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公开/公告号CN108388697A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 华北水利水电大学;
申请/专利号CN201810081144.2
发明设计人 辛艳辉;袁合才;
申请日2018-01-23
分类号G06F17/50(20060101);
代理机构
代理人
地址 450045 河南省郑州市北环路36号
入库时间 2023-06-19 06:33:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-04
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180123
实质审查的生效
2018-08-10
公开
机译: 非对称双栅或全栅MOSFET器件及其制造方法
机译: 用于MOSFET的半导体结构,具有与n型双栅晶体管的背栅的一部分和p型双栅晶体管的背栅的一部分相接触的单阱,其中栅极被相同的掺杂剂掺杂。
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