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王超; 张义门; 张玉明; 郭辉; 徐大庆; 王悦湖;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
欧姆接触; 半绝缘碳化硅; 钒离子注入; 扩散; 碳空位;
机译:SiC MOSFET的低温金属化工艺在n型和p型离子注入4H-SiC上的欧姆接触
机译:部分注入硅离子的n〜+ 4H-SiC硅化镍的低电阻欧姆接触形成
机译:P型注入4H-SiC的Ti / Al / Ni欧姆接触的研究
机译:同时形成4H-SiC RSD的p型和n型Ni / Ti / Al / Ag欧姆接触
机译:镍/金和钯/金欧姆接触与清洁的p型氮化镓(0001)表面之间形成的界面的电,化学和结构表征。
机译:p型注入4H-SiC上形成的欧姆接触的纳米级电结构表征
机译:与si注入和未注入的n型GaN的欧姆接触
机译:4H-SiC形成4H-SiC基板半导体的欧姆接触及其制造方法
机译:在P型4H-SIC基板上形成欧姆接触的方法
机译:形成4H-SiC衬底半导体的欧姆接触及其制造方法
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