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杨林安; 张义门; 于春利; 张玉明; 陈刚; 黄念宁;
西安电子科技大学微电子研究所;
南京电子器件研究所;
碳化硅; 退火; 表面分析; 欧姆接触; I-V特性;
机译:退火对离子注入硅MESFET开关特性的影响
机译:高温退火对4H-SiC刻蚀形状的各向异性转变及其离子注入的增强
机译:4H-SiC MESFET基本逻辑门的高温电气特性
机译:退火对铝离子注入形成p〜+ n 4H-SiC二极管特性的影响
机译:退火离子注入碳化硅材料和器件的特性。
机译:退火气氛对Ga2O3 / 4H-SiC n-n异质结二极管特性的影响
机译:第二次高温退火对离子注入金刚石的影响
机译:高温稳定工作的4H-SIC非挥发性存储设备的特性
机译:具有改善的开路燃耗特性的平面离子注入GaAs MESFET的制造方法
机译:平面离子注入GaAs MESFET具有改善的明渠烧毁特性
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