AlGaN/GaN; SiC; high electron mobility transistor; Schottky barrier diode; breakdown field; noise; charge traps; radio frequency;
机译:具有周期性碳掺杂GaN缓冲层的AlGaN / GaN HEMT的1 / f噪声特性
机译:具有周期性碳掺杂GaN缓冲层的AlGaN / GaN HEMT的1 / f噪声特性
机译:掺Fe或无意掺杂GaN缓冲层的MOCVD在SiC上生长的AlGaN / GaN HEMT的直流和微波性能的比较
机译:GaN衬底与无C掺杂GaN缓冲层的GaN衬底侧栅调制响应的比较
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应