掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
International Conference on Ion Implantation Technology
International Conference on Ion Implantation Technology
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
Novel implantation mode application in FinFET structure
机译:
FinFET结构中的新型注入模式应用
作者:
Ger-Pin Lin
;
Ching-I Li
;
Po-Heng Lin
;
Chih-Ming Tai
;
Ruey-Dar Chang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Doping profiles;
FinFETs;
Implants;
Monte Carlo methods;
Performance evaluation;
Three-dimensional displays;
FinFET;
Monte-Carlo simulation;
conformal;
ion implant;
2.
The features of cold boron implantation in silicon
机译:
硅中冷硼注入的特征
作者:
Vyatkin A.F.
;
Agafonov Yu.A.
;
Zinenko V.I.
;
Saraikin V.V.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Boron;
Films;
Ion implantation;
Ions;
Silicon;
Solids;
Temperature distribution;
boron;
cold implantation;
condensed films;
recoil implantation;
3.
Activation and defect dissolution of non-amorphizing, elevated temperature Si
+
implants into In
0.53
Ga
0.47
As
机译:
非非晶态高温Si
+ sup>植入物在In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As中的活化和缺陷溶解
作者:
Lind A.G.
;
Jones K.S.
;
Hatem C.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Hall effect;
Implants;
Silicon;
Temperature distribution;
Temperature measurement;
Defects;
Diffusion;
InGaAs;
Ion-Implantation;
4.
Development of compact gas cluster ion beam (GCIB) equipment and ultra-surface smoothing
机译:
紧凑型气体团簇离子束(GCIB)设备的开发和超表面平滑
作者:
Hanazono K.
;
Tokiguchi K.
;
Kataoka I.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Diamonds;
Optical wavelength conversion;
Radiation effects;
Rough surfaces;
Smoothing methods;
Surface roughness;
Surface treatment;
CVD diamond;
GCIB;
WC;
hard processing material;
5.
Study on the improved thermal stability of cobalt silicide film by using cryogenic carbon PAI
机译:
低温碳PAI提高硅化钴薄膜热稳定性的研究
作者:
Jung-Yi Guo
;
Jeng-Hwa Liao
;
Yu-Min Lin
;
Chun-Min Cheng
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Carbon;
Films;
Microstructure;
Silicon;
Substrates;
Thermal stability;
CoSiinf2/inf;
Cryogenic carbon PAI;
thermal stability;
6.
The prospects and challenges in junction process technology for advanced semiconductor devices
机译:
先进半导体器件结工艺技术的前景与挑战
作者:
Suguro Kyoichi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Crystals;
Doping;
Impurities;
Ion implantation;
Plasma temperature;
Silicon;
annealing;
defects;
diffusion;
electrical activation;
ion implantation;
material modification;
7.
Comparison of spot and wide beam implanters for making SOI wafers by layer transfer
机译:
通过层转移制造SOI晶片的点和宽束注入机的比较
作者:
Jost Z.
;
Jones A.
;
Lottes C.
;
Peidous I.
;
Ries M.
;
Usenko A.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Helium;
Hydrogen;
Implants;
Silicon;
Strain;
Substrates;
Temperature measurement;
SOI;
helium implantation;
hydrogen ion implantation;
layer transfer;
spot beam;
wide beam;
8.
VIISta HCPt: High current productivity solution for flash devices
机译:
VIISta HCPt:闪存设备的高电流生产率解决方案
作者:
Perel Alex
;
Bassom Neil
;
Chaney Craig
;
Chennadi Sruthi
;
Cucchetti Antonella
;
Klein Jeff
;
Young James
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Cathodes;
Ion sources;
Lenses;
Magnetic analysis;
Particle beams;
Plasmas;
Tuning;
9.
Damage engineered Se implant for NMOS TiSi
x
contact resistivity reduction
机译:
NMOS TiSi
x inf>接触电阻率降低的损伤工程硒植入物
作者:
Rao K.V.
;
Khaja F.A.
;
Ni C.N.
;
Sharma S.
;
Zheng B.
;
Ramalingam J.
;
Gelatos J.
;
Lei J.
;
Mayur A.
;
Hung R.
;
Banthia V.
;
Brand A.
;
Variam N.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Contacts;
Implants;
Metals;
Silicides;
Silicon;
14nm;
CMOS;
Contact Resistivity;
Se Implant;
Titanium Silicide;
millisecond laser anneal;
n-SD;
10.
Increase of sp3 content in a-C films with gas cluster ion beam bombardments; XPS and NEXAFS study
机译:
气体团簇离子束轰击提高a-C膜中sp3含量; XPS和EXAFS研究
作者:
Toyoda Noriaki
;
Kimura Asahi
;
Yamada Isao
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Acceleration;
Carbon;
Diamond-like carbon;
Films;
Ion beams;
Radiation effects;
Surface treatment;
NEXAFS;
XPS;
amorphous carbon;
gas cluster ion beam;
11.
Integrated divergent beam for FinFET Conformal Doping
机译:
用于FinFET保形掺杂的集成发散光束
作者:
Ching-I Li
;
Ger-Pin Lin
;
Padmanabhan Rekha
;
Cai Gary N.
;
Zhimin Wan
;
Platow Wilhelm
;
Saadatmand Kourosh
;
Po-Heng Lin
;
Chih-Ming Tai
;
Ruey-Dar Chang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Doping profiles;
FinFETs;
Implants;
Monte Carlo methods;
Performance evaluation;
Semiconductor process modeling;
FinFET;
Monte-Carlo simulation;
conformal;
divergent;
ion implant;
12.
The effect of strain on carrier mobility
机译:
应变对载流子迁移率的影响
作者:
Prussin Simon A.
;
Joshi Abhijeet
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Boron;
Conductivity;
Implants;
Junctions;
Semiconductor device measurement;
Silicon;
Strain;
Direct mobility measurement;
Strain enhancement of mobility;
13.
Fabrication of high-performance carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) and CNTFET-based electronic circuits with semiconductors as the source/drain contact materials
机译:
以半导体为源/漏接触材料的高性能碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)和基于CNTFET的电子电路的制造
作者:
Tramble Ashley
;
Burns Pharaoh
;
Hayden Shareka
;
Moten Roderick
;
Xiao Zhigang
;
Camino Fernando
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
CNTFETs;
Carbon nanotubes;
Contacts;
Inverters;
Logic gates;
Semiconductor device measurement;
Carbon nanotube field-effect transistor;
inverter;
transfer characteristics;
14.
