一种n型低电阻率的4H-SiC欧姆接触制造方法

摘要

本发明公开了一种n型低电阻率的4H‑SiC欧姆接触制造方法，包括以下步骤：步骤1，将n型4H重掺杂SiC衬底进行清洗；步骤2，在n型4H重掺杂SiC衬底的背表面上淀积金属镍层；步骤3，使用LPCVD设备加热金属镍层，使得金属镍层渗入到n型4H重掺杂SiC衬底中，金属镍层中的镍金属和SiC发生化合反应，形成NixSiy和碳团簇层，完成欧姆接触。使用LPCVD设备形成SiC材料的欧姆接触，在退火过程中使得Ar气流量和腔室内真空压力值稳定可控，硅化镍/SiC系统能够在循序渐进的升温过程中从肖特基接触平稳过渡到欧姆接触，减少在复杂的硅化过程中诱生的结构缺陷，在较低的高掺杂浓度下，形成稳定、有效、均匀的NixSiy和碳团簇层硅化物，完成欧姆接触的制备过程。