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第十七届全国半导体物理学术会议

召开年：2009
召开地：长春
出版时间： 2009-08-16

主办单位：中国物理学会

会议文集：第十七届全国半导体物理学术会议论文集

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1.光栅微结构提高有机电致发光器件光取出效率的研究
- 白昱;冯晶;孙洪波
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：研究了在有机电致发光器件(OLED)中引入光栅微结构提高OLED光取出效率。利用激光全息技术结合激光烧蚀在PVK薄膜上直接烧蚀出不同周期的光栅图形，通过调控光栅的周期和高度等结构参数，OLED的发光强度和效率获得显著提高。当光栅周期在500nm的时候，效率提高达到153％。
2.半导体异质结中的隧穿
- 何英;杨艳芳
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：当电子或其他微观粒子从势垒的一边入射时，即使它们不具有足够的动能从势垒顶部翻越过势垒，它们仍然能够从势垒入射的一边消失而在势垒的另一边出现。这种现象形象的称之为微观粒子隧道贯穿势垒或隧穿势垒。这是迄今被人们广泛分析和研究的电子运动过程之一。本文用分析转移矩阵方法来精确决定粒子隧穿任意形状势垒的透射系数。分析转移矩阵方法不像一般的转移矩阵方法那样把矩阵直接相乘，而是给出基于转移矩阵方法的解析的精确的透射率公式，而且有效质量的变化直接包含进解析公式，这样可以探索任意半导体材料制成的结构的隧穿性质。分析转移矩阵方法实施起来比较容易，并且能给出足够精确的结果，这在许多实际的应用中非常有效。
3.酞菁镍薄膜型NO2气体传感器的制备与性能研究
- 窦雁巍;邱成军;孙艳美
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：酞菁最初是由Braun和Tchemiac于1907发现。酞菁是一个大环化合物，环内有一个空穴，空穴的直径约为2.7x10-8cm，可以容纳多种金属和非金属元素。酞菁环本身是一个具有18个7π电子的大π体系，在此体系中，18个电子分别位于内环C-N位，在红光区，酞菁具有强烈的吸收，其固态颜色依据中心原子、晶粒、颗粒大小不同，可在深蓝色到绿色之间变化。本文主要采用酞菁镍薄膜材料制作了气体传感器，对酞箐材料敏感机理、气敏特性等方面内容做了相关研究。
4.发光二极管的低频特性
- 冯列峰;李杨;王存达
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：高功率半导体发光二极管在照明工程、显示中有着极其重要的应用价值，因而其在低频下的电学和光学特性具有较重要的研究价值。本文探讨了低频实验装置及测试原理。
5.一种基于SOI的Mach-Zehnder型热光可变光衰减器的设计
- 瞿鹏飞;李福民;刘彩霞;陈维友;董玮
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：集成可变光衰减器(VOAs)被广泛的应用于现代波分复用(WDM)光通讯网络之中。其主要作用就是用于动态地监视和控制光路的功率大小，为其他光信号处理器件提供合适稳定的功率输出。
6.背接触薄膜多晶硅太阳能电池的制备
- 黄仕华
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：对制备成本低、转换效率高的薄膜太阳能电池来说，把多晶硅薄膜上生长在玻璃上是一种很好的途径。在非硅衬底上采用直接沉积法形成的晶粒尺寸一般都小于1微米，并且容易在晶粒间形成空隙。一种可行的办法是在低于玻璃的软化温度下先形成一层很薄的、晶粒横向尺寸比较大的多晶硅种子层，然后把这个种子层作为模板进行低温外延加厚生长。
7.高效可调谐光子晶体边发射激光器
- 郑婉华;邢名欣;陈微;周文君;刘安金;王海玲;陈良惠
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：笔者给出了一个基于光子晶体渐变波导的可调谐激光器。这种结构的光提取效率高达20%。从理论上预测了这种可调谐性，并在实验上获得了这种可调谐激光器，可调谐范围为57nm。通过合理的设计，利用这种结构能够获得更宽更精细的波长调节。
8.Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料的低压MOCVD生长
- 汪韬;王警卫;尹飞;宋振宇;殷景志;王一丁
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：红外波段是光学技术中非常重要的波段，在军用和民用方面有着广泛的应用，如环境监控、痕量气体探测、长距离超低损耗光纤通讯、激光雷达以及红外对抗等。笔者采用自制的水平低压MOCVD设备，在GaSb衬底上外延生长了几种InAs/GaSb超晶格结构，利用双晶X射线衍射(DCXRD)、光学显微镜、原子力显微镜(AFM)，透射电镜(TEM)和光致发光谱(PL)等分析手段研究了InAs/GaSb超晶格结构生长技术。通过优化MOCVD生长参数，如生长温度，Ⅲ/V比等，确定了最佳的生长工艺条件，降低失配位错，优化界面特性，生长出高质量的外延材料和器件结构，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料。
9.宽带隙立方氮化硼薄膜的n型掺杂研究
- 姚倩;邓金祥;汪旭洋;杨萍;陈光华
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：立方氮化硼是人工合成的Ⅲ-V族闪锌矿结构化合物半导体材料，它具有类似于甚至优于金刚石的优良的物理、化学性质而成为人们研究的热点。例如：c-BN的禁带宽度很大(6～6.4eV)，可实现n型和p型掺杂，因此可用于制备高温、高频、大功率微电子器件和短波光电子器件。本文中，通过原位掺S的方法，在利用磁控溅射系统沉积HN薄膜的过程中成功地实现了薄膜的n型掺杂。掺杂后的薄膜利用傅立叶变换红外吸收光谱进行表征:并在薄膜上制备Ag电极，使用Keithley 5517高阻仪测量了样品的表面I-V特性。
10.SiGe、GaN薄膜生长的研究
- 付强;王一丁;贾佳;赵天月;丛梦龙;李磊
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：随着固态高科技产业(集成电路产业、固体发光和激光器件产业、磁记录材料和器件产业等)的迅速发展，薄膜科学和技术愈来愈受到重视。本文对SiGe、GaN薄膜的生长问题做一综述。
11.n型4H-SiC晶体缺陷的无损表征
- 苗瑞霞;张玉明;汤晓燕;张义门
