机译:快速热退火后低剂量砷离子注入硅的室温光致发光特性
机译:快速热退火后低剂量砷离子注入硅的室温光致发光特性
机译:高温快速热退火后低剂量砷和硼注入的硅中残留缺陷的热行为
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:高温快速热退火后低剂量植入硅中残余损伤的热行为
机译:通过快速热化学气相沉积进行硅锗生长的温度控制和表征。
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:室温的转移 - 低气+ -implanted的SiO2Films经受快速热退火的影响
机译:离子注入Znse快速热退火的各种加帽技术的光致发光光谱和卢瑟福背散射通道评价