Formation of Source/Drain extension by Antimony implantation for high performance DRAM peripheral transistors
机译:
通过锑注入形成高性能DRAM外围晶体管的源/漏扩展层
作者:
Jaechun Cha
;
Seungwoo Jin
;
Anbae Lee
;
Hun-Sung Lee
;
Dongseok Kim
;
Jihwan Park
;
Ilsik Jang
;
Ahyoung Oh
;
Se-Aug Jang
;
Seoungjin Yeom
;
Sungki Park
;
Cjay Cho
;
Sunny Hwang
;
Jongwon Park
;
Sungho Jo
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Ions;
Junctions;
Random access memory;
Resistance;
Silicon;
Transistors;
Antimony;
Source/Drain Extension;
15.
Optimization of Parameters for TVS breakdown voltage: Design and Fabrication
机译:
TVS击穿电压参数的优化:设计与制造
作者:
Tzu-Lang Shih
;
Wen-Hsi Lee
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Capacitance;
Clamps;
Electrostatic discharges;
Fabrication;
Junctions;
Semiconductor process modeling;
BJT;
Diode;
ESD;
TCAD;
TVS (Transient Voltage Suppressor);
Zener;
16.
Activation of low-dose Si+ implant into In
0.53
Ga
0.47
As with Al+ and P+ co-implants
机译:
用Al + sup>和P 将低剂量Si + sup>植入物激活到In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As中+ sup>共植入
作者:
Lind A.G.
;
Jones K.S.
;
Hatem C.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Doping;
Implants;
Indium gallium arsenide;
Ion implantation;
Resistance;
Silicon;
Co-Implantation;
InGaAs;
Ion Implantation;
17.
Study on the influence of implant dose rate and amorphization for advanced device characterization
机译:
植入剂量率和非晶化对高级器件表征的影响研究
作者:
Chin Y.L.
;
Yang C.Y.
;
Chiang C.K.
;
Chien C.C.
;
Yang N.H.
;
Lin J.F.
;
Li G.
;
Wu J.Y.
;
Felch S.B.
;
Bai X.
;
Lin W.C.
;
Wan Z.M.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Carbon;
Implants;
Ion beams;
Ion implantation;
Performance evaluation;
Shape;
Threshold voltage;
Amorphization;
Dose Rate;
18.
Using a remote plasma source for n-type Plasma Doping chamber cleans
机译:
使用远程等离子体源清洁n型等离子体掺杂室
作者:
Srivastava A.
;
Wilson A.
;
Koo I.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Aluminum;
Cleaning;
Doping;
Implants;
Plasma sources;
Chamber Clean;
N-Type Implant;
PLAD;
Plasma Doping;
Remote Plasma Source;
19.
A high performance double gate dopingless metal oxide semiconductor field effect transistor
机译:
高性能双栅极无掺杂金属氧化物半导体场效应晶体管
作者:
Loan Sajad A.
;
Bashir Faisal
;
Rafat M.
;
Alamoud Abdul Rahman M.
;
Abbasi Shuja A.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Cutoff frequency;
Doping;
Logic gates;
MOSFET;
Plasmas;
Semiconductor process modeling;
Silicon;
Charge plasma;
SOI;
cutoff frequency;
dual oxide;
subthreshold slope;
20.
Introduction of the S-UHE, a single-wafer ultra-high energy ion implanter
机译:
推出单晶片超高能离子注入机S-UHE
作者:
Watanabe Kazuhiro
;
Sasaki Haruka
;
Kabasawa Mitsuaki
;
Tsukihara Mitsukuni
;
Ueno Kazuyoshi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Acceleration;
Finite element analysis;
Implants;
Lenses;
Magnetic resonance;
Magnetic separation;
Particle beams;
LINAC;
S-UHE;
high energy implanter;
21.
Symmetric beam line technique for a single-wafer ultra-high energy ion implanter
机译:
单晶片超高能离子注入机的对称束线技术
作者:
Ninomiya Shiro
;
Sasaki Haruka
;
Inada Koji
;
Kato Koji
;
Amano Yoshitaka
;
Watanabe Kazuhiro
;
Kabasawa Mitsuaki
;
Kariya Hiroyuki
;
Tsukihara Mitsukuni
;
Ueno Kazuyoshi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Acceleration;
Electrostatics;
Ion beams;
Ion implantation;
Lenses;
Magnetic resonance imaging;
Trajectory;
Beam angle;
Beam parallelism;
Symmetric beam line;
Ultra-high energy;
22.
A study on Silicon Carbide (SiC) wafer using ion implantation
机译:
离子注入碳化硅晶片的研究
作者:
Weijiang Zhao
;
Tobikawa Kazuki
;
Nagayama Tsutomu
;
Sakai Shigeki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Force;
Implants;
Ion implantation;
Plasma temperature;
Reflectivity;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
HPSI-SiC;
IMPHEAT®;
PFG;
SiC;
Silicon Carbide;
ion;
ion implant;
23.
Using SuperScan™ and SuperScan II™ to improve V
t
variations in a p-channel power MOSFET device
机译:
使用SuperScan™和SuperScan II™改善p沟道功率MOSFET器件中的V
t inf>变化
作者:
Falk Scott
;
Kim Youn-Ki
;
Kaspareit Reiner
;
Colombeau Benjamin
;
Ritterhaus Yves
;
Holtmeier Henning
;
Lamaack Marcel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Implants;
MOSFET;
Materials;
Semiconductor device modeling;
Semiconductor process modeling;
Software;
Threshold voltage;
Power MOSFETs;
Threshold voltage variation;
24.
A study of surface condensation defect improvement after cryogenic implantation
机译:
低温植入后表面凝结缺陷改善的研究
作者:
Yu-Min Lin
;
Jung-Yi Guo
;
Jeng-Hwa Liao
;
Hsin-Ju Lin
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Cryogenics;
Elevators;
Heating;
Implants;
Surface treatment;
Temperature distribution;
condense defect;
cryogenic implantation;
heater lamp;
25.
A plasma doping process for 3D finFET source/drain extensions
机译:
用于3D finFET源极/漏极扩展的等离子体掺杂工艺
作者:
Cuiyang Wang
;
Tang Shan
;
Han Keping
;
Persing Harold
;
Maynard Helen
;
Salimian Siamak
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Doping;
FinFETs;
Plasmas;
Silicon;
Strips;
Surface treatment;
Arsenic;
FinFET;
Plasma doping;
conformal;
26.
Introducing Purion H, a scanned spot beam high current ion implanter
机译:
推出扫描点束高电流离子注入机Purion H
作者:
Vanderberg Bo
;
Heres Patrick
;
Eisner Edward
;
Libby Bruce
;
Valinski Joseph
;
Huff Weston
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Implants;
Ion beams;
Magnetic separation;
Microwave filters;
Optical filters;
Process control;
Productivity;
high current implant;
ion implantation systems;
27.
