掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
International Conference on Ion Implantation Technology
International Conference on Ion Implantation Technology
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
共
807
条结果
1.
Thermal evolution of H-related defects in H implanted Si: from nano-platelets to micro-cracks
机译:
H植入Si中H相关缺陷的热量演化:从纳米血小板到微裂缝
作者:
Alain Claverie
;
Nicolas Daix
;
Fouad Okba
;
Nikolay Cherkashin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Silicon;
Sociology;
Statistics;
Surface cracks;
Ion implantation;
Microscopy;
2.
Conformal Doping with High Dopant Concentration for n+/p and p+/n Si junctions in 3D Devices Using Sol-Gel Coating and Flash Lamp Annealing
机译:
使用溶胶 - 凝胶涂层和闪光灯退火的3D装置中的N + / P和P + / N SI结的高掺杂剂浓度的共形掺杂
作者:
Kazuhiko Fuse
;
Hideaki Tanimura
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Yoshihide Nozaki
;
Ippei Kobayasi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Silicon;
Annealing;
Doping;
Coatings;
Arsenic;
Three-dimensional displays;
3.
Dose Dependent Profile Deviation of Implanted Aluminum in 4H-SiC During High Temperature Annealing
机译:
高温退火期间4H-SiC植入铝的剂量依赖性剖面偏差
作者:
Matthias Kocher
;
Mathias Rommel
;
Tomasz Sledziewski
;
Volker H?ublein
;
Anton J. Bauer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Aluminum;
Annealing;
Silicon;
Carbon;
Simulated annealing;
Silicon carbide;
4.
Migration Behavior of 100°C Europium Ion Implantation in Glassy Carbon
机译:
100°C铕离子植入玻璃碳的迁移行为
作者:
Mahboubeh Fathi Kenari
;
Thulani T Hlatshwayo
;
Opeyemi S Odutemowo
;
Tshegofatso M Mohlala
;
Elke Wendler
;
Johan B Malherbe
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Annealing;
Ion implantation;
Europium;
Surface treatment;
Ions;
Surface topography;
5.
Towards Carrier Profiling in Nanometer-wide Si Fins with Micro Four-Point Probe
机译:
朝着纳米宽Si翅片用微四点探针探讨载体分析
作者:
Steven Folkersma
;
Janusz Bogdanowicz
;
Andreas Schulze
;
Paola Favia
;
Alexis Franquet
;
Valentina Spampinato
;
Dirch H. Petersen
;
Ole Hansen
;
Henrik H. Henrichsen
;
Peter F. Nielsen
;
Lior Shiv
;
Wilfried Vandervorst
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Electrical resistance measurement;
Resistance;
Silicon;
Probes;
Sputtering;
Implants;
Semiconductor device measurement;
6.
Boron Deposition Control for p-type Plasma Doping
机译:
P型等离子掺杂的硼沉积控制
作者:
Vikram Bhosle
;
Nicholas Bateman
;
Deven Raj
;
Tim Miller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Boron;
Surface treatment;
Implants;
Plasmas;
Doping profiles;
Silicon;
7.
Peter H. Rose - Father of Ion Implantation: The Early Years
机译:
彼得H. Rose - 离子植入父亲:早年
作者:
Andrew Wittkower
;
Geoffrey Ryding
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion implantation;
Ion sources;
Business;
Technological innovation;
Acceleration;
Particle beams;
8.
The Defect Formation Mechanism Associated with Low Dose Implants into Si Fin Structures
机译:
与低剂量植入物进入Si Fin结构相关的缺陷形成机制
作者:
Kevin Jones
;
Emily Turner
;
Jae Young Lee
;
Hans van Meer
;
Naushad Variam
;
Ibrahim Avci
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Silicon;
Annealing;
Stacking;
Stress;
Ions;
Ion implantation;
9.
MOSFET Threshold Voltage Shift Induced By Ion Implantation Performed in Different Implanters
机译:
在不同的植入机中进行的离子注入引起的MOSFET阈值电压移位
作者:
Vladimir Kolkovsky
;
Arnd Hürrich
;
Lutz Ende
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Logic gates;
MOSFET;
MOSFET circuits;
Ion implantation;
Capacitance-voltage characteristics;
Threshold voltage;
10.
High Intensity low Aluminum Ion Energy Implantation into Titanium
机译:
高强度低铝离子能量植入钛
作者:
Alexander Ryabchikov
;
Alexey Shevelev
;
Denis Sivin
;
Egor Kashkarov
;
Irina Bozhko
;
Igor Stepanov
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Aluminum;
Surface morphology;
Current density;
Sputtering;
Surface treatment;
Ion implantation;
11.
Hydrocarbon Gettering Effect for Contaminants from Factory Environment
机译:
工厂环境污染物的碳氢化合物杂志效应
作者:
Naoki Miyamoto
;
Takahiro Higuchi
;
Ryota Wada
;
Takashi Kuroi
;
Tsutomu Nagayama
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gettering;
Carbon;
Ions;
Annealing;
Hydrocarbons;
Potassium;
Atomic layer deposition;
12.
TRI3DYN Modelling and MEIS Measurements of Arsenic Dopant Profiles in FinFETS
机译:
FinFET中砷掺杂剂型材的三维模型和MEIS测量
作者:
Jonathan England
;
Lucio dos Santos Rosa
;
Won Ja Min
;
Jwasoon Kim
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Ions;
Doping profiles;
Semiconductor process modeling;
Arsenic;
Implants;
Scattering;
13.
Proximity Gettering Design of Silicon Wafers Using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation Technique for Advanced CMOS Image Sensors
机译:
使用烃分子离子注入技术进行高级CMOS图像传感器的硅晶片的接近摩擦设计
作者:
Kazunari Kurita
;
Takeshi Kadono
;
Satoshi Shigematsu
;
Ryo Hirose
;
Ryosuke Okuyama
;
Ayumi Onaka-Masada
;
Hidehiko Okuda
;
Yoshihiro Koga
;
Jea-Gun Park
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Impurities;
CMOS image sensors;
Silicon;
Fabrication;
Hydrocarbons;
Ion implantation;
Gettering;
14.
