碳化硅离子注入及欧姆接触研究

摘要

本文对SiC 离子注入和欧姆接触进行了深入的研究。本文从金属半导体接触的实验过程入手，阐述了本文所建立的SiC 欧姆接触模型所涉及到的半导体器件物理理论，包括金属半导体肖特基接触理论、Nn 异质结理论和nn +理论。根据大量的实验文献，研究了金属半导体界面在高温退火过程中发生的反应和生成物，分别对p 型和n 型的SiC 欧姆接触的载流子输运机理进行深入的研究，提出了说明p 型和n 型欧姆接触形成的能带模型，即渐变异质结结构模型，并且对本文所提出的模型使用器件模拟软件ISE TCAD 进行了二维I-V 特性模拟验证，对n 型和p 型SiC 欧姆接触提出了统一的物理模型。在p 型和n 型SiC 欧姆接触的已有工艺基础上，进行欧姆接触制造工艺的改进，以期达到良好的稳定性。对欧姆接触的制造和工艺具有一定的指导意义。 按照前面对SiC 欧姆接触模型的研究，设计了相关的实验。在介绍实验流程之前，首先介绍了SiC 中的杂质、离子注入技术、离子注入存在的问题，以及离子注入后的退火过程中，所涉及到的退火掩膜问题。然后详细研究了SiC 欧姆接触制造工艺中的关键工艺流程，最后介绍了刚刚流片结束的实验流程和实验结果，实验取得了良好的结果。 比接触电阻的测试是评价所制造的欧姆接触水平的一个重要手段。本文最后介绍了欧姆接触比接触电阻的各种测试方法，探讨了最常用的矩形TLM 法和其他一些常用的测试方法，比较了各种测试方法在欧姆接触比接触电阻测试中的优缺点，对最常用的矩形TLM 法引入的误差进行了分析并讨论了修正方法。

目录

文摘

英文文摘

创新性声明及关于论文使用授权的说明

第一章 绪论

第二章 欧姆接触理论

第三章 欧姆接触模型研究

第四章 欧姆接触实验

第五章 欧姆接触的测试

结论

致 谢

参考文献

硕士期间参加课题研究及论文发表情况