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n型4H-SiC欧姆接触技术研究进展

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主要对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=1.12×10-5Ω·cm2,ρc=2.75×10-6Ω·cm2能够很好的满足SiC器件的需要.

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来源
《第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会》|2005年|245-247|共3页
会议地点北京
作者
陈刚; 耿涛; 柏松;
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作者单位

中国半导体行业协会;

中国国际贸易促进委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
欧姆接触; 特征接触电阻率; 反应离子刻蚀; 超声剥离法; 高倍光学显微镜; 快速退火法;

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