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张院生; 郭子政;
中国物理学会;
四元混晶; 半导体材料; 压力调制; 能带转型; 应变量子阱;
机译:使用应变补偿层的新型偏振不敏感的1.55- / spl mu / m InGaAsP-InGaAsP多量子阱电吸收调制器
机译:使用正弦驱动的InGaAsP / InGaAsP应变多量子阱DFB激光器/调制器单片集成光源生成有限转换的7ps光脉冲
机译:拉伸应变对InGaAsP / TnP量子阱中能带偏移的影响
机译:通过有机金属气相外延制备并通过光致发光测量的InGaAsP / InGaAsP量子阱的能带结构调整
机译:调制瑞利散射显微镜探测单半导体纳米线的能带结构和皮秒载流子动力学的应变工程。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:基于InP的晶格匹配InGaAsP和应变补偿InGaAs / InGaAs量子阱电池,用于热光电应用
机译:InGaasp / Inp应变多量子阱异质结构中光致发光和光电流的研究
机译:具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构,InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
机译:掺杂能带的调制掺杂量子阱结构
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