Process characterization for hydrogen and helium implantation
机译:
氢和氦注入的工艺表征
作者:
Guo Baonian
;
Gossmann Hans-Joachim L.
;
Waite Andrew
;
Chavva Venkataramana
;
Toh Terry
;
Chang Shengwu
;
Gori Brian
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Helium;
Hydrogen;
Implants;
Lattices;
Safety;
Sensitivity;
Silicon;
H and He implantation;
angle control;
double implantation;
28.
Elastomers for control of wafer temperature in the ≈50°C range during high dose ion implantation
机译:
高剂量离子注入过程中用于将晶圆温度控制在≈50°C范围内的弹性体
作者:
Springer Jeff
;
Wriggins Walt
;
Kusterer Juergen
;
Zotter Karl
;
Current Michael I.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Conductivity;
Implants;
Temperature distribution;
Temperature measurement;
Temperature sensors;
IR wafer temperature sensing;
elastomers;
heat transfer;
high power implantation;
29.
Estimation of plasma density distribution in IHC source by means of FEM calculation
机译:
通过有限元计算估算IHC源中的血浆密度分布
作者:
Sato Masateru
;
Kawaguchi Hiroshi
;
Nagai Takayuki
;
Kabasawa Mitsuaki
;
Tsukihara Mitsukuni
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Cathodes;
Finite element analysis;
Ion sources;
Plasma temperature;
Temperature measurement;
Thermal conductivity;
FEM calculation;
IHC ion source;
ambipolar plasma diffusion;
plasma density distribution;
30.
Atomic layer deposition of dopants for recoil implantation in finFET sidewalls
机译:
finFET侧壁中用于反冲注入的掺杂剂的原子层沉积
作者:
Seidel Thomas E.
;
Halls Mathew D.
;
Goldberg Alexander
;
Elam Jeffrey W.
;
Mane Anil
;
Current Michael I.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Atomic layer deposition;
Doping;
Films;
FinFETs;
Silicon;
Substrates;
Surface treatment;
atomic layer deposition;
finFET sidewall doping;
ion recoil mixing;
31.
Sputtering and chemical modification of solid surfaces using oxygen ion beams
机译:
使用氧离子束对固体表面进行溅射和化学改性
作者:
Takaoka Gikan H.
;
Ryuto Hiromichi
;
Takeuchi Mitsuaki
;
Tsujinaka Ryou
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Acceleration;
Ion beams;
Programmable logic arrays;
Radiation effects;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Surface treatment;
Implantation;
Ion beam;
Oxide formation;
Oxygen cluster;
Sputtering;
Surface modification;
Wettability;
32.
Laser thermal annealing of Ge, optimized for highly activated dopants and diode I
ON
/I
OFF
ratios
机译:
Ge的激光热退火,针对高度活化的掺杂剂和二极管I
ON inf> / I
OFF inf>比率进行了优化
作者:
Shayesteh M.
;
OConnell D.
;
Gity F.
;
Murphy-Armando F.
;
Yu R.
;
Huet K.
;
Toque-Tresonne I.
;
Cristiano F.
;
Boninelli S.
;
Henrichsen H.H.
;
Petersen D.H.
;
Nielsen P.F.
;
Duffy R.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Ion implantation;
Junctions;
Leakage currents;
Semiconductor diodes;
Semiconductor lasers;
Temperature measurement;
Ge;
Laser thermal annealing;
dopant activation;
ideality factor;
junction;
leakage current;
33.
Phosphorus redistribution caused by electrical deactivation of phosphorus at low temperatures
机译:
低温下磷的电钝化引起的磷再分布
作者:
Chang Ruey-Dar
;
Chih-Hung Lin
;
Hong Lu
;
Zhimin Wan
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Boron;
Hall effect;
Implants;
Resistance;
Silicon;
Temperature measurement;
deactivation;
diffusion;
interstitial;
phosphorus;
silicon-on-insulator;
34.
Temperature dependent current-voltage characteristics of microwave annealed Al+ implanted 4H-SiC p+-i-n diodes
机译:
微波退火Al + sup>注入4H-SiC p + sup> -i-n二极管的温度相关电流-电压特性
作者:
Nath A.
;
Rao Mulpuri V.
;
Moscatelli F.
;
Puzzanghera M.
;
Mancarella F.
;
Nipoti R.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
P-i-n diodes;
Temperature dependence;
Temperature distribution;
Temperature measurement;
4H-SiC;
Arrhenius plot;
ion-implantation;
p-i-n diode;
recombination-generation centers;
35.
VIISta 900 3D: Advanced medium current implanter
机译:
VIISta 900 3D:先进的中电流注入机
作者:
Sinclair Frank
;
Olson Joe
;
Rodier Dennis
;
Eidukonis Alex
;
Thanigaivelan Thirumal
;
Todorov Stan
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Current measurement;
Implants;
Insulators;
Magnetic flux;
Magnetic separation;
Particle beams;
Three-dimensional displays;
Dose Control;
Implant Angles;
Precision;
36.
Irradiation effects of fragment ions of tetradecane on glass surfaces
机译:
十四烷碎片离子对玻璃表面的辐照效应
作者:
Takaoka Gikan H.
;
Takeuchi Mitsuaki
;
Ryuto Hiromichi
;
Hayashi Kyohei
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Atomic measurements;
Carbon;
Glass;
Ions;
Optical surface waves;
Radiation effects;
Substrates;
Fragment ions;
Irradiation effect;
Mass separation;
Polyatomic ions;
Surface interaction;
37.
Total ionizing dose effects in high breakdown voltage SOI devices
机译:
高击穿电压SOI器件中的总电离剂量效应
作者:
Zhongjian Wang
;
Xinhong Cheng
;
Chao Xia
;
Dawei Xu
;
Lingyan Shen
;
Duo Cao
;
Li Zheng
;
Qian Wang
;
Yuehui Yu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Implants;
Leakage currents;
Logic gates;
Radiation effects;
Silicon;
Silicon-on-insulator;
Threshold voltage;
LDMOS;
LIGBT;
SOI;
Total ionizing dose (TID);
38.
Co-implantation with microwave annealing for phosphorous shallow-junction formation in Germanium
机译:
微波退火共注入用于锗中磷浅结的形成
作者:
Liu J.B.
;
Luo J.
;
Li J.F.
;
Chen C.
;
Wang G.L.
;
Chen T.
;
Li T.T.
;
Zhong J.
;
Wu D.P.
;
Xu P.
;
Zhao C.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Carbon;
Electrical resistance measurement;
Germanium;
Junctions;
Microelectronics;
Rapid thermal annealing;
carbon;
co-implantation;
microwave annealing;
39.
