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Comparative analysis of parameters of deep levels in the ion implanted layers and fast electron-irradiated structures

机译:离子注入层和快速电子照射结构深层参数的比较分析

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摘要

Deep-level transient-spectroscopy (DLTS) techniques have been used to investigate of parameters the deep levels in ion implanted and electron irradiated semiconductor compounds A{sup}ⅢB{sup}v. The comparative analysis of parameters of deep levels in the ion implanted layers and electron-irradiated structures are presented in this papers.
机译:已经使用深层瞬态光谱(DLTS)技术来研究离子植入和电子照射半导体化合物A {SUP}Ⅲb{sup} v。本文提出了离子注入层和电子辐照结构中深层参数的比较分析。

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