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韩茹; 杨银堂; 王平; 崔占东; 李亮;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
中国电子科技集团公司第13研究所;
碳化硅; 欧姆接触; 碳空位; 界面能带结构;
机译:在n型4H-SiC衬底上进行欧姆接触的Cu / Si / Cu多层结构
机译:p型4H-SiC多层结构的低电阻TiAl欧姆接触
机译:SiC MOSFET的低温金属化工艺在n型和p型离子注入4H-SiC上的欧姆接触
机译:不同金属对N型4H-SiC的欧姆接触特性的比较
机译:铟过渡金属与n型砷化镓的欧姆接触的热力学研究,以及季镓-铟-(过渡或贵金属)-砷体系的热化学行为概述。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:用Zn / pd / au金属化制备p型Gaas的低阻欧姆接触
机译:4H-SiC形成4H-SiC基板半导体的欧姆接触及其制造方法
机译:在P型4H-SIC基板上形成欧姆接触的方法
机译:形成4H-SiC衬底半导体的欧姆接触及其制造方法
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