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朱会丽; 陈厦平; 吴正云;
厦门大学物理系;
光电子学; 4H—SiC; P型欧姆接触; X射线光电子能谱; 雪崩光电探测器;
机译:创建与4H-SiC的室温欧姆接触:通过特定的接触电阻测量和X射线光电子能谱研究
机译:具有Au / Zn低电阻欧姆接触的双浮动保护环型InP-InGaAs雪崩光电二极管的特性
机译:用于n型和p型4H-SiC的Ti / Al / Si欧姆接触
机译:Ni_2SI欧姆接触植入4H-SIC型Ni_2SI欧姆接触电流传输机制的比较研究
机译:改进了欧姆接触和接触几何形状,以提高远红外浅施主量子阱光电探测器的灵敏度
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:自驱动光电探测器:GASE / MOS 2异质结构,具有欧姆接触电极,用于快速,宽带光响应和自驱动光电探测器(ADV。母体。接口9/2020)
机译:用于2微米波长的基于InGaassb的雪崩光电探测器的建模
机译:用于将光学信号转换为电子信号的雪崩光电探测器元件,雪崩光电探测器的使用以及制造雪崩光电探测器的方法
机译:欧姆接触,特别是对于p型氮化镓,例如通过金属热氧化生成p型半导体氧化物生产LED,激光二极管,光电探测器和微电子元件中的
机译:在P型4H-SIC基板上形成欧姆接触的方法
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