一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法

摘要

本发明是一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法，包括以下步骤：1）将SiC晶片放在Si片托盘上，然后置入快速热处理装置，同时充入保护气体Ar；2）第一升温阶段、保持温度；3）第二升温阶段，稳定温度阶段8；4）第三升温阶段；5）第四升温阶段，退火阶段；6）降温阶段。本发明的有益效果：可以在任何采用灯光辐射为热源的商用快速热处理装置内实施，作为托盘的硅片可以采用多种规格的商用抛光单晶硅片，成本低。退火方法能够去除碳化硅晶片表面水汽，稳定温度。通过改变设定值，能够在保证峰值热处理温度的控制精度前提下，提高升温速率。最终减小退火后的欧姆接触电阻，提高欧姆接触的质量，器件可靠性和成品率。