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双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降

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摘要

基于电荷分享原理 ,推导了双栅和环栅 MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降 ,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响 ,并用数值模拟验证了理论结果 .这些研究结果对进一步开展纳米

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来源
《半导体学报：英文版》|2001年第12期|1581-1585|共5页
作者
甘学温; 王旭社; 张兴;
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作者单位

北京大学微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
双栅MOSFET; 环栅MOSFET; 阈值电压下降; 短沟效应; 场效应晶体管;

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