Doping; Gallium nitride; HEMTs; Silicon; Logic gates; Ion implantation; Silicon carbide;
机译:大功率脉冲磁控溅射制备的Cr-N涂层的高温氧化-等离子体浸没离子注入和沉积
机译:通过高功率脉冲磁控溅射-等离子浸入离子注入和沉积(HPPMS-PIII&D)制成的渐变纳米结构界面层
机译:高功率脉冲磁控放电等离子体浸没离子注入沉积CrN薄膜的微观结构和力学性能。
机译:使用PULSION ® sup>工具在Si,SiC和GaN上制造功率器件的等离子注入离子注入的优势和挑战
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:使用脉冲®工具对Si,SiC和GaN的电力设备制造的等离子体浸没离子植入的优点和挑战
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性