Defects Investigation in Nanosecond laser Annealed Crystalline Silicon: Identification and Localization
机译:
纳秒激光退火结晶硅的缺陷调查:鉴定与本地化
作者:
Richard Monflier
;
Hiba Rizk
;
Toshiyuki Tabata
;
Julien Roul
;
Simona Boninelli
;
Markus Italia
;
Antonino La Magna
;
Fulvio Mazzamuto
;
Pablo Acosta Alba
;
Sébastien Kerdilès
;
Filadelfo Cristiano
;
Elena Bedel-Pereira
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Silicon;
Measurement by laser beam;
Carbon;
Satellites;
Chemical lasers;
15.
A Study on the Effect of Ion Implant to Wafer Shape and the Ion Implanter to Process the Distorted Thin SiC Wafer
机译:
离子植入物与晶片形状的影响及离子注入机的影响处理扭曲的薄SiC晶片
作者:
WeiJiang Zhao
;
Shiro Shiojiri
;
Kazuki Tobikawa
;
Suguru Itoi
;
Shigeki Sakai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Shape;
Ions;
Ion implantation;
Clamps;
Implants;
Temperature measurement;
16.
Diffusion and Aggregation of Mg Implanted in GaN on Si
机译:
甘蓝植入甘氏植入的扩散与聚集
作者:
A. Lardeau-Falcy
;
L. Amichi
;
M. Coig
;
J. Kanyandekwe
;
F. Milési
;
A. Grenier
;
M. Veillerot
;
J. Eymery
;
F. Mazen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Annealing;
Surface treatment;
Surface morphology;
Silicon;
Ion implantation;
Atomic measurements;
17.
Measurement of the Lateral Charge Distribution in Silicon Generated by High-Energy Ion Incidence
机译:
高能离子发病率产生的硅中横向电荷分布的测量
作者:
Satoshi Abo
;
Kenichi Tani
;
Fujio Wakaya
;
Shinobu Onoda
;
Yuji Miyato
;
Hayato Yamashita
;
Masayuki Abe
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Charge measurement;
Silicon;
Current measurement;
Solids;
Histograms;
Semiconductor device measurement;
18.
Precise Diffusion Control in the Nanometer Range in n+/p and p+/n Ge Using Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
机译:
使用离子植入和闪光灯退火,N + / P和P + / N Ge中纳米范围内的精确扩散控制
作者:
Hideaki Tanimura
;
Hikaru Kawarazaki
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
;
Ryota Wada
;
Takahiro Higuchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Germanium;
Annealing;
Junctions;
Ion implantation;
Doping;
Silicon;
Conferences;
19.
Impact of Carbon on the Deactivation Behaviors of Boron and Phosphorus in Preamorphized Silicon
机译:
碳对硼和磷在前菱形硅中的失活行为的影响
作者:
Ruey-Dar Chang
;
Hsueh-Chun Liao
;
Jui-Chang Lin
;
Jung-Ruey Tsai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Boron;
Phosphorus;
Silicon;
Resistance;
Annealing;
Ion implantation;
20.
Comparative Study of 4H-SiC UV-Sensors with Ion Implanted and Epitaxially Grown p-Emitter
机译:
离子植入和外延生长P型发射极4H-SiC紫外线传感器的比较研究
作者:
Christian D. Matthus
;
Tobias Erlbacher
;
Anton J. Bauer
;
Lothar Frey
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Epitaxial growth;
Sensors;
Ion implantation;
Ions;
Semiconductor process modeling;
Doping;
Silicon carbide;
21.
Ion Implantation of As, P, B, BF and BF
2
on Planar and Alkaline-Textured Si(001) Surfaces for Photovoltaic Applications
机译:
IS,P,B,BF和BF> 2 ING>在平面和碱性纹理Si(001)表面上的光伏应用
作者:
Jan Krügener
;
Fabian Kiefer
;
Robby Peibst
;
H. J?rg Osten
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Surface morphology;
Fluorine;
Ions;
Ion implantation;
Surface texture;
Boron;
22.
ION-X Dopant Gas Delivery System Performance Characterization at Axcelis
机译:
ION-X掺杂气体输送系统性能表征AXCEL
作者:
J. Arnó
;
O. K. Farha
;
W. Morris
;
P. W. Siu
;
G. M Tom
;
M. H. Weston
;
P. E. Fuller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gases;
Metals;
Ion implantation;
Ions;
Implants;
Surface contamination;
23.
MARLOWE Simulation of High Energy Ions into Single Crystalline Silicon Substrates
机译:
高能离子仿真成单晶硅衬底的马洛模拟
作者:
Haruka Sasaki
;
Yoji Kawasaki
;
Shiro Ninomiya
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Substrates;
Shape;
Ion implantation;
CMOS image sensors;
Silicon;
24.
Mass Separation Issues for the Implantation of Doubly Charged Aluminum Ions
机译:
植入双电荷铝离子的群众分离问题
作者:
Volker H?ublein
;
Anton J. Bauer
;
Heiner Ryssel
;
Lothar Frey
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Argon;
Pollution measurement;
Aluminum;
Contamination;
Silicon carbide;
25.
Neutralization of Electrical Static Charge under High Vacuum by Plasma Flood Gun
机译:
通过等离子泛枪在高真空下中和电气静电电荷
作者:
Tomokazu Nagao
;
Genki Takahashi
;
Yutaka Inouchi
;
Junichi Tatemichi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Electric potential;
Insulators;
Plasmas;
Ions;
Meters;
Ion implantation;
Probes;
26.
