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李涛; 秦志新; 桑立雯; 许正昱; 沈波; 张国义;
中国物理学会;
欧姆接触; 退火温度; 氮化物; 接触电阻;
机译:p型SiC的Pt基欧姆接触与Ti-Al欧姆接触的比较
机译:高功率GaAs激光二极管Ti和Cr基P欧姆接触的比较研究
机译:石墨烯上Ge / Au / Ni / Au基欧姆接触的比较研究
机译:Al基欧姆接触p型4H-SiC的高温高功率稳定性研究
机译:与N型氮化镓基半导体的欧姆接触。
机译:使用ReO3在铟锡氧化物/ NN-二(萘-1-基)-NN-二苯基-联苯胺界面上形成完美的欧姆接触
机译:PD / GE / TI / AU欧姆接触与未掺杂帽层的孔欧姆接触的微观结构和电气研究
机译:用于III-V和纳米电子和介观器件的单晶外延锗基欧姆接触结构
机译:具有制造方法的氮化物基晶体管和具有欧姆接触区的重新生长的氮化物基晶体管的欧姆接触区的重新生长
机译:p型GaN基半导体中低欧姆接触电阻的Epi结构和形成低欧姆接触电阻的Epi结构的生长方法
机译:用于氮化镓基器件的氮化铟镓基欧姆接触层
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