在p型III-V氮化物材料上制造低电阻率欧姆接触的方法

摘要

本发明的一个实施例提供了一种用于制造具有欧姆接触层的III－V族氮化物结构的方法。该方法包括制造具有p型层的III－V族氮化物结构。该方法还包括在该p型层上沉积欧姆接触层，而不首先对该p型层进行退火。该方法还包括随后在预定的温度下在退火腔室中将该p型层和该欧姆接触层退火预定的时间段，由此在单一的退火工艺中减小该p型层和该欧姆接触层的电阻率。