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李尊朝; 蒋耀林; 张莉丽;
西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;
异质栅; 阈值电压; 表面势;
机译:具有背栅控制的纳米超薄体和埋入氧化物SOI MOSFET的阈值电压和界面理想因子的解析模型
机译:垂直非均匀掺杂硅膜的短栅SOI MESFET阈值电压的解析模型
机译:具有非对称光晕的双材料栅SOI MOSFET的解析模型
机译:22nm节点体和FD-SOI CMOS技术的PD-SOI HALO注入或接地背栅掺杂的BF2,In,Ga,C + Ga和In + BF2掺杂剂的比较
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:具有铁电聚合物顶栅绝缘子的单壁碳纳米管晶体管的可控滞后和阈值电压
机译:使用中心电势的圆柱形全栅(CGAA)MOSFET阈值电压的解析模型
机译:在恶劣环境中的双栅sOI / mOs器件和电路
机译:具有阈值电压(Vt)导通的栅-体隧道电流区域的部分耗尽(PD)绝缘体上半导体(SOI)场效应晶体管(FET)结构及其形成方法
机译:具有用于降低阈值电压(Vt)的栅体隧道电流区域的部分耗尽(PD)绝缘体上半导体(SOI)场效应晶体管(FET)结构及其形成方法
机译:用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
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