高能重离子辐照二氧化硅玻璃产生E′心的机理研究

摘要

室温下用电子顺磁共振技术对1.157 GeV 56Fe 和1.755 GeV 136Xe 离子辐照的二氧化硅玻璃进行了测量分析,研究了高能重离子辐照产生E′心的规律.测量结果显示,随着离子剂量的增加,E′心的数量逐渐增大并在高剂量时趋于饱和.用单离子饱和损伤模型对实验结果进行了拟合,获得了E′心的产生截面为137.8 nm2.通过建立E′心浓度随电子能损和核能损沉积能量的变化关系,证明了E′心的产生主要来自于入射高能重离子的电子能损过程.