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单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型

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在考虑B ,P ,As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上 ,讨论了快速热退火对 3种注入离子浓度分布的影响 ,提出了 3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型 .由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好 .

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来源
《北京师范大学学报：自然科学版》|2003年第3期|325-329|共5页
作者
周会; 郭慧民; 田强;
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作者单位

北京师范大学物理学系;

北京师范大学低能核物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
单晶硅; 离子注入; 快速热退火; 浓度分布模型; 工艺模型; 退火温度; 退火时间; 杂质掺杂;
入库时间 2022-08-20 13:32:56

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