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Ion Implantation Technology, 2000. Conference on
Ion Implantation Technology, 2000. Conference on
召开年:
2000
召开地:
Alpbach
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Energetics of interstitial defects and TED in ultra low energy implants
机译:
超低能植入物中间隙缺陷和TED的能量学
作者:
Colombeau
;
B.
;
Cristiano
;
F.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
2.
Energy accuracy and control method of the NV-GSD-HE
机译:
NV-GSD-HE的能量精度和控制方法
作者:
Suetsugu N.
;
Kariya H.
;
Kabasawa M.
;
Sugitani M.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
3.
Energy contamination control system in deceleration beam line
机译:
减速梁线的能量污染控制系统
作者:
Muroaka H.
;
Tsukihara M.
;
Kabasawa M.
;
Sugitani M.
;
Hidaka Y.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
4.
Energy dependence of low dose SIMOX wafers
机译:
低剂量SIMOX晶圆的能量依赖性
作者:
Chen M.
;
Chen J.
;
Zheng W.
;
Li L.
;
Mou H.C.
;
Lin Z.X.
;
Yu Y.H.
;
Wang X.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
5.
Energy enhancement on NV-GSD-HE
机译:
NV-GSD-HE上的能量增强
作者:
Kariya H.
;
Inada K.
;
Tsukihara M.
;
Sugitani M.
;
Murakami Y.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
6.
Epi-replacement in CMOS technology by high dose, high energy boron implantation into Cz substrates
机译:
通过在Cz衬底中高剂量,高能量的硼注入来在CMOS技术中进行Epi置换
作者:
Bourdelle
;
K.K.
;
Chen
;
Y.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
7.
Evaluation of different wafer charging metrology protocols for thin dielectrics
机译:
评估薄电介质的不同晶圆充电计量协议
作者:
Ziwei Fang
;
Felch
;
S.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
8.
Evaluation of tests to examine charging damage in ion implantation and plasma processes: using controlled stress environments
机译:
评估测试以检查离子注入和等离子体工艺中的电荷损伤:使用受控应力环境
作者:
Goeckner
;
M.J.
;
Felch
;
S.B.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
9.
Exploring the limits of pre-amorphization implants on controlling channeling and diffusion of low energy B implants and ultra shallow junction formation
机译:
探索预非晶化注入对控制低能B注入的沟道和扩散以及超浅结形成的限制
作者:
Al-Bayati
;
A.
;
Tandon
;
S.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
10.
FEOL technologies for fabricating high performance logic and system LSI of 100 nm mode
机译:
FEOL技术用于制造100 nm模式的高性能逻辑和系统LSI
作者:
Kase
;
M.
;
Okabe
;
K.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
11.
Fluorine ion implantation into silicon dioxide to form stable low-k intermetal dielectric films
机译:
将氟离子注入二氧化硅中以形成稳定的低k金属间介电膜
作者:
Essaian
;
S.
;
Rosenblatt
;
D.H.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
12.
Focused ion beam processing of metal gated field emitter arrays
机译:
金属门控场发射器阵列的聚焦离子束处理
作者:
Ochiai C.
;
Yavas O.
;
Takai M.
;
Hosono A.
;
Okuda S.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
13.
Formation of textured TiN-layers on si by metal plasma immersion ion implantation and deposition
机译:
通过金属等离子体浸没离子注入和沉积在硅上形成织构化的TiN层
作者:
Huber
;
P.
;
Manova
;
D.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
14.
Formation of the electrically active centres in silicon irradiated with high energy ions and annealed at temperatures of 350-1050/spl deg/C
机译:
在高能离子辐照下并在350-1050 / spl deg / C的温度下退火的硅中形成电活性中心
作者:
Antonova
;
I.V.
;
Neustroev
;
E.P.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
15.
Formation of ultra-shallow junction by BF/sub 2+/ implantation and spike annealing
机译:
BF / sub 2 + /注入和尖峰退火形成超浅结
作者:
Kubo
;
T.
;
Hori
;
M.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
16.
Gate oxide damage due to through the gate implantation in MOS-structures with ultrathin and standard oxides
机译:
栅氧化层的损坏是由于采用超薄和标准氧化物的MOS结构中的栅注入造成的
作者:
Jank M.P.M.
;
Lemberger M.
;
Frey L.