Investigation of Various GeF
4
Gas Mixtures for Improvement of Germanium Ion Implantation
机译:
各种GEF
4 INF>用于改善锗离子注入的气体混合物
作者:
Ying Tang
;
Sharad Yedave
;
Oleg Byl
;
Chee-Weng Leong
;
Eric Tien
;
Joseph Despres
;
Joseph Sweeney
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Germanium;
Xenon;
Tungsten;
Implants;
Cathodes;
Carbon;
27.
PULSION?-Solar, a Efficient and Cost Effective Plasma Immersion Ion Implantation Solution for Phosphorus and Boron Doping needed for high Conversion Efficiency Silicon Solar Cells
机译:
脉动? sup> -solar,高转换效率硅太阳能电池所需的磷和硼掺杂的高效和成本有效的血浆浸渍离子植入溶液
作者:
Frank Torregrosa
;
Laurent Roux
;
Adeline Lanterne
;
Thibaut Desrues
;
Sebastien Dubois
;
Frédéric Milési
;
Marianne Coig
;
Guillaume Sempere
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Photovoltaic cells;
Boron;
Ion implantation;
Phosphorus;
Tools;
Annealing;
Doping;
28.
Electrical Evaluation of Ion Implant, Liquid, and Gas Sources for Doping of Ultra-Thin Body SOI and Si Nanowire Structures
机译:
用于掺杂超薄体SOI和Si纳米线结构的离子植入物,液体和气体源的电气评估
作者:
John MacHale
;
Fintan Meaney
;
Brendan Sheehan
;
Ray Duffy
;
Noel Kennedy
;
Brenda Long
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Silicon;
Conductivity;
Resistance;
Electrodes;
Ion implantation;
Electrical resistance measurement;
29.
Impact of Al-Ion Implantation on the Formation of Deep Defects in n-Type 4H-SiC
机译:
Al离子植入对N型4H-SIC中深缺陷形成的影响
作者:
Julietta Wei?e
;
Constantin Csato
;
Martin Hauck
;
Jürgen Erlekampf
;
Shavkat Akhmadaliev
;
Mathias Rommel
;
Heinz Mitlehner
;
Michael Rüb
;
Michael Krieger
;
Anton Bauer
;
Volker H?ublein
;
Tobias Erlbacher
;
Lothar Frey
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Aluminum;
Temperature measurement;
Ion implantation;
Hall effect;
Photonic band gap;
Ionization;
Mathematical model;
30.
Optimum Conditions on Support Gases for Producing Fullerene Ions and Purifying on Electron Cyclotron Resonance Ion Source
机译:
用于生产富勒烯离子的支持气体的最佳条件,并在电子回旋谐振离子源上净化
作者:
Koji Onishi
;
Kouta Hamada
;
Tatsuto Takeda
;
Takayuki Omori
;
Kazuki Okumura
;
Yushi Kato
;
Takashi Uchida
;
Masayuki Muramatsu
;
Atsushi Kitagawa
;
Yoshikazu Yoshida
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Fullerenes;
Iron;
Ion beams;
Gettering;
Xenon;
Ions;
Impurities;
31.
Ultralow Energy, Elevated Temperature Implants of High Doses of Helium into Silicon
机译:
超级能量,高剂量氦气的升高植入物到硅中
作者:
Katherine Haynes
;
Xunxiang Hu
;
Brian D. Wirth
;
Christopher Hatem
;
Kevin S. Jones
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Helium;
Cavity resonators;
Implants;
Silicon;
Positrons;
Scattering parameters;
Spectroscopy;
32.
Ion Beam Erosion of Commercial Graphite Materials, a Quantitative Comparison
机译:
商业石墨材料的离子束侵蚀,定量比较
作者:
Steve Walther
;
YiHsiang Su
;
ChiaChih Shieh
;
Chen Chuang
;
Nam Ngo
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Graphite;
Ion beams;
Ions;
Ion implantation;
Loss measurement;
Sputtering;
33.
High Dopant Activation of Boron in SiGe with two-step Implantation and Microwave Annealing
机译:
用两步植入和微波退火的SiGE高掺杂硼活化
作者:
Tai-Chen Kuo
;
Chao-Yi Lin
;
Wen-Hsi Lee
;
Ger-Pin Lin
;
Shao-Yu Hu
;
Steve Walther
;
Yi-Hsiang Su
;
Sandeep Mehta
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Germanium;
Boron;
Silicon;
Silicon germanium;
Annealing;
Resistance;
Ion implantation;
34.
Review of Major Innovations in Beam Line Design
机译:
梁线设计重大创新述评
作者:
Hilton Glavish
;
Marvin Farley
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion sources;
Magnetic analysis;
Particle beams;
Laboratories;
Semiconductor device modeling;
Magnetic resonance imaging;
35.
The Role of Doping Technology in the CMOS Digital Revolution
机译:
掺杂技术在CMOS数字革命中的作用
作者:
Amitabh Jain
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Boron;
Ion implantation;
Doping;
Resists;
Rapid thermal annealing;
36.
Characterization of Heated Ion Implantation for non Amorphizing Conditions and Correlation with Kinetic Monte Carlo Simulations
机译:
用于非混合条件的加热离子植入的特征及与动力学蒙特卡罗模拟的相关性
作者:
Sylvain Joblot
;
Romain Duru
;
Nicolas Guitard
;
Vincent Lu
;
Thomas Nassiet
;
Rémi Beneyton
;
Fuccio Cristiano
;
Karen Dabertrand
;
Julien Borrel
;
Marc Juhel
;
Edwin Arevalo
;
Frédéric Monsieur
;
Céline Borowiak
;
Elodie Ghegin
;
Laurent Clement
;
Evan Oudot
;
Denis Rideau
;
Wei Zou
;
Luc
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Heating systems;
Annealing;
Phosphorus;
Ion implantation;
Photoluminescence;
Imaging;
37.
