Al0.245Ga0.755N/GaN异质结和Ni/Au肖特基接触间插入薄铝层的肖特基结的漏电机制

摘要

目前GaN基HEMT器件中肖特基的反向漏电仍然是制约GaN基HEMT器件发展的一个瓶颈。本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga0.755N/GaN异质结间插入了3nm的薄铝层，并对这种新型肖特基结和传统Ni/Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较，结果表明铝薄层的插入明显改善了肖特基结常温和高温的伏安特性。