;
Ryssel H.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
17.
Gettering and annealing of silicon planar surface layer caused by opposite side implantation technique
机译:
相对侧注入技术引起的硅平面表面层的吸杂和退火
作者:
Troitski
;
V.Yu.
;
Gerasimenko
;
N.N.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
18.
High energy, high current performance of the GSD/VHE implanter for the production of high dose P-type buried layers
机译:
GSD / VHE植入机的高能量,高电流性能,可用于生产大剂量P型埋层
作者:
Namaroff
;
M.
;
Merrill
;
J.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
19.
High energy, low dose ion implantation monitoring and characterization using the C(V) technique
机译:
使用C(V)技术的高能量,低剂量离子注入监测和表征
作者:
Schmeide
;
M.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
20.
High purity RF-sputter type metal ion source for non-mass-separated ion beam deposition
机译:
用于非质量分离离子束沉积的高纯度RF溅射型金属离子源
作者:
Miyake
;
K.
;
Ishikawa
;
Y.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
21.
Impact of gas panel components on SDS gas utilization
机译:
气体面板组件对SDS气体利用率的影响
作者:
Boshek
;
E.
;
Schwartz
;
J.M.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
22.
Implant dosimetry results for plasma doping
机译:
等离子体掺杂的植入物剂量测定结果
作者:
Walther S.
;
Lenoble D.
;
Ziwei Fang
;
Liebert R.B.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
23.
Implantation effects of ultra-thin Fe/Cr multilayers
机译:
超薄Fe / Cr多层膜的注入效应
作者:
Sakamoto I.
;
Tanoue H.
;
Koike M.
;
Hnda S.
;
Nawate M.
;
Shimizu T.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
24.
Improved photoresist integrity by UV photostabilization for high dose, high energy ion implants
机译:
通过紫外线光稳定剂改善高剂量,高能量离子注入的光致抗蚀剂完整性
作者:
Rubin
;
L.
;
Whiteside
;
D.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
25.
Improvement of P/sup +/ contact resistance through optimal boron distribution on TiSi/sub 2//P/sup +/ interface for 0.18/spl mu/m DRAM technology and beyond
机译:
通过在TiSi / sub 2 // P / sup + /接口上的最佳硼分布来提高P / sup + /接触电阻,从而实现0.18 / spl mu / m DRAM技术
作者:
Jeong Su Han
;
It Gweon Kim
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
26.
Increased ion source life for varian's kestrel implanter
机译:
瓦里安红k植入机的离子源寿命增加
作者:
Bisson J.
;
Gammel G.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
27.
Indium beam implantation
机译:
铟束注入
作者:
Fujisawa H.
;
Yamashita T.
;
lshida S.
;
Hamamoto W.
;
Miyamoto N.
;
Miyabayashi K.
;
Nagayama T.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
28.
Indium implantation process performance on the 8250/sub HT/
机译:
8250 / sub HT /上的铟注入工艺性能
作者:
Luckman
;
G.
;
Rathmell
;
R.D.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
29.
Influence of RTP flash anneal ramp rates on lithography overlay performance on 300 mm integrated wafers
机译:
RTP快速退火退火速率对300 mm集成晶圆上光刻覆盖性能的影响
作者:
Storbeck
;
O.
;
Ganz
;
D.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
30.
Influence of scribe lanes on wafer potentials and charging damage
机译:
划线道对晶圆电位和充电损伤的影响
作者:
Lukaszek W.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
31.
In-line characterization of preamorphous implants (PAI)
机译:
在线预表征非晶态植入物(PAIN)
作者:
Borden P.
;
Ferguson C.
;
Sing D.
;
Larson L.
;
Bechtler L.
;
Jones K.
;
Gable P.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
32.
Instability study of partially depleted SOI-MOSFET due to floating body effect using high energy nuclear microprobes
机译:
使用高能核微探针研究由于浮体效应导致的部分耗尽SOI-MOSFET的不稳定性
作者:
Abo
;
S.
;
Mizutani
;
M.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
33.
Intense UV-visible photoluminescence from Si/sup +/ and N/sup +/ co-implanted thermal SiO/sub 2/ films
机译:
Si / sup + /和N / sup + /共注入热SiO / sub 2 /薄膜产生的强烈紫外线可见光致发光
作者:
Yu
;
Y.H.