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：目前在SiC缺陷方面的研究一般都是通过刻蚀或者TEM这种有损的方法进行分析，而对于无损表征只是局限于对某种缺陷的表征，如对4H-SiC材料的堆垛层错的无损表征，对于SiC材料的多种缺陷利用一种方法同时进行表征的还未见报道。本文利用阴极荧光联合分析系统对偏8°的4H-SiC外延材料缺陷进行无损测试，从材料的表面以及深层对缺陷进行观测，同时得到了多种缺陷形貌，为4H-5iC材料与器件的研究工作提供有价值的信息。
12.两端结构中长波同时响应型双色量子阱红外探测器
- 霍永恒;马文全;刘小宇;张艳华;种明;杨涛;陈良惠;史衍丽
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：传统的双色量子阱红外探测器为了实现双色同时探测，往往采用三端结构器件，即每个像元上制作3个电极，通过3个铟柱与读出电路倒装互联，这会使焦平面阵列的填充因子减小，并且面阵较大时，因为铟柱数目极多，其后续工艺十分复杂，往往使面阵均匀性及成品率降低。文中介绍了其材料生长和器件制作技术，进行了单管测量，并对其工作原理进行了分析。
13.基于晶格失配外延层应变效应自组装制作三维微纳米结构
- 王海龙;邵凤兰
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：微光机电系统(MOEMS)是当今技术领域研究的热点之一，它采用先进的半导体工艺，将具有信号处理功能的智能机械结构与光电子器件集成在一块芯片中，可以制作种类繁多的微型器件，实现多种功能。本文介绍了自组装制作技术有限元方法模拟。
14.InAs单量子点物理和器件研究
- 孙宝权;窦秀明;常秀英;熊永华;倪海桥;牛智川
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：InAs单量子点物理和器件研究含有丰富的物理内涵和固态单光子发射器件应用的前景。其量子点物理研究方面：单量子点具有类原子特性，是典型的二能级体系，是研究单量子态物理理想的系统。从实验角度，对单量子态、纠缠态的研究有助于对量子力学的理解，以及开发基于基本量子力学原理的器件。对此，笔者开展了InAs单量子点物理和器件方面的研究。
15.四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分和压力调制下的能带转型
- 张院生;郭子政
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：四元混晶半导体材料具有两个独立的组分变量，同二元和三元材料相比，其晶格常数、禁带宽度和介电常数等物理性质可以通过改变混晶中各元素的组分比而更方便地人为改变。正因为如此，四元混晶半导体材料近年来倍受科研工作者的青睐。目前，对于完全由InGaAsP材料组成的量子阱结构材料的研究很少有报道。lamberti曾采用模型固体理论对InGaAsP量子阱的电子和空穴能带进行了计算，表明模型固体理论在处理四元混品能带方而是成功的。本文仍采用该方法研究应变量子阱在组分和流体静压力调制下的能带转型的规律。
16.Si纳米线的固-液-固可控生长
- 彭英才;范志东;白振华;马蕾
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：由于准一维纳米结构-Si纳米线具有许多新颖的电学、光学、磁学以及力学等物理性质，从而使其在场发射器件、单电子存储器件、高效率激光器、纳米传感器以及高转换效率太阳电池等光电子器件中具有重要的实际应用。本工作以Au膜为催化剂，并基于固-液-固生长机制，直接从n-Si(111)单晶衬底上制备出了高质量的Si纳米线。实验研究了Au膜厚度、退火温度、N2气流量等工艺参数对Si纳米线生长的影响。
17.锗硅纳米晶多层非易失性存储器件研究
- 王广利;濮林;闾锦;王泽瑞;张荣;郑有炓;施毅
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：S.Tiwari等提出的纳米晶非易失浮栅存储器具有功耗低，擦写速度快，存储密度高等诸多优点，使之有望取代传统的多晶硅浮栅存储器。选择半导体材料(Si、Ge)作为纳米晶浮栅，可以较好地与现有的集成电路工艺线兼容。当尺寸进一步缩小时，作为栅介质的SiO2厚度越来越薄，导致电荷直接隧穿几率指数增长，大大减小了存储时间。依据上述背景，笔者制作了双层非易失性存储器件单元，其中以Ge, Si纳米晶作为存储介质，使用HfA1O 替代SiO2栅介质。电荷存储特性测试表明，该非易失性存储器件具有较宽的存储窗口和较长的存储时间。
18.锰掺杂与铁掺杂硅薄膜微结构研究
- 王佳乐;苏卫锋;徐闰;樊永良;蒋最敏
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：锰掺杂与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。而锰硅化合物由于具有大的Seebeck系数，可以作为热电器件材料得到广泛研究，同时低温β相FeSi2由于它的直接带隙特性以及和现有硅工艺的相容性，也得到了广泛关注。在本文中，用拉曼光谱和双晶XRD研究了掺杂与铁掺杂硅薄膜，首次确定了锰硅化合物的两个相，MnSi1.73和MnSi,与传统XRD方法相比，拉曼光谱对于这一类物质结构更加灵敏。另外，从双晶XRD可以发现，随退火温度提高，锰或铁在硅薄膜的晶格中由填隙位置变为替位位置。另外，从拉曼光谱中可以看到，随退火温度不同，形成的MnSi1.73或β-FeSi2化合物的量并没有明显变化。
19.GaNAs/GaAs量子阱界面性质的偏振差分反射谱研究
- 俞金玲;陈涌海;汤晨光
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：稀氮化合物半导体具有大的能带弯曲常数，是制作1.3-1.55μm半导体激光器很有潜力的材料。近年来，人们已经对GaAsN/GaAs量子阱的光学性质进行了大量的研究。人们发现GaAsN/GaAs量子阱的光学性质随氮浓度的升高而下降。本文采用偏振差分反射谱(RDS)研究界面性质随氮浓度升高的变化。研究表明，随氮浓度升高，上界面的氮原子偏析长度增大，界面陡峭度降低,界面粗糙度增大，与其他文献报道的结果，一致。可见，RDS是对异质界面进行无损表征的十分有效方法。
20.ZnO纳米棒的制备及在染料敏化电池中的应用
- 沈成;马忠权;唐星
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：纳米结构ZnO应用于染料敏化电池中具有其自身的优势。一方面以纳米结构ZnO自身的比表面积可以吸附大量的染料分子。吸附的染料分子越多，越有利于光吸收。同时，纳米结构ZnO，特别是具有高度取向性的有序排列的znO纳米棒，可以为光生载流子提供传输通道。光生电子在单根纳米棒中传输时的复合几率比在多晶和非晶薄膜中传输时小，因而可以提高光生电子的收集效率。
