机译:高温快速热退火后低剂量砷和硼注入的硅中残留缺陷的热行为
Research and Development Division, Panasonic Corporation, Device Solutions Center, Osaka, Japan;
Impurities; Positrons; Rapid thermal annealing; Resistance; Semiconductor device measurement; Silicon; Residual damage; ion implantation; rapid thermal annealing (RTA); silicon;
机译:高温快速热退火在多晶硅薄膜中的残余应力松弛
机译:高温快速热退火在多晶硅薄膜中的残余应力松弛
机译:高温退火后低剂量砷注入硅中的残留缺陷
机译:高温快速热退火后低剂量植入硅中残余损伤的热行为
机译:分析激光热处理硅的热退火行为
机译:碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究
机译:关于BF 2 + -implanted和快速热退火的结构缺陷的起源:无缺陷再生的条件
机译:BF sub 2+ - 嵌入和快速热退火硅结构缺陷的起源:无缺陷再生的条件