;
Li
;
L.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
34.
Introduction of the varian VIISTa 3000 single wafer high-energy ion implanter
机译:
推出瓦里安VIISTa 3000单晶圆高能离子注入机
作者:
Tokoro
;
N.
;
Holbrook
;
D.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
35.
Investigation of indium activation by C-V measurement
机译:
通过C-V测量研究铟活化
作者:
Jinning Liu
;
Jeong U.
;
Mehta S.
;
Sherbondy J.
;
Lo A.
;
Kuang Ha Shim
;
Jae Eun Lim
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
36.
Investigation of molybdenum contamination in /sup 11/B/sup +/ and /sup 31/P/sup +/ implants
机译:
/ sup 11 / B / sup + /和/ sup 31 / P / sup + /植入物中的钼污染调查
作者:
Funk
;
K.
;
Haublein
;
V.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
37.
Ion energy distributions in plasma immersion ion implantation theory and experiment
机译:
等离子体浸没离子注入中的离子能分布理论与实验
作者:
Kellerman
;
P.L.
;
Bernstein
;
J.D.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
38.
Ion implantation induced damage in silicon carbide studied by non-rutherford elastic backscattering
机译:
非拉瑟福德弹性背向散射研究离子注入引起的碳化硅损伤
作者:
Szilagyi
;
E.
;
Kotai
;
E.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
39.
Ion implantation of N into Si andSiO/sub 2/Si in the 1-1000 eV energy range for gate dielectric fabrication
机译:
在1-1000 eV能量范围内将N离子注入到Si和SiO / sub 2 / Si中以进行栅极电介质制造
作者:
Krug
;
C.
;
Baumvol
;
I.J.R.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
40.
Ion implantation technique using negative ions for artificial neuron network on polystyrene in cell culture
机译:
人工神经元网络上负离子离子注入技术在聚苯乙烯细胞培养中的应用
作者:
Tsuji
;
H.
;
Sasaki
;
H.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
41.
Ion-implanted silicon detectors of nuclear radiation
机译:
离子注入的核辐射硅探测器
作者:
Yrchuk S.Yu.
;
Koltsov G.I.
;
Kuts V.A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
42.
Junction capacitance reduction by s/d junction compensation implant
机译:
通过S / D结补偿注入减少结电容
作者:
Curello C.
;
Rengarajan R.
;
Faul J.
;
Kieslich A.
;
Glawischnig H.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
43.
Junction profiles of sub keV ion implantation for deep sub-quarter micron devices
机译:
亚keV亚微米深器件的keV离子注入结形曲线
作者:
Al-Bayati
;
A.
;
Tandon
;
S.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
44.
Large area line beam formation in nissin ion doping system for TFT LCD fabrication
机译:
用于LCD LCD的Nissin离子掺杂系统中的大面积线束形成
作者:
Andoh
;
Y.
;
Inouchi
;
Y.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
45.
Medium energy ion scattering analysis of damage in silicon caused by uitra-low energy boron implantation at different substrate temperatures
机译:
在不同衬底温度下超低能硼注入对硅造成的损伤的中能离子散射分析
作者:
Shenjun Zhang
;
van den Berg
;
J.A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
46.
Microstructure and optical effects of buried nano-cavities formed in silicon by hydrogen ion implantation
机译:
氢离子注入硅中形成的纳米隐腔的微观结构和光学效应
作者:
Li
;
L.
;
Yu
;
Y.H.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
47.
Modeling of the formation and properties of nanocrystals in insulator matrices (SiO/sub 2/:Si, ZrO/sub 2/(Y):Zr) produced by ion implantation
机译:
离子注入产生的绝缘体基质(SiO / sub 2 /:Si,ZrO / sub 2 /(Y):Zr)中纳米晶体的形成和特性建模
作者:
Eckstein
;
W.
;
Gorshkov
;
O.N.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
48.
Modeling photoresist outgassing pressure distribution using the finite-element method
机译:
使用有限元方法模拟光刻胶除气压力分布
作者:
LaFontaine
;
M.R.
;
Tokoro
;
N.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
49.
Modeling the amorphization of si due to the implantation of As, Ge, and Si
机译:
模拟由于砷,锗和硅的注入导致的硅非晶化
作者:
Stiebel
;
D.
;
Burenkov
;
A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
50.