Investigation of floating gate depletion effect on NAND FLASH reliability
机译:
浮栅耗尽对NAND FLASH可靠性的影响研究
作者:
Jeng-Hwa Liao
;
Jung-Yi Guo
;
Yu-Min Lin
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Flash memories;
Implants;
Oxidation;
Plasma temperature;
Reliability;
Silicon;
cold implantation;
floating gate;
plasma oxidation;
poly bending;
poly loss;
40.
Continuum modeling of implantation and thermal processes for advanced devices formation
机译:
用于先进器件形成的注入和热过程的连续模型
作者:
Zographos Nikolas
;
Tsibizov Alexander
;
Zechner Christoph
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Ion implantation;
Mathematical model;
Semiconductor device modeling;
Semiconductor process modeling;
Silicon;
Silicon germanium;
annealing;
continuum;
ion implantation;
process modeling;
thermal processes;
41.
Selective microwave mode excitation and charge state distribution on the first stage of tandem type ECRIS
机译:
串联型ECRIS第一阶段的选择性微波模式激发和电荷状态分布
作者:
Kato Yushi
;
Kimura Daiju
;
Yano Keisuke
;
Kumakura Sho
;
Imai Youta
;
Nishiokada Takuya
;
Sato Fuminobu
;
Iida Toshiyuki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Current measurement;
Ion beams;
Ion sources;
Mobile communication;
Plasmas;
Tuners;
Charge state distributions;
First stage;
Selective microwave modes excitation;
Tandem-type ECR ion source;
42.
Damage engineering on Purion XE™ high energy ion implanter
机译:
Purion XE™高能离子植入机的损坏工程
作者:
Deluca J.
;
Satoh S.
;
Chen H.
;
Fox T.
;
Kondratenko S.
;
Reece R.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Current measurement;
Electrostatics;
Implants;
Ion beams;
Standards;
Temperature measurement;
Xenon;
implant damage;
ion beam scanning;
new hardware introduction;
43.
Implantation and metrology solutions for low energy boron implant on 450mm wafers
机译:
在450mm晶片上进行低能硼注入的注入和计量解决方案
作者:
Robbes A-S.
;
Meura K-A B-T.
;
Moret M-P.
;
Schuhmacher M.
;
Torregrosa F.
;
Borvon G.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Boron;
Doping;
Implants;
Plasmas;
Probes;
Silicon;
Spectroscopy;
450mm;
B dose mapping;
LEXES;
PIII;
PULSION®;
Shallow Probe;
44.
High temperature Plasma Immersion Ion Implantation of AsH3 using PULSION®
机译:
使用PULSION®的AsH3高温等离子体浸没离子注入
作者:
Torregrosa Frank
;
Duchaine Julian
;
Spiegel Yohann
;
Vivian Ludovic
;
Qin Shu
;
Hu Yongjun Jeff
;
McTeer Allen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Implants;
Plasma temperature;
Resistance;
Silicon;
Temperature measurement;
Amorphization;
AsH3 plasma doping;
High temperature implantation;
Plasma Immersion Ion Implantation;
45.
Crystallizing metal compound film on plastics by plasma-based ion implantation
机译:
通过基于等离子体的离子注入使塑料上的金属化合物膜结晶
作者:
Sakudo N.
;
Ikenaga N.
;
Sakumoto N.
;
Matsui K.
;
Kishi Y.
;
Yajima Z.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Crystallization;
Films;
Plasma density;
Plasma temperature;
Radiation effects;
Substrates;
NiTi;
crystallization;
ion implantation;
polyimide;
46.
Ion implanter performance improvement for boron doping by using boron trifluoride (BF
3
) and hydrogen (H
2
) mixture gases
机译:
通过使用三氟化硼(BF
3 inf>)和氢气(H
2 inf>)混合气体来改善硼掺杂的离子注入机性能
作者:
Ying Tang
;
Byl Oleg
;
Young-Ha Yoon
;
Yedave Sharad
;
Tien Biing-Tsair
;
Bishop Steve
;
Sweeney Joseph
;
Shin Woo Kang
;
Jun Jin Kang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Boron;
Cathodes;
Doping;
Hydrogen;
Implants;
Structural beams;
BFinf3/inf;
Beam Current;
Boron Trifluoride;
Gas Mixture;
Hinf2/inf;
Hydrogen;
Ion Implant;
P-type Doping;
Productivity Improvement;
Source Life;
47.
Simulation of AsH
3
plasma immersion ion implantation into silicon
机译:
AsH
3 inf>等离子体浸没离子注入硅的模拟
作者:
Burenkov Alex
;
Lorenz Juergen
;
Spiegel Yohann
;
Torregrosa Frank
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Plasma measurements;
Plasmas;
Radiation effects;
Semiconductor process modeling;
Silicon;
Sputtering;
Voltage measurement;
AsHinf3/inf plasma;
SIMS;
doping profiles;
plasma immersion ion implantation;
silicon;
simulation;
48.
Characterization of arsenic PIII implants in FinFETs by LEXES, SIMS and STEM-EDX
机译:
LEXES,SIMS和STEM-EDX对FinFET中砷PIII植入物的表征
作者:
Meura Kim-Anh Bui-Thi
;
Torregrosa Frank
;
Robbes Anne-Sophie
;
Seoyoun Choi
;
Merkulov Alexandre
;
Moret Mona P.
;
Duchaine Julian
;
Horiguchi Naoto
;
Letian Li
;
Mitterbauer Christoph
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Doping;
Etching;
FinFETs;
Implants;
Plasmas;
Silicon;
AsHinf3/inf plasma doping;
Fin Doping characterization;
FinFET doping;
LEXES;
PIII;
SIMS;
TEM-EDX;
49.
Ion beams, thermal processes and lithographic challenges
机译:
离子束,热工艺和光刻挑战
作者:
Levinson Harry J.
;
Brunner Timothy A.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Distortion measurement;
Ion beams;
Lithography;
Nonlinear distortion;
Resists;
Stress;
Ultraviolet sources;
ion beams;
lithography;
overlay;
stress;
thermal processes;
50.
SuperScan™: Customized wafer dose patterning
机译:
SuperScan™:定制的晶圆剂量图案
作者:
Todorov Stan S.
;
Sawyer John
;
Gibilaro Greg
;
Hussey Norm
;
Gammel George
;
Olden David
;
Welsch Marie
;
Parisi Nick
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Accuracy;
Graphical user interfaces;
Implants;
Ion implantation;
Performance evaluation;
Shape;
Three-dimensional displays;
ion implantation;
semiconductor device doping;
semiconductor manufacturing process control;
51.