Low-energy Heavy-ion Implantation of Crop Seeds to Induce a Broad Spectrum of High-yield-based Mutation of Thai Rice
机译:
作物种子的低能量重离子植入诱导广泛的泰国米的高产量突变
作者:
J. Techarang
;
L.D. Yu
;
B. Phanchaisri
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Agriculture;
Ion implantation;
Ion beams;
Ions;
Color;
Nitrogen;
38.
Space Charge Neutralization by a Microwave Linear Antenna Plasma Flood Gun
机译:
微波线性天线等离子洪水枪的空间电荷中和
作者:
Takahito Arai
;
Yusuke Kuwata
;
Naoki Miyamoto
;
Toshiro Kasuya
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
hall thruster;
plasma flood gun;
space charge;
39.
Custom Wafer Dose Patterning for Automated Process Control in Semiconductor Device Fabrication
机译:
定制晶片剂量图案化,用于半导体器件制造中的自动化过程控制
作者:
Stan S. Todorov
;
Allen Pitzer
;
Sungho Jo
;
Y.J. Hwang
;
B.J. Kim
;
Y.S. Kim
;
D.J. Shin
;
T.Y. Lee
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Ion implantation;
Process control;
Fabrication;
Production;
Metrology;
40.
The Effects of Preheating in Millisecond Anneals on Dopant Activation in Silicon
机译:
毫秒退火预热对掺杂剂活化的影响
作者:
Paul Timans
;
Christian Pfahler
;
Markus Hagedorn
;
Alexandr Cosceev
;
Manuela Zwissler
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Heating systems;
Cooling;
Temperature measurement;
Doping;
Correlation;
Implants;
41.
Development of Electrically Conductive DLC Coated Aluminum Substrate for the Advanced Electric Storage Devices by Plasma Ion Assisted Deposition Method
机译:
通过等离子体离子辅助沉积方法对先进的蓄电装置进行导电DLC涂覆铝基基板的开发
作者:
Masayasu Tanjyo
;
Yasuo Suzuki
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Substrates;
Plasmas;
Carbon;
Conductivity;
Corrosion;
Electrodes;
42.
Next Generation Plasma Doping: First Results of a Heated E-chuck
机译:
下一代等离子体掺杂:加热E-Chuck的第一个结果
作者:
Aseem Srivastava
;
Deven Raj
;
Vijay Parkhe
;
Steven Anella
;
Stacia Marcelynas
;
Yong Sun
;
Jung Chan Lee
;
Praket Jha
;
Jingmei Liang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
plasma doping;
PLAD;
hot implant;
precision materials modification;
PMM;
43.
Substrate Condition and Metrology Considerations in Poly Gate Doping Implants
机译:
聚浇口掺杂植入物中的基材条件和计量考虑
作者:
David Kirkwood
;
Ivy Wu
;
Dwight Roh
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Particle measurements;
Atmospheric measurements;
Phosphorus;
Surface treatment;
Pollution measurement;
Tools;
44.
Recent Technology for Heavy Ion Radiotherapy
机译:
近期重离子放射治疗技术
作者:
Atsushi Kitagawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Radiation effects;
Tumors;
Carbon;
Biology;
Diseases;
Insurance;
45.
Simulation Study of Al Channeling in 4H-SiC
机译:
4H-SIC频道频道仿真研究
作者:
Gerhard Hobler
;
Kai Nordlund
;
Michael Current
;
Werner Schustereder
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Silicon carbide;
Semiconductor process modeling;
Ion implantation;
Ions;
Semiconductor device modeling;
Histograms;
46.
Prevention of Temperature-Induced Dewetting of Implanted SOI via Heated Ion Implantation
机译:
通过加热离子注入防止温度诱导的植入SOI脱模
作者:
Julien Borrel
;
Alexis Gauthier
;
Fabien Deprat
;
Vincent Lu
;
Francesco Abbate
;
Sylvain Joblot
;
Laurent-Renaud Clément
;
Heloise Tupin
;
Wei Zou
;
Edwin Arevalo
;
Pascal Chevalier
;
Didier Dutartre
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Epitaxial growth;
Silicon-on-insulator;
Ion implantation;
Heating systems;
Substrates;
Silicon;
BiCMOS integrated circuits;
47.
Room Temperature Photoluminescence Characterization of Very Low Energy and Low Dose F+ Implanted Silicon Wafers
机译:
室温光致发光非常低的能量和低剂量F
+ SUP>植入硅晶片
作者:
Woo Sik Yoo
;
Toshikazu Ishigaki
;
Jung Gon Kim
;
Kitaek Kang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Annealing;
Ion implantation;
Silicon;
Monitoring;
Ions;
FinFETs;
48.
Optimization of Microwave Injection at Compact ECR Ion Source
机译:
紧凑型ECR离子源微波注射的优化
作者:
Masayuki Muramatsu
;
Atsushi Kitagawa
;
Ken Katagiri
;
Satoru Hojo
;
Kouta Hamada
;
Yushi Kato
;
Taku Suzuki
;
Katsuyuki. Takahashi
;
Fumihisa Ouchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Argon;
Tuners;
Ions;
Electromagnetic heating;
Plasmas;
Microwave frequencies;
49.
FinFET IO Device Performance Gain with Heated Implantation
机译:
FinFET IO设备性能增益与加热植入
作者:
T.Y. Wen
;
C.I. Li
;
M.S. Hsieh
;
S.H. Tsai
;
P.K. Hsieh
;
S.H. Lin
;
H.T. Chiang
;
N.H. Yang
;
J.Y. Wu
;
B.N. Guo
;
B. Colombeau
;
H.-J. Gossmann
;
Y. Zhang
;
H.V. Meer
;
K.H. Shim
;
M. Hou
;
S. Lee
;
Jeff Kuo
;
D. Liao
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
FinFETs;
Heating systems;
Junctions;
Semiconductor device modeling;
Annealing;
Performance evaluation;
50.
