首页> 外文OA文献 >Shift in room-temperature photoluminescence of low-fluence Si+-implanted SiO2films subjected to rapid thermal annealing

【2h】

Shift in room-temperature photoluminescence of low-fluence Si+-implanted SiO2films subjected to rapid thermal annealing

机译：室温的转移 - 低气+ -implanted的SiO2Films经受快速热退火的影响

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Ming-Yue Fu; Jen-Hwan Tsai; Cheng-Fu Yang; Chih-Hsiung Liao;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2008
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Shift in room-temperature photoluminescence of low-fluence Si+-implanted SiO2 films subjected to rapid thermal annealing [J] . Science and technology of advanced materials . 2008,第4期

机译：快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
2. Formation of a broad photoluminescence band from Si+-implanted SiO2 films by varying the heating rate of rapid thermal annealing [J] . Ming-Yue Fu Jen-Hwan Tsai and Cheng-Fu Yang Optical Engineering . 2010,第7期

机译：通过改变快速热退火的加热速率，由注入Si +的SiO2薄膜形成宽的光致发光带
3. Temperature dependent photoluminescence in oxygen ion implanted and rapid thermally annealed ZnO/ZnMgO multiple quantum wells [J] . Xiaoming Wen, Jeffrey A. Davis, Lap Van Dao, Applied Physics Letters . 2007,第22期

机译：注入氧离子并快速热退火的ZnO / ZnMgO多量子阱中的温度依赖性光致发光
4. Photoluminescence and electrical properties of InGaAs/InP composite channel metamorphic HEMT structures subjected to rapid thermal annealing [C] . Yuwei Liu, Hong Wang, Yongzhong Xiong Indium Phosphide and Related Materials, 2004. 16th IPRM. 2004 International Conference on . 2004

机译：快速热退火的InGaAs / InP复合沟道变质HEMT结构的光致发光和电学性质
5. Photoluminescence study of as-grown and thermally annealed bulk ZnO crystals. [D] . Wang, Lijun. 2004

机译：生长和热退火的块状ZnO晶体的光致发光研究。
6. Shift in room-temperature photoluminescence of low-fluence Si+-implanted SiO2 films subjected to rapid thermal annealing [O] . Ming-Yue Fu, Jen-Hwan Tsai, Cheng-Fu Yang, 2008

机译：快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
7. Photoluminescence study of rapid thermal annealing from nitrogen-implanted In0.32Ga0.68P [O] . CHEN CW 2012

机译：注入氮的In0.32Ga0.68P快速热退火的光致发光研究

Shift in room-temperature photoluminescence of low-fluence Si+-implanted SiO2films subjected to rapid thermal annealing

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