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International Conference on Ion Implantation Technology
International Conference on Ion Implantation Technology
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1.
Process performance for axcelis MC3 300 mm implanter
机译:
AXCELIS MC3 300 mm注入机的工艺性能
作者:
R. D. Rathmell
;
A. M. Ray
;
F. Sato
;
C. J. Godfrey
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
2.
The Hitachi advanced implanter UI-6000 for SIMOX wafer production
机译:
SIMOX晶圆生产的日立高级Implanter UI-6000
作者:
K. Tokiguchi
;
T. Seki
;
J. Itou
;
S. Kitazawa
;
T. Sato
;
K. Mera
;
I. Hashimoto
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
3.
Defects and gallium - contamination during focused ion beam micro machining
机译:
缺陷和镓 - 聚焦离子束微型加工过程中的污染
作者:
C. Lehrer
;
L. Frey
;
S. Petersen
;
M. Mizutani
;
M. Takai
;
H. Ryssel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
4.
SbFSub 3/ as vaporizer feed material for the bernas dual vaporizer in the VSEA E220/500 implanters
机译:
SBFSUB 3 /作为VSEA E220 / 500种植刀伯尔尼双蒸发器的蒸发器供给材料
作者:
Reyes J.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
5.
Study of ion-induced damage in Li{sub}2TiO{sub}3 ceramics
机译:
Li {Sub} 2tio {Sub} 3陶瓷中离子诱导损伤的研究
作者:
T. Nakazawa
;
V. Grismanovs
;
D. Yamaki
;
Y. Katano
;
T. Aruga
;
A. Iwamoto
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
6.
Technical and economic considerations for retrograde well and channel implants
机译:
逆行井和渠道植入物的技术和经济考虑
作者:
Wesley Morris
;
Leonard Rubin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
7.
XTEM study of Ni gettering to H-implantation-induced nanocavities in SIMOX
机译:
XTEM对SIMOX中H型植入纳米盖的XTEM研究
作者:
Miao Zhang
;
Weili Liu
;
Xinzhong Duo
;
Zhenghua An
;
Chenglu Lin
;
Paul K. Chu
;
R. Scholz
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
8.
Process simulator for plasma enhanced sputter deposition system
机译:
用于等离子体增强溅射沉积系统的过程模拟器
作者:
Y. Miyagawa
;
M. Tanaka
;
H. Nakadate
;
S. Nakao
;
S. Miyagawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
9.
Investigation of molybdenum contamination in 11{sup left}B{sup}+ and 31{sup left}P{sup}+ implants
机译:
11 {sup left} b {sup} +和31 {sup left} p {sup} +植入物的研究
作者:
Klaus Funk
;
Volker Haublein
;
Hamou Chakor
;
Michael Ameen
;
Lothar Frey
;
Heiner Ryssel
;
Antoine Ramirez
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
10.
Electrostatic scanning of MeV ion beams
机译:
MEV离子束的静电扫描
作者:
S. R. Walther
;
B. Pedersen
;
P. Murphy
;
W. Goodenough
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
11.
Implantation effects of ultra-thin Fe/Cr multilayers
机译:
超薄Fe / Cr多层的植入效应
作者:
I. Sakamoto
;
H. Tanoue
;
M. Koike
;
S. Honda
;
M. Nawate
;
T. Shimizu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
12.
Ion implantation induced damage in silicon carbide studied by non-Rutherford elastic backscattering
机译:
非Rutherford弹性反向散射研究的离子植入诱导碳化硅损伤
作者:
E. Szilagyi
;
E. Kotai
;
N. Q. Khanh
;
Z. Zolnai
;
G. Battistig
;
T. Lohner
;
J. Gyulai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
13.
Effect of implanted-helium depth profile on damage structures in electron-irradiated stainless steel
机译:
植入氦深度曲线对电子照射不锈钢损伤结构的影响
作者:
Takeo Aruga
;
Yoshio Katano
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
14.