Profile Control of Donor Ions by Sn Co-implantation in Germanium
机译:
通过Sn在锗中的SN共注入对供体离子的概况控制
作者:
Ryota Wada
;
Takahiro Higuchi
;
Naoki Miyamoto
;
Tsutomu Nagayama
;
Takashi Kuroi
;
Tadashi Ikejiri
;
Hideaki Tanimura
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Germanium;
Junctions;
Annealing;
Ion implantation;
Temperature measurement;
Strain;
51.
Ion Implantation of Gemstones in Thailand and Our Reflections
机译:
泰国宝石的离子植入和我们的思考
作者:
S. Intarasiri
;
D. Bootkul
;
U. Tippawan
;
L.D. Yu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Color;
Ion implantation;
Ions;
Absorption;
Ion beams;
Oxidation;
52.
Sb Implantation at High Dose and Medium Energy in SAion
机译:
Sb植入高剂量和中型能量中的溶液
作者:
Yoji Kawasaki
;
Hiroshi Kawaguchi
;
Takanori Yagita
;
Noriyuki Suetsugu
;
Mitsuaki Kabasawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Ion beams;
Silicon;
Industries;
Ion implantation;
Implants;
Standards;
53.
Channeled MeV B, P and As Profiles in Si(100): Monte-Carlo Models and SIMS
机译:
在SI(100)中引导了MEV B,P和作为配置文件:Monte-Carlo模型和SIMS
作者:
Michael Current
;
Yoji Kawasaki
;
Gerhard Hobler
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Silicon;
Histograms;
Monte Carlo methods;
Implants;
Semiconductor process modeling;
Arsenic;
54.
Creation of Quantum Centers in Silicon using Spatial Selective Ion Implantation of high Lateral Resolution
机译:
使用空间选择性离子植入高横向分辨率,在硅中创建量子中心
作者:
Tobias Herzig
;
Paul R?cke
;
Nicole Raatz
;
Daniel Spemann
;
Walid Redjem
;
Jürgen W. Gerlach
;
Jan Meijer
;
Guillaume Cassabois
;
Marco Abbarchi
;
Sébastien Pezzagna
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Silicon;
Ion implantation;
Lattices;
Photonics;
Carbon;
Ion beams;
55.
Effects of Pre-amorphization Thickness and Carbon Implantation on NiPt/Si Silicidation Process
机译:
前非晶化厚度和碳植入对Nipt / Si硅化过程的影响
作者:
Lachal Laurent
;
Rodriguez Philippe
;
Grégoire Magali
;
Ghegin Elodie
;
Milesi Frederic
;
Coig Marianne
;
Borrel Julien
;
Joblot Sylvain
;
Juhel Marc
;
Nemouchi Fabrice
;
Mazen Frédéric
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicides;
Germanium;
Silicon;
Carbon;
Thermal stability;
Conductivity;
Resistance;
56.
PLAD (Plasma Doping) for p-type Deep Trench Doping in Power Device Applications
机译:
P型深沟槽掺杂电力装置应用的Plad(等离子掺杂)
作者:
Deven Raj
;
Gordy Grivna
;
Gary Loechelt
;
Qi Gao
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Plasmas;
Capacitance;
Ion implantation;
Process control;
MOSFET;
Roads;
57.
Acceleration of 4+ Ions in an RF Linac Accelerator
机译:
RF LINAC加速器中的4+离子加速
作者:
Shu Satoh
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Radio frequency;
Electrostatics;
Linear particle accelerator;
Electric potential;
Magnetic separation;
Magnetic analysis;
58.
Advantages and Challenges of Plasma Immersion Ion Implantation for Power Devices Manufacturing on Si, SiC and GaN using PULSION? Tool
机译:
使用脉动β sup>工具在Si,SiC和GaN上制造电力器件制造的等离子体浸泡离子植入的优点和挑战
作者:
Frank Torregrosa
;
Yohann Spiegel
;
Laurent Roux
;
Guillaume Sempere
;
Gael Borvon
;
Thomas Wuebben
;
Werner Schustereder
;
Moriz Jelinek
;
Frédéric Morancho
;
Philippe Godignon
;
Marcin Zielinski
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Gallium nitride;
HEMTs;
Silicon;
Logic gates;
Ion implantation;
Silicon carbide;
59.
Evaluation of ION-X? Hydride Dopant Gas Sources on a Varian VIISion High Current Implanter
机译:
ION-X β sup>氢化物掺杂气体源的评价在Varian Viision高电流注入机上
作者:
K. Kerkel
;
J. Arnó
;
G. Reichl
;
J. Feicht
;
H. Winzig
;
O. K. Farha
;
W. Morris
;
P. W. Siu
;
G. M Tom
;
M. H. Weston
;
P. E. Fuller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Gases;
Implants;
Tools;
Metals;
Ion implantation;
Arsenic compounds;
60.
Evaluation of Ion Angle Deviation Caused by Outgassing during Ion Implantation
机译:
离子注入期间引起的离子角度偏差评价
作者:
Sho Kawatsu
;
Aki Ninomiya
;
Kazuhiro Watanabe
;
Michiro Sugitani
;
yoji kawasaki
;
Mitsuaki Kabasawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Scattering;
Ion implantation;
Ion beams;
Industries;
Trajectory;
Implants;
61.
Super Activation of Highly Surface Segregated Dopants in High Ge Content SiGe Obtained by Melt UV Laser Annealing
机译:
通过Melt UV激光退火获得的高GE含量SiGe中高表面隔离掺杂剂的超强激活
作者:
Toshiyuki Tabata
;
Joris Aubin
;
Karim Huet
;
Fulvio Mazzamuto
;
Yoshihiro Mori
;
Antonino La Magna
;
Leonard M. Rubin
;
Petros Kopalidis
;
Hao-Cheng Tsai
;
Dwight Roh
;
Ronald Reece
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon germanium;
Germanium;
Solids;
Gallium;
Silicon;
Annealing;
Liquids;
62.