21.GaAs半导体量子点中电子的Stark效应
- 王升
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：低维半导体量子点材料在二十一世纪纳米电子学中有极大的应用潜力，激发了人们在这个领域的研究兴趣。研究该材料中有关电子属性有利于理解量子器件原理，例如激光器件中吸收和发射现象，是非常有意义的课题。本文探讨了电场方位、量子尺寸对Stark能移的影响。
22.硅材料场致二阶非线性光学效应的理论和实验研究
- 陈占国;贾刚;刘秀环;赵建勋;张玉红;朱景程;孙鉴波;张志平
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：硅是目前应用最为广泛、工艺最为成熟的传统半导体材料，它不仅是微电子学领域的主体材料，也是发展集成光学、集成光电子学的首选材料。由此发展起来的硅基光电子学、硅光子学已经成为目前的研究热点之一。制约硅光子学发展的重大障碍有两个，一是硅材料具有间接带隙的能带结构，二是硅材料具有反演对称性，没有线性电光效应、倍频效应、光整流效应等二阶非线性光学效应。为了使硅材料具有线性电光效应，就必须破坏硅材料的反演对称性。这可以通过应力和电场来实现。本文重点研究了硅材料中直流电场诱导产生的场致二阶非线性光学效应。
23.半绝缘4H-SiC中本征缺陷的高温退火行为
- 程萍;张玉明;张义门;郭辉
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：在高纯半绝缘材料中，材料的半绝缘性能是由材料的本征缺陷所决定，本征缺陷不仅影响载流子的输运特性，同时对浅能级杂质补偿也具有重要的作用。其中部分本征缺陷如VC、Vsi、VcVsi以及比VcCsi等本征缺陷已经通过电子顺磁共振(EPR)和光致发光谱(PL)检测到，且这些本征缺陷具有各自的高温退火行为。研究本征缺陷的退火行为有利于充分发挥材料的应用潜能。
24.四氧化三铁p型掺杂提高有机电致发光器件性能的研究
- 冯晶;白昱;张丹丹;孙洪波
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：系统研究了四氧化三铁(Fe3O4)作为p型掺杂剂，在有机电致发光器件(OLED)中的作用。将Fe3O4掺入空穴注入材料m-MTDTA，在优化的掺杂浓度下，器件的性能得到显著提高。器件的开启电压下降到2.4伏，在8伏下的亮度达到29360cd/m2，而非掺杂的对比器件，其开启电压和8伏下的亮度分别为3伏和6005 cd/m2。由于驱动电压降低，器件的功率效率也得到了明显提高。
25.高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究
- 许福军;沈波;苗振林;宋杰;杨志坚;张国义
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：Gab/中与缺陷相关的黄带(YL)一般归因于从浅施主或导带到深受主的跃迁。然而，贡献于YL的深受主来源仍然处于争论之中。大量的研究表明在非故意掺杂和n型GaN中，镓空位(VGa)相关的缺陷，如VGa-ON被认为是主要的来源。相对于非故意掺杂常规和n型GaN而言，高阻GaN中YL相关的研究还非常少。本文采用光致发光谱(PL)和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。
26.掺铒Si/AL2O3多层膜发光性质的研究
- 章新栾;石卓琼;王军转;杨森林;濮林;张荣;郑有炓;施毅
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：Er3+内层4f壳层由于受到外5s25p6壳层的屏蔽作用，其1.54μm的发光几乎不受基质材料的影响，且该波长对应于石英光纤的最小吸收窗口，在光通讯中有重要的应用。因为纳米Si光吸收截面比Er3+高出4-5个数量级，所以在Er3+附近引入纳米Si可有效增强Er3+的光吸收截面，从而使得Er3+在室温下有较强的发光。
27.喷射型电感耦合等离子体化学气相沉积法制备的微晶硅薄膜孵化层的演化
- 左则文;管文田;辛煜;闾锦;王军转;濮林;张荣;郑有炓;施毅
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：氢化微晶硅薄膜由于在薄膜太阳电池中的应用潜力而受到人们的普遍关注。但是传统的化学气相沉积等方法制各的微晶硅薄膜存在一些不足：如薄膜生长速率较低；而且沿薄膜生长方向存在较为严重的结构不均匀性，尤其是当薄膜沉积在非晶衬底上时，薄膜与衬底界面处难以避免地形成一层非晶过渡层，即所谓的孵化层。孵化层的存在增大了器件内阻从而对器件载流子输运影响较大。依据上述背景，本研究采用自主研发的喷射型电感祸合等离子体化学气相沉积系统(Jet-ICPCVD)制备了微晶硅薄膜。本文主要研究微晶硅薄膜孵化层结构的演化。
28.喷射型电感耦合PECVD中微晶硅薄膜的沉积速率和结构特征
- 管文田;左则文;辛煜;闾锦;濮林;旌毅
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：与非晶硅薄膜太阳电池相比，微晶硅薄膜太阳电池由于其高效率和高稳定性而受到广泛关注。等离子体化学气相沉积(PECvD)广泛应用于低温沉积微晶硅薄膜，甚高频和电感耦合等离子体化学气相沉积由于高的等离子密度和低的电子温度被应用于高质量薄膜的沉积；另一方面，为提高薄膜的沉积速率，直流、微波、电子束等离子体结合气体喷射被应用于实验室研究中。依据这些背景，本研究发展了喷射型电感祸合等离子体化学气相沉积技术，以SiH4和H2为反应气源，在无外界加热的条件下沉积微晶硅薄膜，期望以高的沉积速率沉积高质量的微晶硅薄膜，并探索应用于薄膜太阳电池的可行性。
29.GaN表面缺陷的原子力显微镜表征
- 王志红;孙浩明;黄铭钢;任志强;曾慧中;李言荣
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：GaN作为一种重要的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有优良稳定的物理及化学性质，已成为研究和应用的热点。本文采用XRD和AFM对GaN表面缺陷进行了研究。
30.硅基微纳波导载流子注入高速电光开关的设计制备
- 陈少武;徐学俊;屠晓光