A parametric investigation of a high current implanter for long term process performance improvements
机译:
用于长期过程性能改进的高电流注入机的参数研究
作者:
Craig Jasper
;
Allen Hoover
;
Mike Ameen
;
Frank Sinclair
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
15.
Cubic boron nitride thin films prepared by ion-beam assisted pulsed Nd:YAG laser deposition
机译:
通过离子束辅助脉冲Nd:YAG激光沉积制备的立方硼氮化物薄膜
作者:
Yoshiaki Suda
;
Hiroharu Kawasaki
;
Kazuya Doi
;
Jun Namba
;
Takeshi Nakazono
;
Tamiko Ohshima
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
16.
Large area line beam formation in Nissin ion doping system for TFT LCD fabrication
机译:
TFT LCD制造中NISIN离子掺杂系统的大面积线束形成
作者:
Yasunori Andoh
;
Yutaka Inouchi
;
Masashi Konishi
;
Jun-hchi Tatemichi
;
Hideki Tanaka
;
Naoki Miyamoto
;
Yasuhiro Matsuda
;
Shu-ichi Maeno
;
Masao Naito
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
17.
Influence of scribe lanes on wafer potentials and charging damage
机译:
抄写车道对晶圆电位和充电损伤的影响
作者:
Wes Lukaszek
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
18.
Exploring the limits of pre-amorphization implants on controlling channeling and diffusion of low energy B implants and ultra shallow junction formation
机译:
探索植入前的血管前植入的极限,对低能量B植入物和超浅结形成的控制和扩散
作者:
Amir Al-Bayati
;
Sanjeev Tandon
;
Abhilash Mayur
;
Majeed Foad
;
Dennis Wagner
;
Robert Murto
;
David Sing
;
Clarence Ferguson
;
Larry Larson
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
19.
Ion-implanted silicon detectors of nuclear radiation
机译:
核辐射的离子植入硅探测器
作者:
S. Yu. Yrchuk
;
G. I. Koltsov
;
V. A. Kuts
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
20.
Advantages of AsF/sub s/ dopant gas in a RF ion source
机译:
RF离子源中ASF /亚S /掺杂剂气体的优点
作者:
Graf M.A.
;
Sohl C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
21.
The significance of controlling 'Off-axis' (from 1-0--0) oriented Si wafers during high angle implants
机译:
在高角度植入物期间控制“轴外”(从1-0-0)的Si晶片的意义
作者:
Daniel F. Downey
;
Edwin A. Arevalo
;
Ronald J. Eddy
;
Wilfried Lerch
;
D. Loeffelmacher
;
Rasso Ostermeir
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
22.
SiGe device architectures synthesized by local area Ge{sup}+ implantation - structural and electrical characterization
机译:
由局域{SUP} +植入合成的SIGE器件架构 - 结构和电学特性
作者:
H. Graoui
;
A. Nejim
;
P. L. F. Hemment
;
L. Riley
;
S. Hall
;
M. Mitchell
;
P. Ashburn
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
23.
Enhancing B/sup +/ ion current by adding MgO to the chamber material of a microwave ion source
机译:
通过向微波离子源的腔室材料添加MgO来增强B / SUP + /离子电流
作者:
Sakudo N.
;
Ito H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
24.
Atomistic simulation of ion implantation into different polytypes of SiC
机译:
SIC不同聚晶体离子植入的原子模拟
作者:
A. Ster
;
M. Posselt
;
A. Hallen
;
M. Janson
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
25.
Corrosion resistance of nitrogen ion implanted titanium alloy for medical implants in physiological saline solution
机译:
氮离子植入钛合金在生理盐水溶液中医用植入物的耐腐蚀性
作者:
S. Fukumoto
;
H. Tsubakino
;
M. Terasawa
;
T. Mitamura
;
K. Nakamura
;
Y. Okazaki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
26.
