NITRIDES; SEMICONDUCTORS (MATERIALS); CHEMICAL ELEMENTS; CRYSTAL GROWTH; PATENTS;
机译:设计单元半导体接口:一种使用II-VI和III-V半导体材料的材料修改方法
机译:比较LDA和GGA功能在预测ZINCBLENDE结构中III-V半导体材料的晶格导热系数的性能:ALAS和BAS的情况
机译:集成在III-V半导体上的功能材料
机译:III-V复合半导体材料对纳米级圈模拟性能的研究
机译:基于III-V半导体和低尺寸材料的光电晶体管,用于在高温下进行高速成像
机译:基于混合Si / III-V平台中集成高Q谐振器的高相干半导体激光器
机译:III-V半导体中的现实G型和K.P参数和半导体层材料的预测