Molybdenum implantation of stainless steel in the near surface layer : structural and chemical exploration
机译:
不锈钢在近表层的钼注入:结构和化学探索
作者:
Mottu
;
N.
;
Vayer
;
M.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
51.
Monitoring system for silicon coating thickness of disk
机译:
磁盘硅涂层厚度监控系统
作者:
Kawaguchi H.
;
Kabasawa M.
;
Tsukihara M.
;
Sugitani M.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
52.
Monte carlo simulation and modeling of ion implantation induced contamination profiles
机译:
蒙特卡洛模拟和离子注入引起的污染概况建模
作者:
Haublein
;
V.
;
Weib
;
R.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
53.
Negative-ion implanter and formation of metal nanoparticles in glass
机译:
负离子注入机和玻璃中金属纳米粒子的形成
作者:
Ishikawa
;
J.
;
Tsuji
;
H.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
54.
Nissin 300mm medium current ion implanter EXCEED2300
机译:
日清300mm中电流离子注入机EXCEED2300
作者:
Nagai
;
N.
;
Tamura
;
Y.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
55.
Nitrogen ion dose dependence of surface morphology of titanium nitride films deposited on gallium arsenide by an ion beam assisted deposition technique
机译:
离子束辅助沉积技术沉积在砷化镓上的氮化钛膜表面形貌的氮离子剂量依赖性
作者:
Yokota
;
K.
;
Nakamura
;
K.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
56.
Non-contact, in-line monitoring of low dose and low energy ion implantation
机译:
低剂量和低能量离子注入的非接触式在线监测
作者:
Santlesteban
;
R.S.
;
DeBusk
;
D.K.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
57.
200 keV Ion implantation experiments in very high dose region
机译:
高剂量区域的200 keV离子注入实验
作者:
Ito Y.
;
Ishigami R.
;
Yasuda K.
;
Hatori S.
;
Yamamoto A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
58.
300mm implant: Pilot production at SEMICONDUCTOR300
机译:
300mm植入物:SEMICONDUCTOR300的试生产
作者:
Zeakes
;
J.S.
;
Franke
;
D.W.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
59.
Abatement of effluent species from ion implantation process
机译:
减少离子注入过程中的流出物
作者:
Arno J.
;
Eastman S.
;
Faller R.J.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
60.
Achieving next generation performance of ion implanters with the varian control system (VCS)
机译:
利用瓦里安控制系统(VCS)实现下一代离子注入机的性能
作者:
Viviani
;
G.L.
;
Parisi
;
N.A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
61.
Activation and deactivation studies of laser thermal annealed boron, arsenic, phosphorus, and antimony ultra-shallow abrupt junctions
机译:
激光热退火硼,砷,磷和锑超浅突变结的激活和失活研究
作者:
Murto
;
R.
;
Jones
;
K.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
62.
Advanced optical model for the ellipsometric study of ion implantation-caused damage depth profiles in single-crystalline silicon
机译:
椭圆光度法研究离子注入引起的单晶硅损伤深度剖面的高级光学模型
作者:
Petrik
;
P.
;
Polgar
;
O.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
63.
Advances in cross-contamination control using single-wafer, high-current implantation
机译:
单晶片大电流注入的交叉污染控制研究进展
作者:
Todorov
;
S.S.
;
Bertuch
;
A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
64.
Advantages of the varian VIISTa single wafer high current ion implanter for advanced device fabrication
机译:
瓦里安VIISTa单晶片大电流离子注入机在先进设备制造方面的优势
作者:
Munk
;
G.
;
Callahan
;
T.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
65.
Novel aspects of the atomic transport of B implanted in silicon at energies below 1 keV
机译:
低于1 keV的能量注入到硅中的B的原子迁移的新颖方面
作者:
Privitera
;
V.
;
Napolitani
;
E.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
66.
Optimization of N- junction through ion beam shadowing and buffering effect by tilt implantation with rotation for improving the retention time
机译:
通过旋转倾斜注入离子束阴影和缓冲效应来优化N-结,以改善保留时间
作者:
Nam-Sung Kim
;
Il-Gweon Kim
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
67.
Optimization of short channel effect by arsenic p-halo implant through polysificon gate for 0.12/spl mu/m P-MOSFET
机译:
0.12 / splμm/ m的P-MOSFET的多晶硅阱通过砷化硅p-卤化物注入优化短沟道效应
作者:
Chou
;
J.W.