An oxygen ion dose dependence of dielectric constant and surface roughness of titanium oxide films deposited on silicon by an ion beam assisted deposition technique
机译:
离子束辅助沉积技术沉积在硅上沉积在硅上氧化钛膜的介电常数和表面粗糙度的氧离子剂量依赖性
作者:
Katsuhiro Yokota
;
Kazuhiro Nakamura
;
Tomohiro Sasagawa
;
Toshihiko Kamatani
;
Fumiyoshi Miyashita
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
27.
Vacuum actuated gas delivery
机译:
真空致动气体输送
作者:
W. Karl Olander
;
Matt Donatucci
;
Jim Mayer
;
Luping Wang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
28.
High purity RF-sputter type metal ion source for non-mass-separated ion beam deposition
机译:
用于非质量分离离子束沉积的高纯度RF-溅射型金属离子源
作者:
Kiyoshi Miyake
;
Yukio Ishikawa
;
Mutsuo Yamashita
;
Minoru Isshiki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
29.
Range parameters of heavy ions in light targets
机译:
光靶中重离子的范围参数
作者:
V. Kuzmin
;
A. Didyk
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
30.
Boxer cross measurements of laser annealed shallow junctions
机译:
拳击手交叉测量激光退火浅线
作者:
David Sing
;
Peter Borden
;
Laurie Bechtler
;
Robert Murto
;
Somit Talwar
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
31.
Challenges and solutions in the process integration of ultra-shallow junctions in advanced CMOS technology
机译:
高级CMOS技术中超浅交界过程中的挑战与解决方案
作者:
N. Variam
;
S. Falk
;
S. Mehta
;
T. Miranda
;
J. Lutze
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
32.
How to monitor a sub-keV USJ implant
机译:
如何监视子kev USJ植入物
作者:
Boris Bayha
;
Dirk Loeffelmacher
;
Wilfried Lerch
;
Daniel F. Downey
;
Edwin A. Arevalo
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
33.
Gate oxide damage due to through the gate implantation in MOS-structures with ultrathin and standard oxides
机译:
由于通过具有超薄和标准氧化物的MOS-结构的栅极注入而导致的栅极氧化物损坏
作者:
Michael P. M. Jank
;
Martin Lemberger
;
Lothar Frey
;
Heiner Ryssel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
34.
Fluorine ion implantation into silicon dioxide to form stable low-k intermetal dielectric films
机译:
氟离子注入到二氧化硅中以形成稳定的低k内部电介质膜
作者:
Stepan Essaian
;
Daniel H. Rosenblatt
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
35.
Characterization of charging damage in high power implants using SPIDER wafers
机译:
使用蜘蛛晶片对高功率植入物充电损坏的特征
作者:
Bhanu Singh
;
Alexander Elkind
;
Michael Mack
;
Michael Ameen
;
David Marshall
;
Phil Ring
;
Wade Krull
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
36.
Modeling of the formation and properties of nanocrystals in insulator matrices (SiO{sub}2:Si, ZrO{sub}2(Y):Zr) produced by ion implantation
机译:
离子血管内绝缘矩阵中纳米晶体的形成与性质的建模(SiO {Sub} 2:Si,ZrO {Sub} 2(Y):Zr)
作者:
W. Eckstein
;
O. N. Gorshkov
;
A. P. Kasatkin
;
V. A. Novikov
;
D. I. Tetelbaum
;
S. A. Trushin
;
A. S. Ostashov
;
A. N. Mikhailov
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
37.
Modeling the amorphization of Si due to the implantation of As, Ge, and Si
机译:
根据植入植入,葛根和Si植入SI的形状
作者:
D. Stiebel
;
A. Burenkov
;
P. Pichler
;
F. Cristiano
;
A. Claverie
;
H. Ryssel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
38.
Application of indium ion implantation for halo doping: experimental and simulation results for advanced CMOS devices
机译:
铟离子植入在Halo掺杂的应用:高级CMOS器件的实验性和仿真结果
作者:
N. Variam
;
S. Mehta
;
T. Feudel
;
M. Horstmann
;
C. Krueger
;
C. Ng
;
M. Posselt
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
39.
