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张通和; 吴瑜光; 张通和;
中国教育部射线束技术和材料改性重点实验室;
北京师范大学低能核物理所;
硅; 离子注入; 快速退火; 硅化物;
机译:快速热退火后低剂量砷离子注入硅的室温光致发光特性
机译:离子注入硅的快速热退火特性
机译:使用大剂量H〜+离子注入绝缘体上硅层并随后进行快速热退火来形成纳米晶硅膜
机译:双离子注入硅合成氧氮化硅层的结构和电学特性及其退火行为的研究
机译:使用脉冲阴极电弧沉积和快速热退火制备C54钛硅化物薄膜。
机译:通过硅衬底上溅射的Ge / Sn / Ge层的快速热退火合成Ge1-xSnx合金薄膜
机译:硅化物增强快速热退火制备多晶硅薄膜及其在薄膜晶体管中的应用
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:使用溅射金属沉积,金属离子注入或硅注入以及激光退火为CMOS器件生产双栅极(一种金属和一种多晶硅或金属硅化物)的方法
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