Re-crystallization Behavior of Amorphous Layer in Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Region Using Flash Lamp Annealing
机译:
闪光灯退火的烃分子离子植入区中无定形层的再结晶行为
作者:
Koji Kobayashi
;
Ryosuke Okuyama
;
Takeshi Kadono
;
Ayumi Onaka-Masada
;
Ryo Hirose
;
Satoshi Shigematsu
;
Akihiro Suzuki
;
Yoshihiro Koga
;
Kazunari Kurita
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Hydrocarbons;
Epitaxial growth;
Ions;
Hydrogen;
Epitaxial layers;
Stacking;
Annealing;
63.
Source Materials and Methods for Gallium Ion Implantation
机译:
镓离子注入的源材料和方法
作者:
Ying Tang
;
Sharad Yedave
;
Oleg Byl
;
Joseph Despres
;
Joseph Sweeney
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Gallium;
Sputtering;
Germanium;
Xenon;
Laser beams;
Ion implantation;
64.
Ion Erosion and Particle Release in Graphite Materials
机译:
石墨材料中的离子腐蚀和颗粒释放
作者:
Michael I. Current
;
Yasunomi Horio
;
Takahiko Ido
;
Hideto Fujibuchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Graphite;
Ions;
Surface treatment;
Ion beams;
Optical imaging;
Measurement by laser beam;
Particle beam optics;
65.
Boosting Ge-epi N-well Mobility with Sn Implantation and P-well Mobility with Cluster-C Implantation
机译:
通过Cluster-C植入促进GE-EPI N-WOTE型流动性和P-MOTER MOPILITION
作者:
John Borland
;
Shang-Shiun Chaung
;
Tseung-Yuen Tseng
;
Yao-Jen Lee
;
Abhijeet Joshi
;
Bulent Basol
;
Takashi Kuroi
;
Gary Goodman
;
Nadya Khapochkima
;
Temel Buyuklimanli
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Implants;
Annealing;
Germanium;
X-ray scattering;
Ion implantation;
Hall effect;
66.
Application of a PEM Hydrogen Gas Generator as Reliable Gas Source for Hydrogen Implantation
机译:
PEM氢气发生器在氢气植入中的可靠气体源
作者:
Matthias Schmeide
;
Michael Kokot
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Hydrogen;
Generators;
Tools;
Protons;
Ion sources;
Water resources;
67.
Experimental Condition and Optimization for Coexistence of Fullerene and Iron Ions in ECRIS
机译:
ECRIS中富勒烯和铁离子共存的实验条件与优化
作者:
Yushi Kato
;
Yuto Tsuda
;
Takuto Watanabe
;
Koji Onishi
;
Kouta Hamada
;
Tatsuto Takeda
;
Takayuki Omori
;
Kazuki Okumura
;
Tadashi Uchida
;
Atsushi Kitagawa
;
Masayuki Muramatsu
;
Yoshikazu Yoshida
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Iron;
Fullerenes;
Ions;
Ion beams;
Plasmas;
Nitrogen;
Compounds;
68.
Wear and Ion Erosion in Spinning Disk Fences made with Al and Torlon
机译:
用Al和Torlon制造的旋转磁盘围栏中的磨损和离子腐蚀
作者:
Walt Wriggins
;
Douglas Hicks
;
Michael Current
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Pollution measurement;
Contamination;
Spinning;
Wheels;
Optical variables measurement;
Optical imaging;
Ion implantation;
69.
Two-Step Ion Implantation used for Activating Boron Atoms in Silicon at 300°C
机译:
用于在300℃下激活硅中的硼原子的两步离子植入
作者:
Toshiyuki Sameshima
;
Takuma Uehara
;
Takashi Sugawara
;
Masahiko Hasumi
;
Tomokazu Nagao
;
Keisuke Yasuta
;
Yutaka Inouchi
;
Junichi Tatemichi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Conductivity;
Ion implantation;
Heating systems;
Ions;
Boron;
Bonding;
70.
ECRIS/EBIS Based Low-Energy Ion Implantation Technologies
机译:
基于ECRIS / EBIS的低能量离子植入技术
作者:
Guenter Zschornack
;
Paul-Friedmar Laux
;
Alexandra Philipp
;
Erik Ritter
;
Dafine Ravelosona
;
Mike Schmidt
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Ion beams;
Magnetic separation;
Magnetosphere;
Magnetomechanical effects;
Magnetoelectric effects;
Magnetic multilayers;
71.
ECRIS Based Ion Beam Irradiation System for Estimating Damage of Satellites Components by Low Energy Xe Ion Beams
机译:
基于ECRI基离子束照射系统,用于估计低能量XE离子束卫星部件损坏
作者:
Tatsuto Takeda
;
Takuro Otsuka
;
Shogo Hagino
;
Koji Onishi
;
Kouta Hamada
;
Takayuki Omori
;
Kazuki Okumura
;
Yushi Kato
;
Yasutaka Inanaga
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion beams;
Radiation effects;
Satellites;
Xenon;
Current measurement;
Sputtering;
Ions;
72.
Platinum in Silicon after Post-Implantation Annealing: From Experiments to Process and Device Simulations
机译:
植入后退火后硅铂:从实验到过程和设备模拟
作者:
Moritz Hauf
;
Gerhard Schmidt
;
Franz-Josef Niedernostheide
;
Anna Johnsson
;
Peter Pichler
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Platinum;
Annealing;
Silicon;
Silicides;
Ion implantation;
Simulation;
Simulated annealing;
73.
Characterization Techniques for Ion-Implanted Layers in Silicon
机译:
硅中离子植入层的特征技术
作者:
Maria Luisa Polignano
;
Davide Codegoni
;
Amos Galbiati
;
Salvatore Grasso
;
Isabella Mica
;
Peter Basa
;
Anita Pongracz
;
Zoltan Tamas Kiss
;
Gyorgy Nadudvari
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Electrical resistance measurement;
Silicon;
Ions;
Pollution measurement;
Arsenic;
Crystals;
74.