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：硅基微纳波导高速电光开关是实现芯片光互连的关键性光子器件，PIN载流子注入型电光开关具有调制效率高、制备工艺相对简单的优点。本文报道在SOI材料上设计制备的微纳波导MZI结构载流子注入高速电光开关，开关响应时间为几纳秒，消光比优于28dB。
31.半导体激光器的应用
- 赵天月;王一丁;贾佳;付强;丛梦龙;李磊
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：半导体激光器有很多优越的性能，在不少领域得到广泛的应用，由于半导激光器的特性所决定。半导体激光器的体积特别小，如果是量子阱器件，有源区体积还要小。其阈值电流很低供电功率小和转换效率高。本文介绍了半导体激光器在光纤通信的应用以及在其他方面应用。
32.半导体中电子自旋输运的飞秒激光光谱研究
- 赖天树;余华梁;张秀敏;文锦辉;林位株
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：电子自旋为半导体电子器件提供了一个新的操控自由度，期待与电荷自由度组合，发展新一代低功耗、高集成度的纳米电子器件-自旋电子器件。然而，半导体自旋电子器件的成功依赖于电子自旋极化、注入、输运、检测和控制等基本问题的成功解决。这些问题已成为目前国际上的前沿研究课题。本文对其中自旋输运基本问题进行了研究。发展了新的光学测试方法，开展了GaAs及其量子阱中电子自旋输运动力学研究。研究了空穴和自旋的库仑拖曳(Coulomb drag)对电子自旋输运的影响。
33.量子霍尔物理中的一些自旋现象
- 李永庆
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：高迁移率二维电子系统在磁场中由于朗道量子化和电子间的相互作用而展现出包括整数和分数量子霍尔效应在内的众多奇异的量子现象。电子间的库仑相互作用和电子Zeeman能量的相互竞争以及电子和原子核之间的自旋相互作用又使得这个体系中的自旋物理非常丰富。由于强相互作用电子体系的复杂性以及低温/强磁场下有限的实验手段，尚有很多与自旋有关的基本物理问题没有得到解决。这里将着重介绍利用电学操纵和探测原子核自旋的一些新方法在研究半填充朗道能级的电子自旋转变方面取得的一些新结果。
34.自旋输运的一维量子波导理论
- 刘端阳;夏建白
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：目前，在低温下的GaAs/AlGaAs异质结中，电子的平均自由程已经接近100微米，因此低温低维结构中的电子弹道输运越来越受到重视，而自旋电子学则更是近年半导体研究中的重点。笔者将两个因素结合起来，导出了在二维体系中一维Rashba本征传播态的基本方程，以及在回路节点处Rashba波函数所满足的两个基本边界条件。用这理论，结合传输矩阵方法研究了在Rashba自旋轨道耦合下，电子在若干种几何结构，特别是AB环、AB方环中的输运情况，得到了若干结果。
35.稀磁半导体(Ga，Mn)As中电流驱动克尔旋转的共振增强
- 谷晓芳;杨威;姬扬;钱轩;王玮竹;赵建华
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：自旋电子学研究的主要内容之一就是如何控制自旋的状态。近些年来，人们大多利用磁场进行自旋态的调控。本研究在实验中观测到某些特定频率的驱动电流可以显著地影响(Ga，Mn)As材料的磁光克尔旋转效应。在这些频率点103Acm-2量级的电流，就可以驱动(Ga，Mn)As材料的克尔信号(KR)与之共振。
36.(Ga，Mn)As中自旋弛豫和退相位机制以及超快光控磁翻转
- 朱永刚;张新惠;李涛;黄霞;韩莉芬;陈林;赵建华
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：稀磁半导体(Ga,Mn)As由于兼备常规半导体特性和空穴调制的铁磁性，可望用来实现下一代半导体自旋电子器件。深刻理解低温下(Ga,Mn)As的自旋动力学，特别是自旋弛豫和退相干过程，对基础物理和实际应用都极为重要。然而目前关于(Ga,Mn)As低温下的自旋弛豫和退相干机制的观点并不一致，本研究利用自行搭建的时间分辨磁光克尔测量系统对(Ga,Mn)As的自旋动力学及光控四态磁翻转开展了研究。
37.掺铁硅基稀磁半导体薄膜的制备及其电学性质研究
- 苏卫锋;王佳乐;朱海;樊永良;蒋最敏
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：Ⅳ族稀磁半导体由于与传统半导体材料的兼容性，引起了人们的广泛关注。据报导，实验上已有MnxGe1-x、Mnxsi1-x、FexGe1-x等稀磁半导体材料的制备及物理性质研究，但关于铁掺杂的硅基稀磁半导体却没有相关的报导。本文主要研究Fe0.04Si0.96薄膜的电学性质。
38.自旋分裂InGaAs/InP二维电子气的输运性质
- 周远明;俞国林;高矿红;周文政;商丽燕;郭少令;褚君浩;戴宁
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：一般情况下，二维电子气(2DEG)的量子迁移率通过Shubnikov-de Haas(SdH)振荡峰值随磁场(B)的线性变化关系(即Dingle.Plot)得到。但是这种方法仅适用于单电子子带占据或者电子浓度差异较大的多子带占据情况，而对于自旋分裂的2DEG，特别是电子浓度较低的样品，这种方法不适用。根据文献上的报道，一种定性的方法，即通过SdH振荡的傅立叶变换(FT)幅值，可以用来判断自旋子带量子迁移率的相对大小，但是无法得到量化的结果。为了定量地分析自旋子带的量子迁移率，本文提出了一种解析方法:通过拟合SdH振荡的FT谱得到精确的量子迁移率。
39.CeO2纳米颗粒的铁磁性与其表面化学态的关系
- 李明杰;葛世慧
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：随着稀磁半导体(DMS)研究的深入，在不掺杂磁性元素的氧化物中发现了室温铁磁性。其起源颇为复杂，尚不完全清楚。最近，Sundaresaa等人在CeO2纳米颗粒中首次发现室温铁磁性，并且将磁性来源归于样品表面未成对电子自旋的相互作用。随后，Yinglin Liu等人也观测到CeO2纳米颗粒的室温铁磁性，但是发现磁性并未与样品中的氧空位有关。本文用共沉淀法制备了直径约5nm的CeO2颗粒，将样品在H2中退火以便在样品表面产生氧空位，然后测量其磁性，以验证CeO2的磁性是否与表面氧空位有关。
40.Heusler合金Co2FeAl薄膜的分子束外延生长
- 孟康康;赵建华
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：Heusler合金是一种半金属材料，理论上预言其自旋极化率在费米面附近能达到100％，而且许多Heusler合金具有很高的居里温度，因此被普遍认为是一种极具应用潜力的自旋电子学材料。本研究利用MBE在GaAs(001)衬底上外延生长了Heusler合金Co2FeAl薄膜，得到了质量较高的单晶样品，掌握了合适的生长参数。
