半导体InP的高能重离子辐照效应研究

摘要

本文利用５００ＭｅＶ的Ｎｅ离子对掺Ｚｎ的ＩｎＰ的半导体进行了辐照，并且ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟及正电子湮没技术研究了辐照产生的缺陷．模拟计算结果表明，注入的Ｎｅ的离子及辐照产生的缺陷均主要集中在离子射程末端，由正电子寿命测量结果可知，在低剂量辐照时，产生的空位为单空位，当辐照齐量增大时，单空位由于相互聚合变成双空位及空位团，随着剂量进一步增大，还会形成无序的非晶层．