p型4H-SiC欧姆接触设计与研究

目录

声明

1 绪论

1.1 论文研究意义

1.1.1 SiC材料特性

1.1.2 SiC器件工艺难题

1.2 SiC欧姆接触国内外发展现状

1.2.1 n型SiC欧姆接触

1.2.2 p型SiC欧姆接触

1.2.3 同时形成n型和p型SiC欧姆接触

1.3 本文的主要工作

2 欧姆接触原理及工艺制备

2.1 SiC欧姆接触基本原理

2.1.1 金属-半导体接触重要参数

2.1.2 肖特基（Schottky）势垒的形成

2.1.3 载流子输运机制及方程

2.1.4 欧姆接触形成的原理

2.2 SiC欧姆接触的测试方法

2.2.1 比接触电阻ρc

2.2.2 常用的比接触电阻ρc测试方法

2.2.3 本文采用的比接触电阻ρc测试方法

2.3 样品制备工艺

2.3.1 标准工艺介绍

2.3.2 本文制备的样品参数及工艺过程

2.3.3 电学参数测试

2.3.4 结构表征

2.4 本章小结

3 Al/Si/Ni/p型4H-SiC欧姆接触

3.1 金属方案的选择

3.2 比接触电阻ρc

3.2.1 不同退火温度的研究

3.2.2 不同接触材料厚度比例的研究

3.3 微观结构分析

3.4 本章小结

4 Al/Ti/Cu/p型4H-SiC欧姆接触

4.1 金属方案的选择

4.2 比接触电阻ρc

4.2.1 不同退火温度的影响

4.2.2 不同金属材料厚度的影响

4.3 微观结构分析

4.4 本章小结

5 总结与展望

致谢

参考文献

附录一