Annealing; Boron; Implants; Lattices; Silicon; Temperature distribution; defect reduction; low temperature implant; silicon defects;
机译:氧气和真空退火后的低温表面饱和后,氢气在注入氢的硅晶片上的缺陷缺陷层上的吸气
机译:高温快速热退火后低剂量砷和硼注入的硅中残留缺陷的热行为
机译:高温退火后低剂量砷注入硅中的残留缺陷
机译:低温离子注入和尖峰退火过程的硅缺陷表征
机译:离子注入硅的热退火过程中的磷缺陷相互作用。
机译:表征冠状病毒小鼠肝炎病毒A59株的两个温度敏感突变体其穗蛋白中具有成熟缺陷。
机译:低剂量MeV自离子注入n型硅中空位相关缺陷的退火动力学
机译:低能离子注入硅退火过程中的缺陷扩散