Optimization of N-junction through ion beam shadowing and buffering effect by tilt implantation with rotation for improving the retention time
机译:
通过倾斜植入通过离子束遮蔽和缓冲效果的优化优化,旋转改善保留时间
作者:
Nam-Sung Kim
;
Il-Gweon Kim
;
Seung-Han Ok
;
Dong-Chan Kim
;
Seok-Jin Choi
;
Jun-Ho Choi
;
Ho-Yup Kwon
;
Dae-Young Park
;
Ji-Bum Kim
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
40.
Implantation mode dependence of damage structure depth profiles in Al{sub}2O{sub}3 irradiated with triple beam of H, He and heavy ions
机译:
Al {Sub} 2O {Sub} 3中造成损伤结构深度轮廓的植入模式依赖性,H He和Heavy离子辐照
作者:
Y. Katano
;
T. Aruga
;
S. Yamamoto
;
T. Nakazawa
;
D. Yamaki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
41.
Improvement of P/sup +/ contact resistance through optimal boron distribution on TiSi/sub 2//P/sup +/ interface for 0.18/spl mu/m DRAM technology and beyond
机译:
通过TISI / SUB 2 // P / SUP + /界面上的最佳硼分布改善P / SUP + /接触电阻0.18 / SPL MU / M DRAM技术及更短
作者:
Jeong Su Han
;
It Gweon Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
42.
In situ charging potential monitoring for a high current ribbon beam
机译:
用于高电流带束的原位充电潜力监测
作者:
Svetlana Radovanov
;
Reuel Liebert
;
Phil Corey
;
James Cummings
;
Gordon Angel
;
James Buff
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
43.
Control of channeling uniformity for advanced applications
机译:
控制高级应用程序的均匀性
作者:
J. C. Olson
;
A. Renau
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
44.
Comparative analysis of parameters of deep levels in the ion implanted layers and fast electron-irradiated structures
机译:
离子注入层和快速电子照射结构深层参数的比较分析
作者:
S. Y. Yurchuk
;
G. I. Koltsov
;
S. I. Didenko
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
45.
Performance of IW-630 ion implanter for 300-mm wafers
机译:
用于300毫米晶圆的IW-630离子注入机的性能
作者:
T. Nishihashi
;
H. Yokoo
;
T. Hisamune
;
T. Shimizu
;
R. Fukui
;
H. Suzuki
;
K. Kageyama
;
K. Niikura
;
K. Fuwa
;
T. Oka
;
K. Kashimoto
;
J. Fujiyama
;
Y. Sakurada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
46.
Reducing arsenic to germanium cross contamination with isotopically enriched SDS 72{sup left}GeF{sub}4
机译:
将砷与同位素富集的SDS 72 {SUP左} GEF {sub} 4减少到锗交叉污染到锗交叉污染
作者:
Michael J. Rendon
;
Jason Locke
;
Bob Brown
;
Dennis Kamenitsa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
47.
Monitoring system for silicon coating thickness of disk
机译:
磁盘硅涂层厚度监测系统
作者:
Hiroshi Kawaguchi
;
Mitsuaki Kabasawa
;
Mitsukuni Tsukihara
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
48.
Non-contact, in-line monitoring of low dose and low energy ion implantation
机译:
非接触式,低剂量和低能量离子注入的在线监测
作者:
Ramon S. Santiesteban
;
Damon K. DeBusk
;
Deepak A. Ramappa
;
William M. Moller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
49.
Effects of dopant deposition on p{sup}+/n and n{sup}+/p shallow junctions formed by plasma immersion ion implantation
机译:
掺杂剂沉积对等离子浸没离子注入形成的p {sup + / n和n和n {sup} + / p浅线的影响
作者:
James D. Bernstein
;
Peter L. Kellerman
;
Michael P. Bradley
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
50.
Ion energy distributions in plasma immersion ion implantation-theory and experiment
机译:
等离子体浸没离子植入理论与实验中的离子能量分布
作者:
Peter L. Kellerman
;
James D. Bernstein
;
Michael P. Bradley
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
51.
