メタルアニール工程を省いた4H-SiCイオン注入n~+層オーミックコンタクト実現の検討

摘要

これまでに、4H-SiC基板上に高濃度にリンをドープしたアモルファスSi（a-Si）層を堆積し、結晶化熱処理の後にAl を堆積したAl／n-poly-Si／4H-SiC構造によって、n型オーミック特性が得られることが報告されている［2］。この手法は、Al堆積後の熱処理が必要なく、メタルアニール工程が必要無い低温プロセス技術である。本研究の目的は、n~+イオン注入層上にて上記メタルアニール工程の必要無い低温プロセス技術が実現可能かを検証することである。実際のMOSFET作製工程ではn~+イオン注入層上に電極を形成するため、Al／n-poly-Si構造が適応可能か検証する必要がある。本研究では、イオン注入層上にTEG（Test Element Group）を作製し、TLM（Transfer Length Method）測定［3］によるオーミック特性の評価を試みた。