型进气装置，包括多面管体以及固定安装在所述多面管体上的多个进气管，每个所述进气管上均固定安装有呈竖直设置的分隔板，所述进气管上固定连接有第一通气管以及第二通气管，所述分隔板两侧均固定安装有支撑架，每个所述支撑架均和所述进气管内壁固定连接，所述进气管上开设有用于安装所述分隔板的安装腔；每个所述支撑架上均固定安装有伸缩板，所述伸缩板包括第一滑动板以及第二滑动板。本发明可以根据实际的需求调节进气口的大小，从而控制单位时间内气体的通入量，更加有利于气体之间的反应，对材料生长的速度、结晶质量以及原材料利用率均有较好的影响。

摘要： 本实用新型实施例公开了一种用于CVD反应器的喷嘴装置及CVD反应器，涉及CVD反应设备技术领域。该喷嘴装置包括第一喷嘴以及第二喷嘴；第一喷嘴的底部设有第一空腔，第一喷嘴的顶部设有多个连通第一空腔的气体流出通道；第二喷嘴的顶部设有第二空腔，第二喷嘴的底部设有多个连通第二空腔的气体流入通道；第一喷嘴的底部与第二喷嘴的顶部可拆卸连接，且在第一喷嘴的底部与第二喷嘴的顶部连接后，第一空腔与第二空腔合并为气体混合室。本实用新型一方面，可确保反应气体能够在气体混合室内混合均匀，另一方面可确保混合气体能够均匀排出。同时，原料气体在进入到气体混合室之前还未接触，不会发生反应，可有效避免气体流入通道的堵塞。