Implant dosimetry results for plasma doping
机译:
植入剂剂量测定结果等离子体掺杂
作者:
Steve Walther
;
Damien Lenoble
;
Ziwei Fang
;
Reuel B. Liebert
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
52.
Synthesis of SOI material using low energy water ion implantation
机译:
使用低能量水离子植入合成SOI材料
作者:
Jing Chen
;
Meng Chen
;
Yuehui Yu
;
Zhihong Zheng
;
Xi Wang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
53.
The role of fluorine on reducing TED in boron implanted silicon
机译:
氟对硼植入硅中减少TED的作用
作者:
L. S. Robertson
;
P. N. Warnes
;
M. E. Law
;
K. S. Jones
;
D. F. Downey
;
J. Liu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
54.
Energy enhancement on NV-GSD-HE
机译:
NV-GSD的能量增强 - 他
作者:
Hiroyuki Kariya
;
Kouji Inada
;
Mitsukuni Tsukihara
;
Michiro Sugitani
;
Yoshinobu Murakami
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
55.
Enhancing B{sup}+ ion current by adding MgO to the chamber material of a microwave ion source
机译:
通过向微波离子源的腔室材料添加MgO来增强B {SUP} +离子电流
作者:
Noriyuki Sakudo
;
Hiroyuki Ito
;
Seiichi Ito
;
Yasuhiko Matsunaga
;
Keiji Hayashi
;
Yoko Nishiyama
;
Atsushi Miyamoto
;
Masatoshi Yutani
;
Kazuhiro Komatsu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
56.
Direct comparison of electrical performance of 0.1-μm pMOSFETs doped by plasma doping or low energy ion implantation
机译:
通过等离子体掺杂或低能量离子植入掺杂0.1μmpmosfet的电气性能的直接比较
作者:
D. Lenoble
;
A. Grouillet
;
F. Arnaud
;
M. Haond
;
S. B. Felch
;
Z. Fang
;
S. Walther
;
R. B. Liebert
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
57.
Performance characteristics of the varian VIISta 810 single wafer medium current ion implanter
机译:
Varian Viista 810单晶片介质电流离子注入机的性能特性
作者:
A. Renau
;
J. T. Scheuer
;
D. Brennan
;
S. S. Todorov
;
A. Cucchetti
;
J. C. Olson
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
58.
Contamination control in a pulsed plasma doping tool
机译:
脉冲等离子体掺杂工具中的污染控制
作者:
Steve Walther
;
Reuel B. Liebert
;
Susan Felch
;
Ziwei Fang
;
Bon Woong Koo
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
59.
Influence of RTP flash anneal ramp rates on lithography overlay performance on 300 mm integrated wafers
机译:
RTP闪存退火速率对300毫米集成晶片的光刻覆盖性能的影响
作者:
Olaf Storbeck
;
Dietmar Ganz
;
Michael Stadtmuller
;
Steffen Frigge
;
Wilfried Lerch
;
Dieter Graef
;
Gunther Obermeier
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
60.
SbF{sub}3 as vaporizer feed material for the bernas dual vaporizer in the VSEA E220/500 implanters
机译:
SBF {Sub} 3作为伯纳斯双蒸发器的蒸发器进料,在VSEA E220 / 500种植刀
作者:
J. M. Reyes
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
61.
Phosphorus ion shower implantation for special power IC applications
机译:
用于专用IC应用的磷离子淋浴植入
作者:
F. Kroner
;
R. Schork
;
L. Frey
;
A. Burenkov
;
H. Ryssel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
62.
Plasma immersion ion implantation as an alternative deep trench buried-plate doping technology
机译:
等离子体浸渍离子植入作为替代深沟埋藏板掺杂技术
作者:
Kilho Lee
;
Brian Lee
;
Joachim Hoepfner
;
Laertis Economikos
;
Christopher Parks
;
Carl Radens
;
James Bernstein
;
Peter Kellerman
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
63.
