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王英鸿;
长春中国光学科学技术馆;
吉林 长春 130117;
p-GaAs基; 欧姆接触; 快速退火;
机译:势垒层对异质结双极晶体管的p-GaAs基AuBe欧姆接触形成的影响
机译:研究p-GaAs / Ni / Zn界面上与锌有关的结构转变与欧姆接触形成的关系
机译:通过射频溅射功率改善Au / Pt / Ti / p-GaAs欧姆接触中铂薄膜的残余应力
机译:热稳定激光产生的低欧姆接触到快速光电器件的纳米P-GaAs层的纳米P-GaAs层
机译:与N型氮化镓基半导体的欧姆接触。
机译:优化p-GaAs纳米线的欧姆接触
机译:ud型太阳能电池的比较研究p + -AlGaAs / p-GaAs / n-GaAs和另一种n + -AlGaAs / n-GaAs / p-GaAs类型。
机译:与W和W-N扩散阻挡层的p-Gaas的固相欧姆接触
机译:半导体-与p-Gaas衬底欧姆接触的ii-vi-化合物的异质结构
机译:具有制造方法的氮化物基晶体管和具有欧姆接触区的重新生长的氮化物基晶体管的欧姆接触区的重新生长
机译:p-GaAs衬底上的Zn1-xMgxSySe1-y pin光电二极管和p-GaAs衬底上的Zn1-xMgxSySe1-y雪崩光电二极管
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