GaN表面缺陷的原子力显微镜表征

摘要

GaN作为一种重要的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有优良稳定的物理及化学性质，已成为研究和应用的热点。本文采用XRD和AFM对GaN表面缺陷进行了研究。