Evaluation of tests to examine charging damage in ion implantation and plasma processes: using controlled stress environments
机译:
检测检测检查离子注入和等离子体过程的充电损伤:使用受控应力环境
作者:
M. J. Goeckner
;
S. B. Felch
;
J. Weeman
;
Jeff Erhardt
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
64.
Energetics of interstitial defects and TED in ultra low energy implants
机译:
超低能量植入物中间质缺陷和泰德的能量学
作者:
B. Colombeau
;
F. Cristiano
;
G. Ben Assayag
;
A. Altibelli
;
A. Claverie
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
65.
Decel lens system for low-energy ion implantation with high dose uniformity
机译:
用于低能量离子植入的衰减镜片系统,具有高剂量均匀性
作者:
Jochen Teichert
;
Johannes Von Borany
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
66.
Charge exchange cross sections relevant to ion implantation for ultra shallow junctions
机译:
电荷交换横截面与超浅线的离子注入相关
作者:
Jaap A. van den Berg
;
George Wostenholm
;
Michal Geryk
;
David G. Armour
;
Charlie E. A. Cook
;
Adrian J. Murrell
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
67.
Energy accuracy and control method of the NV-GSD-HE
机译:
NV-GSD的能量精度和控制方法 - 他
作者:
Noriyuki Suetsugu
;
Hiroyuki Kariya
;
Mitsuaki Kabasawa
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
68.
Optimization of N- junction through ion beam shadowing and buffering effect by tilt implantation with rotation for improving the retention time
机译:
通过倾斜植入旋转来优化通过离子束遮蔽和缓冲效果的旋转改善保留时间
作者:
Nam-Sung Kim
;
Il-Gweon Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
69.
High energy, high current performance of the GSD/VHE implanter for the production of high dose P-type buried layers
机译:
高能量,GSD / VHE注入机的高电流性能,用于生产高剂量P型埋藏层
作者:
Mark Namaroff
;
Jon Merrill
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
70.
A dynamic negative-ion mixing method using high-current heavy ions and electron beam evaporation
机译:
一种使用高电流重离子和电子束蒸发的动态负离子混合方法
作者:
N. Kishimoto
;
J. P. Zhao
;
N. Okubo
;
Y. Takeda
;
V. T. Gritsyna
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
71.
Beam optics of the VIISta 3000 ion implanter
机译:
Viista 3000离子注入机的光束光学器件
作者:
Marvin R. LaFontaine
;
Paul J. Murphy
;
Edward Bell
;
David Holbrook
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
72.
Medium energy ion scattering analysis of damage in silicon caused by ultra-low energy boron implantation at different substrate temperatures
机译:
不同基板温度下超低能量硼植入引起的硅损伤的中等能离子散射分析
作者:
Shenjun Zhang
;
Jaap A van den Berg
;
David G. Armour
;
Sean Whelan
;
Richard D. Goldberg
;
Paul Bailey
;
Tim C. Q. Noakes
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
73.
Dose control accuracy in pressure compensation
机译:
剂量控制精度在压力补偿中
作者:
Makoto Sano
;
Mitsuaki Kabasawa
;
Mitsukuni Tsukihara
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
74.
Throughput and production data on the GSD-HE using the continuous variable aperture
机译:
GSD上的吞吐量和生产数据 - 他使用连续变量孔径
作者:
Lou Wainwright
;
Jon Merrill
;
Hassan Fakhreddine
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
75.
Computer simulation of ion implantation with visual observation of the implantation profiles
机译:
植入型材视觉观察离子植入的计算机模拟
作者:
F. G. Djurabekova
;
T. S. Pugacheva
;
F. F. Umarov
;
S. V. Yugay
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
76.
Effect of defects produced by MeV H and He ion implantation on characteristics of power silicon P-i-N diodes
机译:
MEV H产生的缺陷的影响及其离子注入对功率硅P-I-N二极管特性的影响
作者:
Pavel Hazdra
;
Klaus Brand
;
Jan Vobecky
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
77.