Utilization of SAGS Type 1 delivery systems in novel doping applications
机译:
SAGS 1型输送系统在新型掺杂应用中的利用
作者:
Despres Joseph
;
Baumgart Greg
;
Yedave Sharad
;
Chambers Barry
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Doping;
Equations;
Mathematical model;
Predictive models;
Safety;
Valves;
FPD;
Ion Implant;
PLAD;
SAGS;
SDS;
Solar;
52.
Plasma Doping optimizing knock-on effect
机译:
等离子掺杂优化连锁效应
作者:
Tonari Kazuhiko
;
Suzuki Kouji
;
Suu Koukou
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Atomic layer deposition;
Boron;
Coils;
Doping;
Plasmas;
Radio frequency;
Resistance;
Binf2/infHinf6/inf;
boron;
doping;
ion implantation;
plasma;
53.
Radiation-induced effects in titanium alloys by α-particles irradiation
机译:
α粒子辐照对钛合金的辐照效应
作者:
Mukashev Kanat M.
;
Shadinova Kunsulu S.
;
Umarov Farid F.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Alloying;
Plastics;
Positrons;
Radiation effects;
Temperature measurement;
Titanium alloys;
α-particles irradiation;
annihilation photons;
point defects;
positron annihilation;
titanium alloys;
vacancy complex;
54.
Silicon defects characterization for low temperature ion implantation and spike anneal processes
机译:
低温离子注入和尖峰退火工艺的硅缺陷表征
作者:
Margutti Giovanni
;
Diego Martirani Paolillo
;
De Biase Marco
;
Latessa Luca
;
Barozzi Mario
;
Demenev Evgeny
;
Rubin Leonard M.
;
Spaggiari Claudio
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Boron;
Implants;
Lattices;
Silicon;
Temperature distribution;
defect reduction;
low temperature implant;
silicon defects;
55.
Efficient Monte Carlo simulation of ion implantation into 3D FinFET structure
机译:
离子注入3D FinFET结构的高效Monte Carlo模拟
作者:
Kubotera Hiroyuki
;
Kayama Yasuyuki
;
Nagura Sachio
;
Usami Yasutsugu
;
Schmidt Alexander
;
Kwon Uihui
;
Keun-Ho Lee
;
Youngkwan Park
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
FinFETs;
Integrated circuit modeling;
Ion implantation;
Noise;
Semiconductor process modeling;
Three-dimensional displays;
Trajectory;
FinFET;
Ion Implantation;
Monte Carlo Simulation;
Statistical Enhancement;
Trajectory Splitting Method;
56.
High-efficiency, high-productivity boron doping implantation by diboron tetrafluoride (B
2
F
4
) gas on Applied Materials solar ion implanter
机译:
在应用材料太阳离子注入机上通过四氟化二硼(B
2 inf> F
4 inf>)气体高效,高生产率地注入硼掺杂
作者:
Tang Ying
;
Byl Oleg
;
Avila Anthony
;
Sweeney Joseph
;
Ray Richard
;
Koo John
;
Min-Sung Jeon
;
Miller Timothy
;
Krause Stephen
;
Skinner Wesley
;
Mullin James
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Boron;
Doping;
Fluid flow;
Implants;
Materials;
Photovoltaic cells;
Tungsten;
Binf2/infFinf4/inf;
BFinf3/inf;
Beam Current;
Boron Trifluoride;
Diboron Tetrafluoride;
Efficiency;
Ion Implant;
P-type doping;
Productivity;
Solar;
Source life;
57.
Implant dopant activation comparison between silicon and germanium
机译:
硅和锗之间的植入物掺杂剂活化比较
作者:
Borland John O.
;
Konkola Paul T.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Germanium;
Implants;
Lasers;
Silicon;
Solids;
Temperature distribution;
antimony;
arsenic;
boron;
germanium;
laser annealing;
phosphorus;
rapid thermal annealing;
solid solubility;
58.
Beam angle control kit for angle sensitive implantation
机译:
光束角度控制套件,用于角度敏感植入
作者:
Chang B.
;
Kondratenko S.
;
Hsu P.K.
;
Kuo D.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Accuracy;
Detectors;
Hardware;
Implants;
Monitoring;
Process control;
Tuning;
beam angle;
channeling;
high-energy ion implanter;
59.
Molecular Layer Doping: Non-destructive doping of silicon and germanium
机译:
分子层掺杂:硅和锗的无损掺杂
作者:
Long Brenda
;
Alessio Verni Giuseppe
;
OConnell John
;
Holmes Justin
;
Shayesteh Maryam
;
OConnell Dan
;
Duffy Ray
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Atomic layer deposition;
Doping;
Germanium;
Silicon;
Substrates;
Surface treatment;
Chemistry;
Doping;
Germanium;
Molecular Layer Doping;
Silicon;
Surface Functionalisation;
60.
Study of AsH
3
Plasma Immersion Ion Implantation using PULSION®
机译:
PULSION ® sup>研究AsH
3 inf>等离子体浸没离子注入
作者:
Duchaine Julian
;
Torregrosa Frank
;
Spiegel Yohann
;
Borvon Gael
;
Qin Shu
;
Jeff Hu Yongjun
;
McTeer Allen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Electrical resistance measurement;
Junctions;
Plasmas;
Resistance;
Silicon;
Surface treatment;
AsH3;
Ion Implant;
PIII;
61.
Investigation of different post HK annealing impact on HK film property and device performance
机译:
研究不同的HK后退火对HK薄膜性能和器件性能的影响
作者:
Yonggen He
;
Zhang David Wei
;
Hailong Liu
;
Yong Chen
;
Guobing Yu
;
Youfeng He
;
Lan Jin
;
Jiaqi Wu
;
Jie Zhao
;
Weiji Song
;
Shaofeng Yu
;
Jingang Wu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Absorption;
Annealing;
Films;
Hafnium compounds;
Logic gates;
Photonic band gap;
Silicon;
HfOinf2/inf;
MSA;
interface trap;
oxygen vacancy;
post HK annealing (PDA);
62.
Carbon implantation performance improvement by using carbon monoxide (CO) gas on applied materials VIISta HCS implanter
机译:
通过在应用材料上使用一氧化碳(CO)气体来改善碳注入性能VIISta HCS注入机
作者:
Ying Tang
;
Dunn Jim
;
Bishop Steve
;
Elzer Danny
;
Sweeney Joseph
;
Morel Thomas
;
Courault Stephane
;
Horellou Gautier
;
Biossat Marc
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Carbon;
Fluid flow;
Gases;
Implants;
Productivity;
Tuning;
Beam Current;
CO;
COinf2/inf;
Carbon;
Dilution;
Dioxide;
Dopant;
HCS;
Ion Implant;
Monoxide;
Productivity;
Source Life;
VIISta;
63.