41.分子束外延法生长InCrSb薄膜形貌和磁学特性
- 闫帅;陈林;徐朋法;赵建华
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：磁性半导体由于同时具备磁性和半导体特性而受到广泛的关注。其中，Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体(Ga，Mn)As被普遍研究，目前认为它的铁磁性基本来源于以空穴为媒介的p-d交换作用。但是迄今关于Cr参杂半导体研究工作开展较少，关于其磁性来源也一直没有定论。另一方面，窄带隙半导体材料导带与价带电子之间相互作用使其具有不同于其它半导体材料的光学与电学性质，极大地激发了人们研究中远红外波段的自旋电子器件热情。本文中利用分子束外延技术制备了Cr参杂的窄禁带磁性半导体InCrSb薄膜，并对其磁性质进行了研究。
42.光照对AlxGal-xN/GaN异质结二维电子气系统中拍频效应和WAL效应的影晌
- 周文政;沈波;郭少令;桂永胜;褚君浩;林铁;商丽燕;高矿红;周远明;魏来明;俞国林;唐宁;韩奎
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：AlXGa1-xN/GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度高于室温，这使得制备室温自旋器件成为可能。另外，GaN基稀磁半导体是自旋注入的理想材料，因为，GaN基稀磁半导体与ALGaN/GaN异质结的晶格很好匹配。
43.铁电/GaN异质结构的材料参数与二维电子气特性理论研究
- 张继华;杨传仁;吴松;刘颖;陈宏伟;张万里;李言荣
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：铁电/半导体异质结构可望呈现出与众不同的物理机制，从而导致新材料和器件设计的可能性。随着复杂氧化物理论和生长技术的新发展，硅、锗、砷化镓和氮化镓上生长铁电薄膜已经正在变成现实。此外，在铁电材料上生长三族氮化物也有报道。这些在原子规模上控制异质界面结构的进展使得研究多层异质结构的物理机制并利其新效应成为可能。本文在第一性原理获取极化和应变条件下材料参数的基础上，结合铁电极化随外加电场的依赖关系，利用屯荷控制模型原理探索了极化或应变条件下4种典型的铁电/GaN异质结构:BTO/GaN, BTO/AIGaN/GaN和AICaN/GaN和应变AIGaN/GaN异质结构的2DEG特征，这为新型器件设计提供了一些理论参考。
44.ZnO：Ga透明导电薄膜的低温生长及其性能研究
- 吕建国;别勋;叶志镇
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：ZnO是一种Ⅱ-V族宽禁带化合物半导体材料，在光电、压电、铁电、铁磁等诸多领域具有优异的性能。特别是，施主掺杂的ZnO是一种典型的透明导电氧化物(TCO)材料，可以取代目前商业上使用的ITO薄膜。在ZnO的施主掺杂中，最为常用的是Al，Al掺杂的ZnO被称为AZO薄膜。但是Al掺杂也有其不足之处，Al是一种活性很强的元素，在生长时容易出现Al2O3相；与Al相比，Ga的活性较弱，Ca掺杂时不容易生成Ga2O03相，可以获得更高的载流子浓度。本文探讨了GZO薄膜的生长工艺，特别是低温生长工艺及其性能。GZO薄膜的低温制程有利于实现其在器件制备中的广泛应用，如太阳能电池等领域。
45.用硫化铵做表面处理的n型GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的高温特性
- 林芳;张国义;沈波;黄森;许福君;鲁麟;宋杰;梅伏洪;马楠;秦志新
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：本文用传输线模型对用硫化铵做表面处理的n型GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的比接触电阻率对温度的依赖关系进行了研究。
46.GaN模板上MOCVD生长InxAl1-xN的缺陷研究
- 苗振林;沈波;于彤军;许福军;宋杰;鲁麟;杨志坚
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN/GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶格匹配，并且由于大的自发极化差和导带不连续产生>2.0x1013cm-3浓度的二维电子气，在大功率微波电子器件上也正引起人们的重视。本文研究了与GaN匹配附近的InxAl1-xN材料中的缺陷，并讨论了应力对缺陷形成的影响。
47.近红外微镜光谱仪光学系统优化设计的研究
- 罗彪;温志渝;温中泉
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：近红外光谱是指波长在0.78-2.5μm范围内的电磁波。通过对特定物质的近红外光谱分析可确定其组份，具有分析样品用量少等优点，广泛应用于生物学等领域。凹面光栅除了具有分光成像的功能外，还具有校正像差形成平场谱面的特点。本设计考虑使用MEMS技术来制造扫描微镜，实现单个探测器进行快速的光谱扫描探测，以此来提高光谱探测信号的质量，降低近红外光谱仪的成本。
48.GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应
- 朱俊;班士良
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：随着新实验现象和新型光电子器件应用研究的发展，耦合双量子阱系统受到普遍的关注.此外，在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使得材料能带结构、载流子有效质量、介电常数以及晶格振动频率等都将改变。鉴于此，本文计算耦合双量子阱中重空穴激子基态结合能的压力效应。
49.单模低发散角光子晶体垂直腔面发射激光器
- 刘安金;渠红伟;陈微;周文君;邢名欣;郑婉华
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：垂直腔面发射激光器(VCSEL)广泛应用于光通信、光互联、激光打印、环境检测、原子钟、激光鼠标等领域。然而这些应用要求vCSEL单模工作。目前，实现单模VCSEL方法有多种，如缩小氧化孔径、表面刻蚀结构、反波导结构、三角孔状结构和光子晶体波导结构。然而由于前四种方法需要精确控制或者二次外延工艺，可重复性差。本文研究了光子晶体波导的特性，发现其是弱折射率导引的波导。弱折射率导引的光子晶体波导不仅实现了VCSEL单横模工作，而且有效地减小了VCSEL的发散角。