;
Hong
;
G.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
68.
Performance characteristics of the varian VIISTa 810 single wafer medium current ion implanter
机译:
瓦里安VIISTa 810单晶片中电流离子注入机的性能特点
作者:
Renau
;
A.
;
Scheuer
;
J.T.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
69.
Performance comparison of enriched versus non-enriched SDS GeF/sub 4/
机译:
富SDS和非富SDS GeF / sub 4 /的性能比较
作者:
Hess
;
D.
;
Hensley
;
T.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
70.
Performance of IW-630 ion implanter for 300-mm wafers
机译:
IW-630离子注入机用于300毫米晶圆的性能
作者:
Nishihashi T.
;
Yokoo H.
;
Hisamune T.
;
Shimizu T.
;
Fukui R.
;
Suzuki H.
;
Kageyama K.
;
Niikura K.
;
Fuwa K.
;
Oka T.
;
Kashimoto K.
;
Fujiyama J.
;
Sakurada Y.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
71.
Phosphorus ion shower implantation for special power IC applications
机译:
磷离子喷淋植入,用于特殊功率IC应用
作者:
Kroner
;
F.
;
Schork
;
R.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
72.
Photoresist properties during high current implantation: An I-lines vs. DUV resist comparison
机译:
大电流注入过程中的光刻胶特性:I线与DUV光刻胶的比较
作者:
Norton
;
C.
;
Marshall
;
D.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
73.
Plasma doping system for 200 and 300mm wafers
机译:
用于200和300mm晶圆的等离子掺杂系统
作者:
Liebert
;
R.B.
;
Walther
;
S.R.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
74.
Plasma immersion ion implantation as an alternative deep trench buried-plate doping technology
机译:
等离子体浸没离子注入作为一种替代的深沟槽掩埋板掺杂技术
作者:
Lee
;
K.
;
Lee
;
B.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
75.
Process performance for axcelis MC3 300 mm implanter
机译:
Axcelis MC3 300 mm植入机的处理性能
作者:
Rathmell R.D.
;
Ray A.M.
;
Sato F.
;
Godfrey C.J.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
76.
Process simulator for plasma enhanced sputter deposition system
机译:
等离子增强溅射沉积系统的工艺模拟器
作者:
Miyagawa Y.
;
Tanaka M.
;
Nakadate H.
;
Nakao S.
;
Miyagawa S.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
77.
Range parameters of heavy ions in light targets
机译:
轻目标中重离子的范围参数
作者:
Kuzmin V.
;
Didyk A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
78.
Reducing arsenic to germanium cross contamination with isotopically enriched SDS /sup 72/GeF/sub 4/
机译:
使用同位素富集的SDS / sup 72 / GeF / sub 4 /减少砷对锗的交叉污染
作者:
Rendon
;
M.J.
;
Locke
;
J.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
79.
Role of buried oxide microstructure in dosimetry of implanted oxygen in SIMOX technology
机译:
SIMOX技术中掩埋氧化物微结构在注入氧剂量中的作用
作者:
Anc
;
M.J.
;
Matthews
;
B.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
80.
RTP for shallow junction formation - monitoring with repeatable, reliable sheet resistance measurements
机译:
RTP用于浅结形成-通过可重复,可靠的薄层电阻测量进行监控
作者:
Aderhold
;
W.
;
Amitabh Jain
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
81.
SiGe device architectures synthesised by local area Ge/sup +/ implantation - structural and electrical characterisation
机译:
通过局部Ge / sup + /注入合成的SiGe器件架构-结构和电特性
作者:
Graoui
;
H.
;
Nejim
;
A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
82.
SIMS quantification round-robin study at evans analytical group
机译:
evans分析小组的SIMS定量循环研究
作者:
Smith S.P.
;
Bleiler R.
;
Buyuklimanli T.
;
Biswas S.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
83.
Solid state pulsed power systems for plasma immersion ion implantation
机译:
用于等离子体浸没离子注入的固态脉冲功率系统
作者:
Gaudreau
;
M.P.J.
;
Casey
;
J.A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
84.
Structural properties of sulfur-implanted diamond single crystals
机译:
硫注入金刚石单晶的结构性质
作者:
Hasegawa M.
;
Ogura M.
