机译:制备III-V族化合物晶体的方法,制备种子基质的种子晶体的方法,III-V族化合物的晶体,半导体器件,III-V族化合物的晶体制备装置,种子晶体,基质材料的制备器械
公开/公告号JP2014055091A
专利类型
公开/公告日2014-03-27
原文格式PDF
申请/专利号JP20120202137
发明设计人 MORI YUSUKE;IMAIDE KAN;YOSHIMURA MASASHI;HIRAO MIHOKO;MORIKAZU YOJI;TAKEDA NOBORU;NISHINO YOKO;
申请日2012-09-13
分类号C30B29/38;C30B19/12;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:18:39