50.半导体纳米结构中自旋性质的调制
- 夏建白;张秀文;朱元慧
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：Loss和DiVincenzo(1998)提出了以自旋为基的量子计算机概念。在二维电子气上由电极形成量子点，每一个量子点是一个量子位(qubit)。量子位的操作由有效哈密顿量决定，它可以通过外场来控制，例如：交换耦合Jij(t)，Zceman分裂gi(t)μBBi(t)。特别是在半导体量子点中，g(t)能由形状、尺寸和外场调制，因此提供了自旋操作的可能性。
51.太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信
- 曹俊诚;李武群;黎华;谭智勇;张戎;韩英军;郭旭光;王长;常俊;钟旭
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：太赫兹(THz)波也被称为T-射线。从物理学看，THz波介于毫米波与红外光之间，处于电子学向光子学的过渡区；从频域上看，THz波覆盖半导体以及等离子体的各特征能量、有机和生物大分子(如蛋白质和毒品)等的转动和振动能量等；从应用角度看，THz波的频带宽、测量信噪比高、适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。本文将报告在THz量子级联激光器(QCL)和THz通信方面的研究进展。
52.InGaAs量子阱中异常的电子退相
- 高矿红;俞国林;周远明;周文政;褚君浩;戴宁
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：电子退相时间描述了微观系统的量子行为转换到经典行为的快慢。它是研究半导体输运行为一个重要参量。对于二维量子阱而言，非弹性的电子-电子相互作用决定了电子的退相过程。这表明电子退相时间对温度和电导的依赖关系可以用费米-液滴理论来描述。然而，通过研究InGaAs/InAIAs量子阱材料的弱反局域效应(weak antilocalization)发现电子表现出异常的退相行为。
53.磁性薄膜对有机电致发光器件载流子自旋状态的调控
- 张丹丹;白昱;冯晶;孙洪波
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：通过在有机电致发光器件的阳极表面蒸镀具有高自旋极化率的四氧化三铁磁性薄膜，在外加磁场的作用下，实现了对注入载流子空穴的自旋状态的调控，增加了单线态激子比例，使器件的电流效率有了大幅度的提高。系统的研究了磁性薄膜的厚度对器件效率提高幅度的影响，得到当薄膜厚度为8nm时器件的电流效率最大可提高11％。
54.自旋光电流的光场调制效应
- 陈涌海;蒋崇云;刘雨
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：用波长1064nm的近红外圆偏振光垂直入射激发三角形GaAs量子阱，量子阱内部的电子发生从基态到连续态的跃迁，形成自旋极化光电流。与此同时采用波长为532nm的非偏振激光斜入射于样品同一位置，观察到1064nm偏振光激发的自旋光电流强度会受到532nm光强度的调制，并在532nm光强度超过一定阈值时达到饱和。
55.Ga1-xMnxAs的拉曼光谱
- 苏平;龚敏;曹先存;史同飞;马瑶;孟祥豪;石瑞英
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：近年来，半导体自旋电子学得到了迅速发展，1996年，Ohno等通过低温分子束外延(MBE)的方法制备出稀磁半导体GaMnAs，这引发了人们对Mn掺入GaAs的研究兴趣。在GaMnAs中，二价Mn离子取代Ga的位置成为受主杂质，提供了大量空穴，使得Mn磁性离子之间能够产生以空穴为中介的交换作用，从而使其具有优良的铁磁性。笔者进行了薄层GaMnAs材料的拉曼散射。
56.氧气分压对Fe掺杂In2O3薄膜磁性的影响
- 江凤仙;张君;许小红
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：近年来，稀磁半导体由于在自旋电子学领域具有潜在的应用价值而受到了人们的广泛研究。但是，一些主体氧化物半导体对过渡金属固熔量较小，容易形成第二相团簇，导致这些化合物的铁磁性来源于磁性杂质。In2O3是一种透明的，宽禁带(3.75eV)半导体，具有立方方铁锰矿结构，Fe的固熔度高达20％。因此，过渡金属掺杂In2O3稀磁半导体的研究备受人们的关注。
57.量子点序列的自旋过滤和自旋积累
- 安兴涛;刘建军
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：随着电子器件向小型化发展，由各个独立原子组成的离散量子结构越来越受到人们的关注，其中典型的结构是由一系列量子点组成的线或环，常被称为量子点序列。人们对量子点序列中电子输运性质的研究已经有很多，比如Xu利用实空间格点模型研究了多端量子点序列中的电子输运，但是对量子点序列中自旋相关的输运研究还很少，Wang等人研究了通过在终端量子点中加上磁场的办法来调节T型量子点序列的自旋过滤效应，但是在真正的实验中很难将强磁场加到像量子点如此小的区域上。本研究建立了模型：将量子点序列嵌入到AB干涉仪的一臂中，另一臂上存在自旋轨道耦合，环中具有磁通，利用非平衡格林函数方法计算了此结构的自旋过滤效应和量子点中的自旋积累，这样的量子结构更有利于实验上的实现。
58.(Ga，Mn)As光电导的测量
- 李江;姬扬;王玮竹;赵建华
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：作为Ⅲ-Ⅴ族稀磁性半导体的代表，(Ga，Mn)As自从被成功地生长制备以来，在过去数年中，研究人员对它的电学和磁学性质进行了广泛和深入的研究，然而通过光学手段对其性质的研究还比较少。本文报导了(Ga，Mn)As在低温和强磁场下的光电导测量，随着入射到(Ga，Mn)As薄膜上的激光的偏振性的改变，它的电阻呈现出不同的变化规律。
59.稀磁性半导体(In1-xTbxSn0.1)2O3薄膜的结构和磁性研究
- 左亚路;颜世明;葛世慧
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：稀释磁性半导体是指少量的磁性离子掺杂到半导体中，它既具备半导体性质，又具有铁磁性，因此稀释磁性半导体被认为是最有希望用来制作自旋电子器件的材料。近年来，稀磁半导体主要集中在用过渡族金属掺杂半导体材料，用稀土元素掺杂的很少。本文拟对稀土元素Tb掺杂(In0.9Sn0.1)2O3薄膜进行研究。
