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陈素华; 王海波; 赵亮; 马继开;
大连理工大学电信学院电子系;
碳化硅; 氢等离子体; 欧姆接触; 比接触电阻率;
机译:Ti / Al / Ti / W无金欧姆接触通过预欧姆凹槽蚀刻和低温退火与AlGaN / GaN异质结构的机理
机译:利用脉冲激光退火在4H-SiC C面上形成外延Ti-Si-C欧姆接触
机译:适用于4H-SiC功率器件的低电阻Ti-Si-C欧姆接触,采用激光退火
机译:使用激光退火的4H-SiC功率器件的低电阻Ti-Si-C欧姆接触
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:溅射沉积Ti在4H-SiC上一步合成Ti3SiC2欧姆接触的过程
机译:低温电阻欧姆接触中等掺杂的n-Gaas,低温处理
机译:4H-SiC形成4H-SiC基板半导体的欧姆接触及其制造方法
机译:形成4H-SiC衬底半导体的欧姆接触及其制造方法
机译:在P型4H-SIC基板上形成欧姆接触的方法
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