Nitrogen ion dose dependence of surface morphology of titanium nitride films deposited on gallium arsenide by an ion beam assisted deposition technique
机译:
离子束辅助沉积技术沉积在砷化镓上氮化镓膜表面形态的氮离子剂量依赖性
作者:
Katsuhiro Yokota
;
Kazuhiro Nakamura
;
Masao Satoh
;
Takashi Sugimoto
;
Katsuya Akamatsu
;
Kazuyoshi Nakao
;
Fumiyoshi Miyashita
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
78.
Decaborane ion implantation
机译:
DecaBorane离子植入
作者:
Alex S. Perel
;
Wade Krull
;
David Hoglund
;
Keith Jackson
;
Tom Horsky
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
79.
Characterization of the SDS gas source adsorbent technology
机译:
SDS气源吸附技术的表征
作者:
Luping Wang
;
Christine Gorsuch
;
Jim McManus
;
Doug Batty
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
80.
Characterization of a xenon plasma electron flood gun on a GSD-200E{sup}2 high current implanter using Q{sub}(BD), FLASH, SPIDER, and CHARM -2 wafers
机译:
使用Q {Sub}(BD),闪光灯,蜘蛛和Charm-2晶片,表征GSD-200e {sup} 2高电流注入机上的氙气血浆电子洪水枪
作者:
Peter Kopalidis
;
Yuri Erokhin
;
Ramon Santiesteban
;
Valter Soncini
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
81.
Improvement of P{sup}+ contact resistance through optimal boron distribution on TiSi{sub}2/P{sup}+ interface for 0.18 μm DRAM technology and beyond
机译:
通过TISI {sub} 2 / p {sup} +界面上的最佳硼分布改进p {sup} +接触电阻+界面0.18μmdram技术及更远
作者:
Jeong Su Han
;
Il Gweon Kim
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
82.
Ion implantation technique using negative ions for artificial neuron network on polystyrene in cell culture
机译:
电池培养中聚苯乙烯对人工神经元网络负离子的离子植入技术
作者:
Hiroshi Tsuji
;
Hitoshi Sasaki
;
Hiroko Sato
;
Yasuhito Gotoh
;
Junzo Ishikawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
83.
FEOL technologies for fabricating high performance logic and system LSI of 100 nm node
机译:
FEOL技术用于制造高性能逻辑和100nm节点的系统LSI
作者:
Masataka Kase
;
Ken-ichi Okabe
;
Tomohiro Kubo
;
Masanori Saitoh
;
Naoyoshi Tamura
;
Haruhisa Mori
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
84.
Nano-cluster engineering: a combined ion implantation and ionizing radiation
机译:
纳米簇工程:联合离子植入和电离辐射
作者:
D. Ila
;
R. L. Zimmerman
;
C. I. Muntele
;
D. B. Poker
;
D. K. Hensley
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
85.
Nissin 300mm medium current ion implanter EXCEED2300
机译:
NISSIN 300mm培养基电流离子注入机超过2300
作者:
Nobuo Nagai
;
Yoshio Tamura
;
Satoru Yuasa
;
Koji Iwasawa
;
Takao Matsumoto
;
Makoto Nakaya
;
Mitsunori Nakamura
;
Tsutomu Nagayama
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
86.
High energy, low dose ion implantation monitoring and characterization using the C(V) technique
机译:
使用C(V)技术的高能量,低剂量离子注入监测和表征
作者:
Matthias Schmeide
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
87.
Formation of textured TiN-layers on Si by metal plasma immersion ion implantation and deposition
机译:
通过金属等离子体浸没离子注入和沉积在Si上形成纹理型锡层
作者:
P. Huber
;
D. Manova
;
S. Mandl
;
W. Assmann
;
B. Rauschenbach
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
88.
Deep levels in SOI - structures investigated by charge and capacitance DLTS
机译:
SOI的深层 - 电荷和电容DLT调查的结构
作者:
I. V. Antonova
;
J. Stano
;
O. V. Naumova
;
D. V. Nikolaev
;
V. P. Popov
;
V. A. Skuratov
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
89.