;
Takeuchi D.
;
Yamanaka S.
;
Watanabe H.
;
Sung-Gi Ri
;
Kobayashi N.
;
Okushi H.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
85.
Study of ion-induced damage in Li/sub 2/TiO/sub 3/ ceramics
机译:
Li / sub 2 / TiO / sub 3 /陶瓷中离子损伤的研究
作者:
Nakazawa
;
T.
;
Grismanovs
;
V.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
86.
Sub-melt laser annealing followed by low-temperature TRP for minimized diffusion
机译:
亚熔融激光退火,然后进行低温TRP,以最大程度地减少扩散
作者:
Felch
;
S.B.
;
Downey
;
D.F.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
87.
Substrate engineering by hydrogen or helium implantation for epitaxial growth of lattice mismatched Si/sub 1-x/Ge/sub x/ films on silicon
机译:
通过氢或氦注入进行衬底工程以在硅上外延生长晶格失配的Si / sub 1-x / Ge / sub x /膜
作者:
Holldnder
;
B.
;
Lenk
;
St.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
88.
Synthesis of SOI material using low energy water ion implantation
机译:
低能水离子注入法合成SOI材料
作者:
Jing Chen
;
Meng Chen
;
Yuehui Yu
;
Zhihong Zheng
;
Xi Wang
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
89.
Technical and economic considerations for retrograde well and channel implants
机译:
逆行井和通道植入物的技术和经济考虑
作者:
Morris
;
W.
;
Rubin
;
L.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
90.
The hitachi advanced implanter UI-6000 for SIMOX wafer production
机译:
日立先进的注入机UI-6000,用于SIMOX晶圆生产
作者:
Tokiguchi K.
;
Seki T.
;
Itou J.
;
Kitazawa S.
;
Sato T.
;
Mera K.
;
Hashimoto I.
;
Yoshikawa A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
91.
The influence of plasma boundary shape on the transport of energetic ion beams
机译:
等离子体边界形状对高能离子束传输的影响
作者:
Goldberg
;
R.D.
;
Armour
;
D.G.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
92.
The influence of substrate temperature and the anneal ambient on the redistribution of arsenic implanted into silicon at ultra-low energy
机译:
衬底温度和退火环境对以超低能量注入硅的砷的重新分布的影响
作者:
Whelan
;
S.
;
Armour
;
D.G.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
93.
The role of fluorine on reducing TED in boron implanted silicon
机译:
氟在硼注入硅中减少TED的作用
作者:
Robertson L.S.
;
Warnes P.N.
;
Law M.E.
;
Jones K.S.
;
Downey D.F.
;
Liu J.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
94.
The significance of controlling 'Off-Axis' (from 1-0-0) oriented Si wafers during high angle implants
机译:
在大角度注入过程中控制“离轴”(从1-0-0)取向的硅片的重要性
作者:
Downey
;
D.F.
;
Arevalo
;
E.A.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
95.
Therma-wave dose sensitivity considerations, including energy dependence
机译:
热波剂量敏感性考虑因素,包括能量依赖性
作者:
Kamenitsa
;
D.
;
Lillian
;
P.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
96.
Throughput and production data on the GSD-HE using the continuous variable aperture
机译:
使用连续可变孔径的GSD-HE上的吞吐量和生产数据
作者:
Wainwright
;
L.
;
Merrill
;
J.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
97.
Transformation of implantation induced interstitial point defects in dislocation loops
机译:
植入引起的位错环中的间隙点缺陷的转变
作者:
Starostenkov
;
M.D.
;
Poletayev
;
G.M.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
98.
Transient effects in SIMS depth profile analysis of 1KeV as implanted Si
机译:
1KeV注入Si的SIMS深度剖面分析中的瞬态效应
作者:
van der Heide
;
P.A.W.
;
Rabalais
;
J.W.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
99.
Vacuum actuated gas delivery
机译:
真空致动气体输送
作者:
Olander W.K.
;
Donatucci M.
;
Mayer J.
;
Wang L.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
100.
VIISTa 810 dosimetry performance
机译:
VIISTa 810剂量学性能
作者:
Scheuer J.T.
;
Renau A.
;
Olson J.C.
;
Smatlak D.L.
;
Cucchetti A.
;
Sud R.
;
Bustin R.
会议名称:
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》
|
2000年
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