60.关于氧化物稀磁半导体室温铁磁性起源的研究
- 杨继勇;李惟慎;李恒;孙祎;聂家财
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：自旋电子学是近年来凝聚态物理研究最热的课题之一，有效的操纵和控制电子的电荷与自旋，是科学家们不断追求的目标。但是，十多年来，在对半导体进行载流子的自旋极化注入方面的研究上，一直都没有突破性的进展，直到室温稀磁半导体的发现，由于它能够解决目前存在的自旋极化注入的问题，从而引起了科学家们极大的兴趣。本文在充分调研的基础上，对氧化物稀磁半导体室温铁磁性的起源进行了大量而系统的研究。
61.InGaAs量子点spin—LED的PL光谱表征
- 张俊;孟海娟;鲁军;赵伟杰;孙宝权;赵建华;谭平恒
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：Spin-LED结构是利用电学的方法把自旋极化的载流子注入到半导体LED结构中，在电场的作用下发射出具有一定极化度的电荧光。它是半导体自旋注入探测和半导体自旋光电子器件的一种基本结构。由于量子点独特的光学和电学性质，在半导体自旋电子学和量子计算量子信息方面有着不可估量的作用，因此研究半导量子点的自旋注入和自旋光电子器件变得十分重要。本文介绍了InGaAs量子点spin-LED结构的基本结构和PL光谱表征。
62.宽带隙半导体SiC材料与器件基础问题研究进展
- 王德君
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在高耐压、高温高频和抗辐射器件方面能够实现硅材料无法实现的高功率低损耗等优异性能，在电力系统、电动汽车、通讯、航天和军事等领域中具有广泛应用，其研究广为关注。本文现借此机会结合国际国内研究现状介绍其主要研究进展。
63.SiO2/SiC界面的Wet-ROA研究
- 朱巧智;王德君;张立平
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：宽带隙半导体材料碳化硅(SiC)具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度、可通过热氧化法生长SiO2膜等优点，在电力、电动、通讯、航天和军事系统中具有广阔应用前景。但高的SiO2/SiC界面态密度使实际制作的SiC MOSFET沟道迁移率低，严重影响其性能。为改善SiO2/SiC界面特性，Ekoue A等人采用湿氧二次氧化工艺(wet-ROA)进行处理,并取得一定效果，但wet-ROA工艺改善SiO2/SiC界面电学特性的微观机理尚未完全明晰，有待进一步研究。本文采用变角x射线光电子谱(ADxPS)技术，对经wet-RDA处理前后的SiO2/4H-SiC界面进行分析，结合过渡区成分含量比较、过渡区厚度计算和MOS结构SiO2/ISiC界面电学特性测量，揭示wet-ROA工艺对SiO2/SiC界面特性的影响及其微观机理。
64.V基n-Al0.4Ga0.6N欧姆接触的研究
- 李涛;秦志新;桑立雯;许正昱;沈波;张国义
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：在Ⅲ族氮化物的发展过程中，欧姆接触的实现一直是一个重要的问题，特别是对于高Al组分AlGaN，在短波长LED、LD和UV探测器上有着广阔的应用前景。对于n—AlGaN材料Ti基接触通常需要850度以上的退火温度才能形成欧姆接触，最近的研究显示V基接触比Ti基接触能在更低的退火温度下形成更低的接触电阻。本文研究了V基欧姆接触和传统Ti基欧姆接触，发现在A1GaN样品上Ti基接触到850度才能形成欧姆接触而V基接触在700度即可形成欧姆接触且比接触电阻率更低，通过XPS和XRD分析在退火过程中V与N反应形成V的氮化物对欧姆接触的形成起着重要的作用。
65.n-GaAs同质结远红外探测器的研究
- 张月蘅;郑美妹;沈文忠
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：高性能的远红外探测器的研制是天体物理以及新材料研究的需要，其发展的主要目标是拓展探测器的探测范围和提高器件性能。近年来，一种同质结内发射功函数远红外探测(HtIWIP)概念的提出和实现极大地丰富和发展了此领域。其突出的优点是截止波长原则上可以无限制延伸并且能够将探测器与现有的GaAs或Si材料工艺的相融合。本文针对n-GaAs HIWIP探测器进行探测器参数的全面优化，以期获得高的量子效率。
66.Al0.245Ga0.755N/GaN异质结和Ni/Au肖特基接触间插入薄铝层的肖特基结的漏电机制
- 刘芳;王涛;黄森;许福军;林芳;马楠;沈波
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：目前GaN基HEMT器件中肖特基的反向漏电仍然是制约GaN基HEMT器件发展的一个瓶颈。本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga0.755N/GaN异质结间插入了3nm的薄铝层，并对这种新型肖特基结和传统Ni/Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较，结果表明铝薄层的插入明显改善了肖特基结常温和高温的伏安特性。
67.AlN插入层厚度对Al0.25Ga0.75N/GaN异质结肖特基接触反向漏电的影响
- 黄森;沈波;马楠;许福军;林芳;苗振林;宋杰;鲁麟;桑立雯;秦志新
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电会造成AlxGa1-xN/GaN基HEMT的低频噪音，栅极击穿和关态功率损耗。因此本文研究了不同厚度AIN插入层对Al0.25Ga0.75N/GaN上肖特基接触漏电的影响。
68.在各种场下量子阱中子带间的跃迁
- 那顺乌日图;宫箭
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：从20世纪中后期开始，超晶格和量子阱一直是半导体物理学最活跃的前沿领域之一。人们讨论最多的量子阱是一个理想的“方形”势阱，并从这种势阱出发计算电子能级和波函数，定性地描述超品格的光电特征。鉴于此，本文计算了子带间的能级差，从而得到光子的吸收和跃迁及其应用。
69.AlN插入层对AlxGa1-xN/GaN异质结微结构和电学性质的影响
- 宋杰;沈波;许福军;苗振林;黄森;鲁麟;杨志坚;张国义