Multi-beam RF Accelerators for Ion Implantation
机译:
用于离子植入的多光束RF加速器
作者:
Peter A. Seidl
;
Arun Persaud
;
Diego Di Domenico
;
Johan Andreasson
;
Qing Ji
;
Wei Liang
;
Di Ni
;
Daniel Oberson
;
Luke Raymond
;
Gregory Scharfstein
;
Alan M.M. Todd
;
Amit Lal
;
Thomas Schenkel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Radio frequency;
Acceleration;
Ions;
Integrated circuit modeling;
Capacitance;
Load modeling;
Particle beams;
75.
Thickness Variance of Silicon Oxide with Nitrogen Ion Implant
机译:
氮离子植入物的氧化硅厚度方差
作者:
Kazuhisa Ishibashi
;
Yoji Kawasaki
;
Shiro Ninomiya
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Nitrogen;
Implants;
Ions;
Silicon;
Oxidation;
Ion implantation;
Atomic layer deposition;
76.
Arsenic Plasma Doping in Si Characterized by High Resolution Medium Energy Ion Scattering Depth Profile Analysis
机译:
在Si中掺杂的砷等离子体掺杂,其具有高分辨率介质能量离子散射深度曲线分析
作者:
J. A. Van den Berg
;
A. K. Rossall
;
J. England
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Annealing;
Ions;
Scattering;
Plasmas;
Implants;
Surface treatment;
77.
Photomodulated Reflectance Measurement Technique for Implantation Tilt Angle Monitoring
机译:
植入倾斜角度监测的光态反射测量技术
作者:
ádám Kun
;
János Szívós
;
Enik? Kis
;
Leonard M. Rubin
;
Tamás Szarvas
;
Anita Pongrácz
;
Orsolya Almási
;
John Byrnes
;
Gy?rgy Nádudvari
;
Szabolcs Spindler
;
Réka Piros
;
Ferenc Ujhelyi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Measurement by laser beam;
Optical variables measurement;
Tools;
Sensitivity;
Monitoring;
Ions;
78.
Development of a Polyatomic Molecular Ion Source with a Hollow Cathode
机译:
用空心阴极开发多原子分子离子源
作者:
Yuta Imamura
;
Naoki Miyamoto
;
Hajime Aki
;
Kensuke Tomita
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
duoplasmatron;
ion source;
hollow cathode;
carbon molecular ion;
hydrocarbon molecular ion;
79.
High Energy Ion Implantation: Novel Approach on “as-implanted” Dose Control Concept
机译:
高能量离子植入:“植入”剂量控制概念的新方法
作者:
Anastasia Guseva
;
Shavkat Akhmadaliev
;
Jürgen Bischoff
;
Constantin Csato
;
Stefan Illhardt
;
Andre Zowalla
;
Michael Rüb
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Optical filters;
Ion implantation;
Monitoring;
Optical surface waves;
Current density;
Dosimetry;
80.
Simulation of 3D Doping by Plasma Immersion Ion Implantation for FinFET or deep Trench Doping Applications. Effect of main Process Parameters and Study of Wall Doping Non-Uniformity as Function of Form Factor and Device Scaling
机译:
血管浸渍离子灌注料3D掺杂模拟FinFET或深沟槽掺杂应用。主要过程参数的影响及壁掺杂非均匀性的效果和装置缩放功能
作者:
Frank Torregrosa
;
Benjamin Roux
;
Mona Ebrish
;
Oleg Gluschenkov
;
Yohann Spiegel
;
A. Filip Petrescu
;
Vinay Pai
;
Spyridon Skordas
;
Hemanth Jagannathan
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Doping;
Ions;
Plasma density;
Semiconductor process modeling;
FinFETs;
Acceleration;
Three-dimensional displays;
81.
Next Generation Safe Delivery Source? (SDS4?) Dopant Material Storage and Delivery Package
机译:
下一代安全交付源? (SDS4?)掺杂物料储存和送货包
作者:
Christopher Scannell
;
Edward Sturm
;
Oleg Byl
;
Joseph Despres
;
Kavita Murthi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Valves;
Metals;
Gases;
Carbon;
Ions;
Implants;
Safety;
82.
Si and Mg Ion Implantation for Doping of GaN Grown on Silicon
机译:
Si和Mg离子植入硅掺杂硅
作者:
M. Coig
;
A. Lardeau-Falcy
;
N. Sacher
;
J. Kanyandekwe
;
A. Huvelin
;
J. Biscarrat
;
E. Vilain
;
F. Milési
;
F. Mazen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
GaN;
doping;
ion implantation;
silicon;
magnesium;
83.
Optimization of the Ion Source Parameters to Change the Proportion of Single and Molecular Ions in Plasma
机译:
离子源参数的优化改变等离子体中单分子离子的比例
作者:
Masamitsu Kawamura
;
Tetusro Yamamoto
;
Yusuke Kuwata
;
Shigeki Sakai
;
Nariaki Hamamoto
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion sources;
Plasmas;
Cathodes;
Ionization chambers;
Shape;
Anodes;
84.
Aluminum Nitride Ion Production by a Magnetron Sputtering Type Ion Source with a Temperature Controlled Al Target
机译:
通过磁控溅射型离子源的氮化铝离子产生,具有温度控制的Al靶
作者:
Takeshi Sakamoto
;
Kentaro Yoshioka
;
Takahiro Kenmotsu
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
sputtering;
aluminum nitride ions;
beam stability;
85.
Change of Depth Profile for High-Temperature Implantation in Channeling Condition
机译:
沟通条件下高温植入深度剖面的变化
作者:
Makoto Sano
;
Haruka Sasaki
;
Yoji Kawasaki
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Temperature measurement;
Crystals;
Ion implantation;
Lattices;
Arsenic;
86.