Determining defect strain effects on active layer mobility
机译:
确定缺陷和应变对有源层迁移率的影响
作者:
Joshi Abhijeet
;
Prussin Simon A.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Implants;
Scattering;
Silicon;
Strain;
Strain measurement;
Complete analysis of Activated Layers;
Strain-Effects and Defect Analysis;
64.
Contamination control in Axcelis Purion platform ion implanters
机译:
Axcelis Purion平台离子植入机中的污染控制
作者:
Kirkwood David A.
;
Deluca James
;
David Jonathan
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Adders;
Contamination;
Ion implantation;
Materials;
Metals;
Particle beams;
Particle measurements;
metals;
particles;
productivity;
yield;
65.
Instability in low energy beams extracted from BF
3
plasma
机译:
从BF
3 inf>等离子体提取的低能束中的不稳定性
作者:
Inouchi Yutaka
;
Matsumoto Takeshi
;
Dohi Shojiro
;
Naito Masao
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Current density;
Electrodes;
Ion beams;
Ion sources;
Plasmas;
Threshold voltage;
instability;
ion beam;
ion doping;
ion implantation;
ion source;
low energy;
66.
Silicon Tetrafluoride dopant gas for silicon ion implantation
机译:
用于硅离子注入的四氟化硅掺杂气体
作者:
Yedave Sharad
;
Tang Ying
;
Byl Oleg
;
Sweeney Joseph
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Fluid flow;
Implants;
Ion implantation;
Ion sources;
Isotopes;
Silicon;
Tungsten;
28SiFinf4/inf;
Gas Mixture;
Improvement;
Ion Implantation;
Isotopic Enrichment;
Optimization;
Si;
SiFinf3/inf;
Silicon Tetrafluoride;
Source life;
WFinfx/inf;
67.
Ultraviolet (UV) raman characterization of ultra- shallow ion implanted silicon
机译:
超浅离子注入硅的紫外(UV)拉曼表征
作者:
Yoo Woo Sik
;
Kang Kitaek
;
Ueda Takeshi
;
Ishigaki Toshikazu
;
Nishigaki Hiroshi
;
Hasuike Noriyuki
;
Harima Hiroshi
;
Yoshimoto Masahiro
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Implants;
Junctions;
Lattices;
Raman scattering;
Reflectivity;
Silicon;
Wavelength measurement;
Raman spectroscopy;
high resolution ion mass spectroscopy (HRXTEM);
ion implantation;
reflectance;
secondary ion mass spectroscopy (SIMS);
ultra-shallow junction;
68.
Scalability study of boron-based ULE implants for advanced CMOS technology
机译:
用于先进CMOS技术的硼基ULE植入物的可扩展性研究
作者:
Qin Shu
;
Hu Yongjun Jeff
;
McTeer Allen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Contamination;
Doping;
Implants;
Junctions;
Pollution measurement;
Scalability;
channeling effect;
plasma doping (PLAD);
ultra-low energy (ULE) implant;
ultra-shallow junction (USJ);
69.
Dopant profile engineering using ArF excimer laser, flash lamp and spike annealing for junction formation
机译:
使用ArF准分子激光器,闪光灯和尖峰退火进行掺杂剂轮廓工程以形成结
作者:
Scheit A.
;
Lenke T.
;
Bolze D.
;
Chiussi S.
;
Stefanov S.
;
Gonzalez P.
;
Schumann T.
;
Skorupa W.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Boron;
Doping profiles;
Junctions;
Silicon;
Surface emitting lasers;
arsenic;
boron;
excimer laser;
flash lamp;
germanium;
junction formation;
silicon;
spike annealing;
70.
Improved ion production and extraction on tandem type ECRIS with low magnetic mirror field
机译:
低磁镜场的串联式ECRIS的离子产生和提取得到改善
作者:
Kato Yushi
;
Yano Keisuke
;
Kimura Daiju
;
Kumakura Sho
;
Imai Youta
;
Nishiokada Takuya
;
Sato Fuminobu
;
Iida Toshiyuki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Cyclotrons;
Electrodes;
Ion beams;
Magnetic fields;
Magnetic resonance;
Mirrors;
Plasmas;
Improved ion beam productions;
Low magnetic mirror field;
Multi-electrodes extraction;
Tandem-type ECR ion source;
71.
Simulation of 3D FinFET doping profiles introduced by ion implantation and the impact on device performance
机译:
离子注入引入的3D FinFET掺杂轮廓的仿真及其对器件性能的影响
作者:
Wang Liping
;
Brown Andrew
;
Cheng Binjie
;
Asenov Asen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Doping profiles;
FinFETs;
Ion implantation;
Performance evaluation;
Semiconductor process modeling;
Three-dimensional displays;
Doping;
FinFETs;
Ion implantation;
Statistical variability;
72.
Modification of polypropylene films for thin film capacitors by ion implantation
机译:
通过离子注入改性薄膜电容器用聚丙烯薄膜
作者:
Haublein V.
;
Birnbaum E.
;
Ryssel H.
;
Frey L.
;
Grimm W.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Capacitors;
Electric breakdown;
Electrodes;
Films;
Implants;
Ion implantation;
Permeability;
ion implantation;
polypropylene;
thin film capacitor;
water vapor permeability;
73.
Channeling effect and energy contamination evaluations of B-based beam-line ULE implants - Tools and recipe set-up dependence
机译:
基于B的束线ULE植入物的通道效应和能量污染评估-工具和配方设置的依赖性
作者:
Qin Shu
;
Hu Yongjun Jeff
;
McTeer Allen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Contamination;
Doping;
Implants;
Junctions;
Semiconductor device modeling;
Silicon;
Temperature;
channeling effect;
energy contamination;
ultra-low energy (ULE) implant;
ultra-shallow junction (USJ);
74.
High throughput ion implanter for environmentally beneficial products with III–V compound semiconductor
机译:
高通量离子注入机,用于III-V族化合物半导体对环境有益的产品
作者:
Matsumoto Takeshi
;
Onoda Masatoshi
;
Orihira Kohich
;
Tatemichi Junichi
;
Guiot Eric
;
Petit Olivier
;
Courrenq Thibaut
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Indium phosphide;
Industries;
Ion sources;
Particle beams;
Plasmas;
Throughput;
GaN;
High current;
InP;
Ion implantation;
Smart Cut;
75.
Improved ion source stability using H
2
co-gas for fluoride based dopants
机译:
使用H
2 inf>助气改善氟化物基掺杂剂的离子源稳定性
作者:
Hsieh Tseh-Jen
;
Colvin Neil
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Contamination;
Hydrogen;
Implants;
Ion sources;
Particle beams;
Tungsten;
Doping Impurity Implantation;
Ion Sources;
Ion implantation;
76.