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：AlxGa1-xN/GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN/GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高其二维电子气体的输运性质。采用AIN插入层可以有效地提高二维电子气的迁移率，其原因是AIN插入层能有效地降低二维电子气(2DEG)的合金无序散射。本文研究发现，一个恰当厚度的A1N插入层能够有效改善AlxGa1-xN/GaN异质结的微结构，从而提高了2DEG的迁移率。
70.单层石墨氟化的第一性原理分析：金属-半导体性的转变
- 朱震;费哲;潘力佳;濮林;张荣;郑有炓;施毅
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：单层石墨是理想二维晶体，具有奇特的狄拉克线性色散关系。另外，单层石墨的迁移率较高，具有成为下一代主要电子材料的潜力。单层石墨一般是金属性的，这限制了诸多微纳电子学的应用，所以单层石墨半导体化成为目前一个主要研究方向。研究发现单层石墨纳米带或特定化学修饰的单层石墨都具有典型意义上的半导体能隙。本文采用基于广义梯度近似方法(GGA)的密度泛函理论(DFT)，对氟化单层石墨的结构及电子态进行了计算。计算包括系列氟化强度下的氟化单层石墨的能带结构和结合能，并对相关物理结构的稳定性进行了分析。计算表明氟化单层石墨是半导体，其能隙可以通过氟化强度及方式加以调制。
71.红外检测中半导体激光器的驱动问题研究
- 叶玮琳;王一丁
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：首先叙述了半导体激光器的工作原理，其次介绍了红外气体检测系统的功能及框图，以及在该系统中半导体激光器驱动电路要求和需要注意的若干问题，最后详细给出了针对各个问题的解决方案。
72.纳米絮状碳膜的制备及场发射特性
- 崔雪菡;顾广瑞
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：碳纳米材料的研究已经成为当前国际上研究的热点之一。由于纳米结构碳膜具有低阈值电压和高发射电流的特性，因此其场发射研究越来越受到人们重视。本文采用电子回旋共振化学气相沉积(ECR.CVD)技术制备碳膜，此方法克服了一般CVD方法中的高温、高压条件下反应气体易与基片或设备发生反应的缺点，从而可获得高质量纳米结构碳膜。
73.GaAs HBT电子辐照效应研究
- 田野;何志刚;唐龙谷;石瑞英
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：在宇宙空间存在由各种高能质子、高能电子、X射线、中子、γ射线等组成的宇宙射线。为提高电子器件在各种辐照环境下的生存能力和可靠性，确保电子设备在辐照环境下正常工作，必须开展电子器件的辐照效应研究。电子辐照后，GaAs HBT的基极电流增加，集电极电流减少，电流增益减少；残余电压、膝点电压增加,发射结和集电结导通电压减少，击穿电压增加。
74.Nb掺杂锐钛矿相TiO2薄膜光学性质的研究
- 李惟慎;杨继勇;孙祎;李恒;窦瑞芬;熊昌民;聂家财
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：2005年，Furubayashi等采用脉冲激光沉积(PLD)法研制了锐钛矿相(Anatase)的Nb掺杂TiO2(Nb：TiO2)薄膜。他们发现，Nb的掺入导致了此种薄膜的电学性质较纯TiO2薄膜有很大的提高，而且其光学性能亦佳。这使得Nb：TiO2薄膜成为制备透明导电氧化物(TCO)材料的重要原料。为了澄清量子受限效应与B-M效应对薄膜带隙所产生的影响，笔者采用PLD法制备了一批不同厚度的、锐钦矿相的纯Ti02薄膜，通过自组装外延技术控制其颗粒尺寸和形状，系统地研究了Ti02纳米薄膜的光学性质与其量子受限尺寸的关系，并由透射谱计算出吸收系数及其能隙Eg。另一方面，亦采用相同的方法研制了一批不同厚度的、不同Nb掺杂浓度的Nb:Ti02薄膜，并研究了其带隙变化。
75.AlGaN/GaN异质结2DEG迁移率的研究
- 刘颖;张继华;杨传仁;吴松;陈宏伟
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：近年来GaN及相关的Ⅲ-N族化合物半导体由于具有宽禁带、高电子迁移率和高击穿电压，GaN基电学器件的研制受到越来越多的关注，其微波大功率应用的前景已逐渐显现。与同为宽禁带半导体的其他材料不同，GaN基材料易于制作异质结，在GaN基材料制作的晶体管中，目前研究最多的是调制参杂的AlGaN/GaN HEMT。本文就针对A1GaN/GaN异质结界面2DEG的散射机制对迁移率的影响在理论上进行研究，主要包括界面粗糙散射、电离杂质散射、声学形变势散射、压电声子散射、极化光学声子散射和位错散射。并阐述了温度和2DEG浓度对其迁移率的影响。
76.MOCVD AlxGa1-xNGaN多层异质结构的表面与界面表征
- 王元樟;李金钗;李书平;陈航洋;刘达艺;康俊勇
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1-xN/GaN超晶格结构的表面与界面进行了表征。
77.ZnO薄膜的结构及发光性质研究
- 马艳;杜国同;夏晓川;赵旺;王谨;董鑫;张宝林
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：ZnO是宽直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，自从1996年ZnO薄膜光泵浦紫外激射报导后，再次引起人们的极大关注。室温下，ZnO的禁带宽度为3.37eV，其能带由O2-满的2p电子能级和Zn2+空的4s能级组成。ZnO激子束缚能高达60meV，与ZnSe、ZnS、GaN等发光材料相比，是更适合用于室温或更高温度下的紫外光发光材料。
78.底面为(111)面半球形硅双光子响应光电探测器的研究
- 刘秀环;陈占国;贾刚;时宝
- 《第十七届全国半导体物理学术会议》 | 2009年
摘要：双光子响应包括双光子吸收和倍频吸收。双光子响应光电探测器可以取代传统自相关装置中的倍频晶体和光电倍增管，从而构造出结构紧凑、价格便宜、调整方便、适用波长范围广的新型自相关装置。硅的双光子响应波长范围为1.2-2.1μm，恰好覆盖了光通信波长，所以高灵敏度硅双光子响应探测器在超短脉冲的自相关测量、光通信以及太赫兹波科学与技术等领域具有广阔的应用前景。本文中报道了一种两端结构的中长波同时响应型双色量子阱红外探测器，该器件能够同时读取中长波双色信息，但每个像元只需两个电极，这将使面阵器件一与读出电路互联时每像元仅需一个铟柱，因而制作大面阵器件时后续工艺大为简化，且只需使用单色读出电路即可实现双色探测，降低了对读出电路的要求。文中介绍了其材料生长和器件制作技术，进行了单管测量，并对其工作原理进行了分析。