Miniaturization of Swelling Structures Fabricated on 6H-SiC Surface by Ion-beam Irradiation
机译:
离子束照射在6H-SiC表面上制造的膨胀结构的小型化
作者:
S. Momota
;
K. Honda
;
J. Taniguchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Substrates;
Resists;
Radiation effects;
Crystals;
Surface treatment;
Ion implantation;
87.
Fluorine Beam Performance of Fluoride Dopant Gases and Their Gas Mixtures
机译:
氟化物掺杂剂气体的氟光束性能及其气体混合物
作者:
Sharad Yedave
;
Ying Tang
;
Joseph Sweeney
;
Joseph Despres
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Fluorine;
Tungsten;
Fluid flow;
Ion sources;
Tools;
Ion implantation;
Gases;
88.
Enriched 11Boron Trifluoride and Hydrogen Mixture for Performance Improvement on Applied Materials E-500 Implanter
机译:
富集的 11 sup>硼三氟化物和氢气混合物,用于施用材料E-500注入机的性能改进
作者:
Barry Chambers
;
Francisco E. Cruz
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Tungsten;
Ions;
Tools;
Implants;
Hydrogen;
Production;
89.
Analysis of Very High Energy Implantation Profiles at Channeling and Non-Channeling Conditions
机译:
在沟渠和非信道条件下对非常高的能量植入曲线分析
作者:
Serguei I. Kondratenko
;
Leonard M. Rubin
;
Eric A. G. Webster
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Phosphorus;
Arsenic;
Implants;
Ions;
Boron;
Ion implantation;
Semiconductor device modeling;
90.
Enhancement of Beam Intensity in Electron Cyclotron Resonance Plasma by DC Biased Plate-Tuner
机译:
直流偏置板调谐器增强电子回旋谐振等离子体中的光束强度
作者:
Kouta Hamada
;
Koji Onishi
;
Tatsuto Takeda
;
Takayuki Omori
;
Kazuki Okumura
;
Yushi Kato
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Microwave theory and techniques;
Plasmas;
Particle beams;
Wireless communication;
Electromagnetic heating;
Microwave propagation;
91.
Ion Implantation of Polypropylene Films for the Manufacture of Thin Film Capacitors
机译:
聚丙烯膜的离子注入用于制造薄膜电容器
作者:
Volker Haublein
;
Erwin Birnbaum
;
Heiner Ryssel
;
Lothar Frey
;
Marit Djupmyr
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Capacitors;
Capacitance;
Meteorology;
Ion implantation;
Stress;
Films;
Corrosion;
92.
Ion Implantation Technology for Image Sensors
机译:
图像传感器的离子注入技术
作者:
Nobukazu Teranishi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Dark current;
Metals;
Ion implantation;
CMOS image sensors;
Contamination;
Photodiodes;
93.
Exemplary Ion Source for the Implanting of Halogen and Oxygen Based Dopant Gases
机译:
卤素和氧基掺杂气体注入的示例性离子源
作者:
Tseh-Jen Hsieh
;
Neil K. Colvin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Tungsten;
Cathodes;
Ion sources;
Carbon;
Thermal stability;
Fluorine;
94.
Extension of the Source Lifetime in HC Ion Implanter with Dedicated Species
机译:
专用种类的HC离子注入机的源寿命延长
作者:
Edwin Su
;
Alan Chang
;
Kim Wu
;
Joe Tsai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Hardware;
Ion sources;
Cathodes;
Ion beams;
Ion implantation;
95.
Simulation Study of Implantation Angle Variation and Its Impact on Device Performance
机译:
植入角度变化及其对器件性能影响的仿真研究
作者:
Ruey-Dar Chang
;
Po-Heng Lin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Performance evaluation;
FinFETs;
Ions;
Semiconductor process modeling;
Ion implantation;
Ion beams;
96.
Spatial Distribution of Multicharged Ions from Space Potentials Measured by Probe and Beam Methods on ECRIS
机译:
ECRIS探针和束法测量空间电位中多电荷离子的空间分布
作者:
Yushi Kato
;
Takuya Nishiokada
;
Tomoki Nagaya
;
Shogo Hagino
;
Takuro Otsuka
;
Takuto Watanabe
;
Yuto Tsuda
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ion beams;
Ions;
Probes;
Plasmas;
Plasma measurements;
Electric potential;
Extraterrestrial measurements;
97.
ALD Process for Dopant-Rich Films on Si
机译:
Si上富掺杂薄膜的ALD工艺
作者:
Thomas E. Seidel
;
Jeffrey W. Elam
;
Michael I. Current
;
Anil U. Mane
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Doping;
Silicon;
Films;
Boron;
Phosphorus;
FinFETs;
Atomic layer deposition;
98.
Annealing Behavior of Aluminum Implanted Germanium
机译:
铝注入锗的退火行为
作者:
Hiroshi Onoda
;
Yoshiki Nakashima
;
Tsutomu Nagayama
;
Shigeki Sakai
;
Abhijeet Joshi
;
Shigeaki Zaima
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Impurities;
Annealing;
Junctions;
Resistance;
Aluminum;
Phosphorus;
Substrates;
99.
Beam Energy Purity on Axcelis XE High Energy Ion Implanter
机译:
Axcelis XE高能离子注入机的束能量纯度
作者:
Shu Satoh
;
Jonathan David
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Magnetic separation;
Ions;
Radio frequency;
Electrostatics;
Xenon;
Linear particle accelerator;
Acceleration;
100.
Extraction of a Metal Ion Beam from a Planar Magnetron Sputter Ion Source
机译:
从平面磁控溅射离子源中提取金属离子束
作者:
Motoi Wada
;
Shoma Kanda
;
Yusuke Kuwata
;
Naoki Miyamoto
;
Kentaro Yoshioka
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Ion sources;
Plasmas;
Sputtering;
Copper;
Electrodes;
上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页
意见反馈
回到顶部
回到首页