Impact of gallium implant for advanced CMOS halo/pocket optimization
机译:
镓注入对先进CMOS光晕/腔优化的影响
作者:
Chin Y.L.
;
Yang C.Y.
;
Lee T.H.
;
Yeh S.W.
;
Chang W.F.
;
Huang S.C.
;
Yang N.H.
;
Chien C.C.
;
Lin J.F.
;
Li G.
;
Wu J.Y.
;
Guo B.N.
;
Colombeau B.
;
Thanigaivelan T.
;
Pradhan N.
;
Wu T.
;
Hou M.
;
Chen S.
;
Chung C.
;
Toh T.
;
Kouzminov D.
;
Barrett D.
;
Shim K.H.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Capacitance;
Gallium;
Implants;
Indium;
Performance evaluation;
Random access memory;
Gallium;
device variability;
halo;
short channel effect;
77.
Solar cells doping by beam line and plasma immersion ion implantation
机译:
通过束线和等离子体浸没离子注入对太阳能电池进行掺杂
作者:
Coig M.
;
Milesi F.
;
Payen N.
;
Reboh S.
;
Mazen F.
;
Lanterne A.
;
Le Perchec J.
;
Gall S.
;
Veschetti Y.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Doping;
Ion implantation;
Photovoltaic cells;
Plasmas;
Resistance;
Silicon;
beam line ion implantation;
doping;
plasma immersion ion implantation;
silicon solar cells;
78.
SEN's SAVING techniques for productivity enhancement
机译:
SEN的SAVING技术可提高生产力
作者:
Ninomiya Shiro
;
Okamoto Yasuharu
;
Ochi Akihiro
;
Yumiyama Toshio
;
Kimura Yasuhiko
;
Inda Yoshiaki
;
Tsukihara Mitsukuni
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Implants;
Ion beams;
Ion implantation;
Process control;
Productivity;
Real-time systems;
Shape;
Control of scan speed;
Energy-saving;
Materials (process gas) saving;
Productivity improvement;
SAVING system;
79.
MeV-proton channeling in crystalline silicon
机译:
晶体硅中的MeV质子沟道
作者:
Jelinek M.
;
Schustereder W.
;
Laven J.G.
;
Schulze H.-J-
;
Kirnstoetter S.
;
Rommel M.
;
Frey L.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Crystals;
Electrostatics;
Implants;
Laser beams;
Protons;
Silicon;
channeling;
crystalline silicon;
proton implantation;
80.
Power and analog devices trends, challenges: Implant and thermal processing applications
机译:
电源和模拟设备的趋势,挑战:植入和热处理应用
作者:
Kuroi Takashi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
CMOS image sensors;
Gallium nitride;
Ion implantation;
Junctions;
Performance evaluation;
Silicon;
CMOS image sensor;
annealing;
ion implantation;
mixed signal devices;
power device;
81.
The influence of dose rate on ultra shallow surface dopant profile
机译:
剂量率对超浅表面掺杂剂分布的影响
作者:
Shao-Yu Hu
;
Ger-Pin Lin
;
Ching-I Li
;
Hong Lu
;
Zhimin Wan
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Doping profiles;
Implants;
Junctions;
Performance evaluation;
Standards;
Surface treatment;
Dose rate;
SIMS;
activation;
ion implant;
82.
Spreading resistance profiling of ultra shallow junction fabricated with low energy as implantation and combination of spike lamp and laser annealing processes using scanning spreading resistance microscopy
机译:
低能量注入制备的超浅结的扩散电阻分布图,并结合了尖峰灯和激光退火工艺的扫描扩散电阻显微镜
作者:
Abo Satoshi
;
Osae Hidenori
;
Wakaya Fujio
;
Takai Mikio
;
Oda Hidekazu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Density measurement;
Junctions;
Power lasers;
Power system measurements;
Resistance;
Semiconductor lasers;
COinf2/inf laser anneal;
scanning spreading resistance microscopy (SSRM);
spike lamp anneal;
spreading resistance;
ultra shallow junction;
83.
Trapping of implanted hydrogen for ultrathin layer transfer
机译:
捕获氢以进行超薄层转移
作者:
Mazen F.
;
Gonzatti F.
;
Madeira F.
;
Reboh S.
;
Deguet C.
;
Lallement F.
;
Landru D.
;
Rieutord F.
;
Royal A.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Boron;
Charge carrier processes;
Hydrogen;
Silicon;
Silicon germanium;
Substrates;
hydrogen;
ion implantation;
layer transfer;
trapping;
84.
Precise beam angle control in the S-UHE, SEN's single-wafer ultra-high energy ion implanter
机译:
SEN的单晶圆超高能离子注入机S-UHE中的精确束角控制
作者:
Ninomiya Shiro
;
Sasaki Haruka
;
Ido Noriyasu
;
Inada Koji
;
Watanabe Kazuhiro
;
Kabasawa Mitsuaki
;
Tsukihara Mitsukuni
;
Ueno Kazuyoshi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Acceleration;
Implants;
Ion beams;
Ion implantation;
Lenses;
Pollution measurement;
Trajectory;
Beam angle;
Beam parallelism;
Ultra-high energy;
85.
Doping mechanism of helium-based plasma
机译:
氦基等离子体的掺杂机理
作者:
Fuse G.
;
Kuriyama M.
;
Sugitani M.
;
Tanaka M.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Atomic measurements;
Boron;
Doping;
Helium;
Ions;
Plasmas;
Radiation effects;
knock-on;
plasma doping;
ultra shallow;
86.
High energy hydrogen and helium ion implanter
机译:
高能氢和氦离子注入机
作者:
Shengwu Chang
;
Gori Brian
;
Norris Curt
;
Klein Jeff
;
Decker-Lucke Kurt
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Acceleration;
Hydrogen;
Ion beams;
Production;
Protons;
H and He ion implanter;
negative ion production;
productivity;
thin wafer;
87.
SAion - SEN's unique solution for 450mm ion implant
机译:
SAion-SEN针对450mm离子注入的独特解决方案
作者:
Suetsugu Noriyuki
;
Tsukihara Mitsukuni
;
Kabasawa Mitsuaki
;
Sato Fumiaki
;
Yagita Takanori
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Atomic beams;
Bridges;
Implants;
Productivity;
Semiconductor device modeling;
Throughput;
450mm;
Ion Implanter;
SAion;
Wide range;
88.
Plasma potential measurement on ECRIS by using extracted ion beam
机译:
使用提取离子束在ECRIS上进行等离子体电势测量
作者:
Kumakura Sho
;
Kimura Daiju
;
Yano Keisuke
;
Imai Youta
;
Nishiokada Takuya
;
Sato Fuminobu
;
Kato Yushi
;
Iida Toshiyuki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Cyclotrons;
Electric potential;
Ion beams;
Microwave theory and techniques;
Plasma measurements;
Plasmas;
Probes;
ECRIS;
multi-charged ion;
plasma potential;
precise control of beam energy;
probe diagnostics;
89.
