Silicon; Logic gates; MOSFET; MOSFET circuits; Ion implantation; Capacitance-voltage characteristics; Threshold voltage;
机译:通过调整离子注入参数来抑制MOSFET的阈值电压可变性
机译:离子注入绝缘体上应变硅(SSOI)MOSFET阈值电压的解析模型
机译:基于杂质分布的口袋注入MOSFET的阈值电压模型,用于电路仿真
机译:在不同注入器中进行的离子注入引起的MOSFET阈值电压漂移
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:阈值漂移:人工耳蜗植入对患病风险的影响 肺炎球菌性脑膜炎
机译:3MEV - 电子束诱导阈值电压偏移和漏极电流降解ZVN3320FTA&amp上的漏极电流降解; ZVP3310FTA商业MOSFET.