Formation of ultra-shallow junction by BF{sub}2{sup}+ implantation and spike annealing
机译:
BF {sub} 2 {sup} +植入和尖峰退火形成超浅结
作者:
T. Kubo
;
M. Hori
;
M. Kase
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
90.
Energy contamination control system in deceleration beam line
机译:
减速梁线的能量污染控制系统
作者:
Hiroki Murooka
;
Mitsukuni Tsukihara
;
Mitsuaki Kabasawa
;
Michiro Sugitani
;
Yoshitomo Hidaka
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
91.
Dopant redistribution in silicon enhanced by hundred MeV heavy ion irradiation
机译:
掺杂硅中的掺杂剂再分布在一百MEV重离子照射中增强
作者:
N. Dinu
;
I. V. Antonova
;
J. Gyulai
;
V. A. Skuratov
;
A. I. Oprea
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
92.
A plasma immersion ion implantation system for SOI wafer fabrication
机译:
用于SOI晶片制造的等离子体浸没离子注入系统
作者:
L. M. Feng
;
A. J. Lamm
;
W. Liu
;
E. Garces
;
C. Chan
;
M. I. Current
;
F. J. Henley
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
93.
Novel aspects of the atomic transport of B implanted in silicon at energies below 1 keV
机译:
在1keV低于1 keV的能量下硅的原子传输的新颖方面
作者:
V. Privitera
;
E. Napolitani
;
F. Priolo
;
S. Moffatt
;
E. Rimini
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
94.
Junction capacitance reduction by S/D junction compensation implant
机译:
S / D结补偿植入物的结电容减少
作者:
G. Curello
;
R. Rengarajan
;
J. Faul
;
A. Kieslich
;
H. Glawischnig
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
95.
Manufacturing science in ion implantation
机译:
离子植入中的制造科学
作者:
Hans Glawischnig
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
96.
Smart-Cut process: an original way to obtain thin films by ion implantation
机译:
智能切割过程:通过离子植入获得薄膜的原始方法
作者:
B. Aspar
;
C. Lagahe
;
H. Moriceau
;
A. Soubie
;
E. Jalaguier
;
B. Biasse
;
A. Papon
;
A. Chabli
;
A. Claverie
;
J. Grisolia
;
G. Benassayag
;
T. Barge
;
F. Letertre
;
B. Ghyselen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
97.
Parallel Monte Carlo simulation of ion implantation
机译:
双子植入的平行蒙特卡罗模拟
作者:
Andreas Hossinger
;
Erasmus Langer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
98.
Updated technology of ion implantation applicable to the low-temperature poly-Si TFT process
机译:
适用于低温多Si TFT工艺的离子注入技术
作者:
Kiyoshi Yoneda
;
Shinji Yuda
;
Koji Suzuki
;
Tsutomu Yamada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
99.
Microstructure and electrical properties of Ge- and Si-nanoclusters in implanted gate oxide for embedded memory applications
机译:
嵌入式内存应用植入栅极氧化物中GE和Si-Nanoclusters的微观结构和电性能
作者:
K. -H. Stegemann
;
H. -J. Thees
;
M. Wittmaack
;
J. V. Borany
;
K. H. Heinig
;
T. Gebel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2000年
100.
Study on the influence of implant dose rate and amorphization for advanced device characterization
机译:
植入剂剂量率和美体化对先进装置特征的影响研究
作者:
Chin Y.L.
;
Yang C.Y.
;
Chiang C.K.
;
Chien C.C.
;
Yang N.H.
;
Lin J.F.
;
Li G.
;
Wu J.Y.
;
Felch S.B.
;
Bai X.
;
Lin W.C.
;
Wan Z.M.
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2014年
关键词:
Carbon;
Implants;
Ion beams;
Ion implantation;
Performance evaluation;
Shape;
Threshold voltage;
Amorphization;
Dose Rate;
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