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万彩萍1; 王世海1; 周钦佩1; 许恒宇1;
[1]中国科学院微电子研究所,北京;
4H-SiC; 激活退火; F离子; 元素浓度; SIMS;
机译:4H-SiC高温激活退火对F离子扩散的影响
机译:高温退火(T> 1650 c)对P型植入4H-SIC层的形态学和电性能的影响
机译:高温形成气体退火对硅酸镧和ALD SiO_2栅介质的4H-SiC横向MOSFET的电性能的影响
机译:大气压热等离子体喷射退火4H-SiC中高温植入磷原子的激活
机译:射频等离子体辅助分子外延生长氮化镓:通过RHEED-TRAXS测定表面化学计量,氮化镓:铍退火以及活性氮种类,表面极性和过量的镓超压对高温极限的影响。
机译:气体退火对ALN / 4H-SIC温度传感器敏感性的影响
机译:高温活化退火对4H-SIC中F离子扩散的影响
机译:al + - 和p + - 注入4H-siC的超高温微波退火;期刊论文
机译:通过脉冲快速热退火消除4H-SIC中的基面位错
机译:脉冲快速热退火消除4H-SIC中的基底平面错位
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