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陈志权; 李世清; 王柱; 胡新文; 王少阶; 侯明东;
武汉大学物理系;
中国科学院近代物理研究所;
正电子湮没; 辐照效应; 离子注入; 砷化镓; 磷化铟;
机译:正电子IT没谱法鉴定高能氧辐照III-V族化合物半导体中的空位类型缺陷
机译:纳米构图开始时离子辐照的III-V族化合物半导体的大规模分子动力学
机译:通过拉曼光谱和霍尔测量探测高能离子辐照的III-V半导体中的载流子补偿
机译:高通量离子注入机,用于III-V族化合物半导体对环境有益的产品
机译:激光辐照MOMBE法选择性生长III-V族化合物半导体的研究
机译:高能离子辐照对Fe(SeTe)中超导性和涡旋钉扎的成像原子尺度效应
机译:III-V族化合物半导体材料上的交叉金属 - 半导体 - 金属(msm)光电探测器。
机译:离子束在III-V族化合物半导体器件制备中的应用。
机译:制备III-V族化合物晶体的方法,制备种子基质的种子晶体的方法,III-V族化合物的晶体,半导体器件,III-V族化合物的晶体制备装置,种子晶体,基质材料的制备器械
机译:发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译:III-V族III-V族化合物半导体纳米线场效应晶体管和开关元件
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