Thermal cycle annealing and its application to arsenic-ion implanted HgCdTe
机译:
热循环退火及其在砷离子注入HgCdTe中的应用
作者:
Simingalam Sina
;
Wijewarnasuriya Priyalal
;
Rao Mulpuri V.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Heating;
Silicon;
Substrates;
Surface morphology;
Tellurium;
Arsenic;
Dislocation;
HgCdTe;
thermal cycle annealing;
90.
Germanium ion implantation efficiency improvement with use of germanium tetrafluoride
机译:
使用四氟化锗提高锗离子注入效率
作者:
Chambers Barry
;
Tang Ying
;
Yedave Sharad
;
Byl Oleg
;
Baumgart Greg
;
Despres Joseph
;
Sweeney Joseph
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Cathodes;
Fluid flow;
Germanium;
Hydrogen;
Ion implantation;
Tungsten;
72GeFinf4/inf;
74GeFinf4/inf;
GeFinf4/inf;
Ion implant;
beam current;
germanium isotopes;
germanium tetrafluoride;
isotopically enriched;
productivity improvement;
source life;
91.
Effect of mid-electrode potential on multi-charged ion beam extracted from electron cyclotron resonance ion source
机译:
中间电极电位对电子回旋共振离子源提取的多电荷离子束的影响
作者:
Imai Y.
;
Kimura D.
;
Yano K.
;
Kumakura S.
;
Nishiokada T.
;
Sato F.
;
Kato Y.
;
Iida T.
;
Muramatsu M.
;
Kitagawa A.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Current measurement;
Electric potential;
Electrodes;
Ion beams;
Ion sources;
Plasmas;
ECR ion source;
compact beam formation modelling;
ion beam extraction;
mid-electrode potential effect;
three-electrodes;
92.
H+ implantation profile formation in m:Cz and Fz silicon
机译:
m:Cz和Fz硅中H + sup>注入轮廓的形成
作者:
Kirnstoetter S.
;
Faccinelli M.
;
Hadley P.
;
Jelinek M.
;
Schustereder W.
;
Laven J.G.
;
Schulze H.-J.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Charge carriers;
Current measurement;
Semiconductor device measurement;
Silicon;
Solids;
Temperature measurement;
EBIC;
Proton implantation;
SRP;
defects;
silicon;
93.
Bulk FinFET junction isolation by heavy species and thermal implants
机译:
通过重物质和热注入实现大容量FinFET结隔离
作者:
Khaja Fareen Adeni
;
Gossmann Hans-Joachim L.
;
Colombeau Benjamin
;
Thanigaivelan Thirumal
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Carbon;
FinFETs;
Implants;
Junctions;
Silicon;
FinFET;
antimony;
heavy species;
hot ion implantation;
indium;
junction isolation;
thermal implants;
94.
Structural investigation of ion implantation of boron on random pyramid textured Si(100) for photovoltaic applications
机译:
光伏应用中随机金字塔形Si(100)上硼离子注入的结构研究
作者:
Krugener Jan
;
Bugiel Eberhard
;
Osten H.Jorg
;
Peibst Robby
;
Kiefer Fabian
;
Ohrdes Tobias
;
Brendel Rolf
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Crystals;
Ion implantation;
Photovoltaic cells;
Silicon;
Surface morphology;
Surface texture;
Ion implantation;
crystal defects;
process simulation;
silicon;
solar cells;
transmission electron microscopy;
95.
Investigation of charge build-up in NO nitrided gate oxide on 4H-SiC during Fowler-Nordheim injection and fabrication of 4H-SiC Lateral Double-Implanted MOSFETs
机译:
在Fowler-Nordheim注入和4H-SiC横向双注入MOSFET的制造过程中,在4H-SiC上的NO氮化栅氧化物中电荷积累的研究
作者:
Moon Jeong Hyun
;
Bahng Wook
;
In Ho Kang
;
Sang Cheol Kim
;
Kim Nam-Kyun
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Electron traps;
Iron;
Logic gates;
Semiconductor device measurement;
Silicon carbide;
Temperature measurement;
4H-SiC;
field effect mobility;
nitrided oxide;
96.
Gettering of the metal impurities in image sensors: An evaluation of heated carbon implants
机译:
图像传感器中金属杂质的吸收:加热碳植入物的评估
作者:
Chavva Venkataramana R.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Carbon;
Gettering;
Implants;
Impurities;
Metals;
Silicon;
Substrates;
Gettering;
Heated Carbon implants;
Image Sensors;
Metal Contamination;
97.
Out-diffusion of cesium and rubidium from amorphized silicon during solid-phase epitaxial regrowth
机译:
固相外延再生过程中铯和rub从非晶硅中的扩散
作者:
Maier R.
;
Haublein V.
;
Ryssel H.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Atmosphere;
Atomic clocks;
Atomic measurements;
Filling;
Monitoring;
Silicon;
SPER;
alkali elements;
atomic clock;
cesium;
out-diffusion;
rubidium;
solid-phase epitaxial regrowth;
vapor cell;
98.
Plasma doping of high aspect ratio structures
机译:
高纵横比结构的等离子体掺杂
作者:
Raj Deven
;
Lee Jun S.
;
Maynard Helen
;
Lacey Kerry
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
CMOS image sensors;
Doping;
Implants;
Plasmas;
Radio frequency;
Surface treatment;
Three-dimensional displays;
3D NAND;
CMOS Image Sensor;
Deep Trench Isolation;
Ion Implantation;
Plasma Doping;
Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS);
99.
Exploration of PLAD aluminum implants for work function adjustment
机译:
探索用于工作功能调整的PLAD铝植入物
作者:
Srivastava A.
;
Downey R.
;
Persing H.
;
Yoshida N.
;
Han K.
;
Maynard H.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Aluminum;
Argon;
Implants;
Plasmas;
Silicon;
Aluminum Implant;
PLAD;
Plasma Doping;
100.
Influence of implantation temperature on the formation of hydrogen-related defects in InP
机译:
注入温度对InP中氢相关缺陷形成的影响
作者:
Luce F.P.
;
Reboh S.
;
Vilain E.
;
Madeira F.
;
Barnes J.P.
;
Rochat N.
;
Salvetat T.
;
Tauzin A.
;
Milesi F.
;
Mazen F.
;
Deguet C.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Annealing;
Films;
Hydrogen;
Indium phosphide;
Substrates;
Surface treatment;
Temperature measurement;
InP;
damage formation;
ion implantation;
layer transfer;
意见反馈
回到顶部
回到首页