机译:使用大剂量H〜+离子注入绝缘体上硅层并随后进行快速热退火来形成纳米晶硅膜
机译:使用大剂量H〜+离子注入绝缘体上硅层并随后进行快速热退火来形成纳米晶硅膜
机译:在植入高剂量氢离子的绝缘体上硅膜中,通过毫秒脉冲热退火引起的结晶
机译:准分子激光沉积与快速热退火相结合在绝缘体上硅衬底上制备PB(ZR0.52TI0.48)O-3薄膜
机译:质子辐射对薄膜硅太阳能电池特性和微晶硅层的影响及随后的热退火
机译:沉积后注入和退火对PECVD沉积氮化硅膜性能的影响
机译:不同退火温度下硅上热原子层沉积Al2O3膜的钝化机理
机译:通过快速热退火和闪光灯退火使硅和绝缘子上的硅中的硼活化和扩散